公开(公告)号：KR1020120062895A

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：KR1020127009304

申请日：2010-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와즈다코리

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02148 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645

Abstract: 펄스형 화학 기상 증착 공정으로 기판 상에 금속-실리콘 함유 막을 형성하는 형성 방법이 제공된다. 이 형성 방법은, 상기 기판을 프로세스 챔버 내에 제공하는 단계와, 금속 함유 가스와 실리콘 함유 가스의 열분해에 의해 상기 기판 상에 상기 금속-실리콘 함유 막을 화학 기상 증착하기에 적합한 온도로 상기 기판을 유지하는 단계와, 상기 기판을 상기 금속 함유 가스의 연속적 흐름에 노출시키는 단계와, 상기 연속적 흐름 중에, 상기 기판을 실리콘 함유 가스의 순차적 펄스에 노출시키는 단계를 포함한다.

Abstract translation: 提供了通过脉冲化学气相沉积在基板上形成含金属硅膜的方法。 该方法包括在处理室中提供衬底，通过在衬底上热分解含金属气体和含硅气体，将衬底保持在适于化学气相沉积含金属硅膜的温度，将衬底暴露 该衬底连续流入含金属的气体，并且在连续流动期间，将衬底暴露于含硅气体的顺序脉冲。

公开(公告)号：KR1020070026378A

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：KR1020067015601

申请日：2005-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 나카무라가즈히토 ,  와즈다코리 ,  모스카엔리코 ,  루싱크거트 ,  멕펠리펜톤알 ,  가와노유미코 ,  말호트라산드라지

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/4581 ,  C23C16/16

Abstract: A method for processing a substrate (25, 620, 720) on a ceramic substrate heater (20, 600, 700) in a process chamber (10). The method includes forming a protective coating (730, 790) on the ceramic substrate heater (20, 600, 700) in the process chamber (10) and processing a substrate (25, 620, 720) on the coated substrate heater. The processing can include providing a substrate (25, 620, 720) to be processed on the coated ceramic substrate heater, performing a process on the substrate (25, 620, 720) by exposing the substrate (25, 620, 720) to a process gas, and removing the processed substrate from the process chamber (10). ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 一种用于在处理室（10）中的陶瓷衬底加热器（20,600,700）上处理衬底（25,620,720）的方法。 该方法包括在处理室（10）中的陶瓷衬底加热器（20,600,700）上形成保护涂层（730,790）并且处理涂覆的衬底加热器上的衬底（25,620,720）。 该处理可以包括提供在被涂覆的陶瓷基板加热器上待处理的基板（25,620,720），通过将基板（25,620,720）暴露于基板（25,620,720）到基板 处理气体，以及从所述处理室（10）去除所述经处理的基板。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR1020170095164A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：KR1020170019589

申请日：2017-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 유카이-헝 ,  오이에마나부 ,  마에카와카오루 ,  와즈다코리 ,  레우싱크게릿 ,  기쿠치유우키 ,  가와사키히로아키 ,  나가이히로유키

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/203 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238

Abstract: 반도체제조시의구리(Cu) 금속화에의해컨포멀배리어층및 루테늄(Ru) 금속라이너를집적하는방법을여러실시예에서설명한다. 일실시예에따르면, 방법은리세스형피처를포함하는기판을제공하는단계; 리세스형피처내에배리어층을증착하는단계; 배리어층상에 Ru 금속라이너를증착하는단계; Ru 금속라이너를통하여배리어층을산화시키도록기판을산화원가스에노출시키는단계를포함한다. 방법은, IPVD 공정을이용하여 CuMn 금속으로리세스형피처를메우는단계; Mn을상기 CuMn 금속으로부터산화된배리어층으로확산시키도록기판을열처리하는단계; Mn 함유확산배리어를형성하기위하여확산된 Mn을산화된배리어층과반응시키는단계를더 포함한다.

Abstract translation: 在各种实施例中描述了用于在半导体制造期间通过铜金属化来整合共形阻挡层和钌（Ru）金属衬里的方法。 根据一个实施例，一种方法包括提供包括凹陷特征的衬底; 在凹陷特征内沉积阻挡层; 在阻挡层上沉积Ru金属衬垫; 并且将衬底暴露于氧化源气体以通过Ru金属衬垫氧化阻挡层。 该方法包括使用IPVD工艺用CuMn金属填充凹陷特征; 退火衬底以将Mn从CuMn金属扩散到氧化的阻挡层; 并且使扩散的Mn与氧化的阻挡层反应以形成含Mn的扩散阻挡层。

公开(公告)号：KR101696957B1

公开(公告)日：2017-01-16

申请号：KR1020127009304

申请日：2010-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와즈다코리

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02148 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645

Abstract: 펄스형화학기상증착공정으로기판상에금속-실리콘함유막을형성하는형성방법이제공된다. 이형성방법은, 상기기판을프로세스챔버내에제공하는단계와, 금속함유가스와실리콘함유가스의열분해에의해상기기판상에상기금속-실리콘함유막을화학기상증착하기에적합한온도로상기기판을유지하는단계와, 상기기판을상기금속함유가스의연속적흐름에노출시키는단계와, 상기연속적흐름중에, 상기기판을실리콘함유가스의순차적펄스에노출시키는단계를포함한다.

