公开(公告)号：KR101888717B1

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：KR1020137032510

申请日：2012-06-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우다슈이치로 ,  네즈다카아키 ,  후치가미신지 ,  마루야마고지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32132 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76898

Abstract: 본발명은, 실리콘층과, 상기실리콘층의위쪽에, 정해진패턴으로패터닝된레지스트층이형성된피처리기판이설치되는처리용기내에, 산소가스와불화유황가스를포함한에칭가스를정해진유량으로공급하고, 공급한상기에칭가스로부터생성된플라즈마에의해, 상기레지스트층을마스크로하여상기실리콘층을에칭하는플라즈마에칭방법으로서, 불화유황가스에대한산소가스량의유량비를제1 유량비로한 상태에서, 상기실리콘층을에칭하는제1 단계와, 상기유량비가상기제1 유량비로부터상기제1 유량비보다작은제2 유량비가되도록, 산소가스의유량을감소시키면서상기실리콘층을에칭하는제2 단계와, 상기유량비를상기제2 유량비로한 상태에서, 상기실리콘층을에칭하는제3 단계를포함하는플라즈마에칭방법을제공하는것을목적으로한다.

公开(公告)号：KR1020170141666A

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：KR1020177029518

申请日：2016-04-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마루야마고지 ,  고시이시아키라 ,  하가고시오 ,  호리구치마사토 ,  가토마코토

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32871 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H05H1/46

Abstract: 일실시형태의방법에서는, 흡착공정에서, 하부전극에고주파바이어스를부여하지않고, 피에칭층에, 처리가스로부터생성되는라디칼을흡착시킨다. 계속되는에칭공정에서, 하부전극에고주파바이어스를부여하여, 피에칭층에, 처리가스로부터생성되는이온을끌어들인다. 흡착공정과에칭공정은교대로반복된다. 흡착공정에서는, 라디칼의밀도가이온의밀도의 200배이상이다. 에칭공정에서는, 0.07W/cm이하의파워밀도의 RF의에너지가하부전극에공급되거나, 0.14W/cm이하의파워밀도의고주파바이어스가 0.5초이하의기간, 하부전극에공급된다.

Abstract translation: 在一个实施例的方法中，在吸附步骤中，由工艺气体产生的自由基吸附在蚀刻层上，而不向下电极