Abstract translation: 提供了通过脉冲化学气相沉积在基板上形成含金属硅膜的方法。 该方法包括在处理室中提供衬底，通过在衬底上热分解含金属气体和含硅气体，将衬底保持在适于化学气相沉积含金属硅膜的温度，将衬底暴露 该衬底连续流入含金属的气体，并且在连续流动期间，将衬底暴露于含硅气体的顺序脉冲。

公开(公告)号：KR1020080003383A

公开(公告)日：2008-01-07

申请号：KR1020077025080

申请日：2006-02-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 이게타마사노부 ,  와즈다코리 ,  오메아라데이비드엘 ,  쉬어크리스튼 ,  후루카와도시하라

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC classification number: C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662

Abstract: The present invention generally provides a method for preparing an oxynitride film on a substrate. A surface of the substrate is exposed to oxygen radicals formed by ultraviolet (UV) radiation induced dissociation of a first process gas comprising at least one molecular composition comprising oxygen to form an oxide film on the surface. The oxide film is exposed to nitrogen radicals formed by plasma induced dissociation of a second process gas comprising at least one molecular composition comprising nitrogen using plasma based on microwave irradiation via a plane antenna member having a plurality of slits to nitridate the oxide film and form the oxynitride film.

Abstract translation: 本发明通常提供了在基板上制备氮氧化物膜的方法。 衬底的表面暴露于通过紫外线（UV）辐射诱导的包含至少一种包含氧的分子组合物的第一工艺气体的解离形成的氧自由基，以在表面上形成氧化膜。 氧化物膜暴露于通过等离子体诱导的包含至少一种包含氮的分子组合物的等离子体诱导解离形成的氮自由基，该等分子组合物基于微波照射经由具有多个狭缝的平面天线构件的等离子体来氮化氧化膜并形成 氧氮化物膜。

公开(公告)号：KR101234492B1

公开(公告)日：2013-02-18

申请号：KR1020067015601

申请日：2005-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 나카무라가즈히토 ,  와즈다코리 ,  모스카엔리코 ,  루싱크거트 ,  멕펠리펜톤알 ,  가와노유미코 ,  말호트라산드라지

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/4581 ,  C23C16/16

Abstract: 본 발명은 프로세스 챔버(10) 내의 세라믹 기판 히터(20, 600, 700) 상에서 기판(26, 620, 720)을 처리하기 위한 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 프로세스 챔버(10) 내의 세라믹 기판 히터(20, 600, 700) 상에 보호 코팅(730, 790)을 형성하는 단계와, 코팅된 세라믹 기판 히터 상에서 기판(25, 620, 720)을 처리하는 단계를 포함한다. 상기 처리 단계는 처리할 기판(25, 620, 720)을 코팅된 세라믹 기판 히터 상에 제공하는 단계와, 프로세스 가스에 기판(25, 620, 720)을 노출시킴으로써 기판(25, 620, 720) 상에서 처리를 행하는 단계와, 처리된 기판을 프로세스 챔버(10)로부터 제거하는 단계를 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080002908A

公开(公告)日：2008-01-04

申请号：KR1020077025198

申请日：2006-02-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와즈다코리 ,  이게타마사노부 ,  레우싱크게르트

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56

Abstract: A method for preparing an interfacial layer for a high-k dielectric layer on a substrate. A surface of said substrate is exposed to oxygen radicals formed by ultraviolet (UV) radiation induced dissociation of a first process gas comprising at least one molecular composition comprising oxygen to form an oxide film. The oxide film is exposed to nitrogen radicals formed by plasma induced dissociation of a second process gas comprising at least one molecular composition comprising nitrogen to nitridate the oxide film to form the interfacial layer. A high-k dielectric layer is formed on said interfacial layer.

Abstract translation: 一种制备用于衬底上的高k电介质层的界面层的方法。 所述衬底的表面暴露于由紫外线（UV）辐射引起的包含至少一种包含氧的分子组合物的第一工艺气体的解离形成的氧自由基以形成氧化膜。 将氧化膜暴露于通过包含至少一种包含氮的分子组合物的第二工艺气体的等离子体诱导解离而形成的氮自由基以氮化氧化物膜以形成界面层。 在所述界面层上形成高k电介质层。

公开(公告)号：KR1020070008569A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：KR1020067016437

申请日：2005-02-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미라데이빗엘 ,  루싱크게릿제이 ,  캐브럴스티븐에이치 ,  딥앤서니 ,  와즈다코리 ,  조우레이몬드

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01J2237/2001

Abstract: A wafer heating assembly is described having a unique heater element for use in a single wafer processing systems. The heating unit includes a carbon wire element encased in a quartz sheath. The heating unit is as contamination-free as the quartz, which permits direct contact to the wafer. The mechanical flexibility of the carbon 'wire' or `braided' structure permits a coil configuration, which permits independent heater zone control across the wafer. The multiple independent heater zones across the wafer can permit temperature gradients to adjust film growth/deposition uniformity and rapid thermal adjustments with film uniformity superior to conventional single wafer systems and with minimum to no wafer warping. The low thermal mass permits a fast thermal response that enables a pulsed or digital thermal process that results in layer-by- layer film formation for improved thin film control. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 描述了具有用于单个晶片处理系统的唯一加热器元件的晶片加热组件。 加热单元包括封装在石英鞘中的碳线元件。 加热单元与石英无污染，允许直接接触晶片。 碳线或“编织”结构的机械灵活性允许线圈配置，其允许跨晶片的独立加热器区域控制。 跨晶片的多个独立的加热器区域可以允许温度梯度调节膜生长/沉积均匀性和快速的热调节，其膜均匀性优于常规单晶片系统，并且最小至无晶片翘曲。 低热质量允许快速的热响应，其实现脉冲或数字热处理，其导致逐层成膜以改善薄膜控制。 ®KIPO＆WIPO 2007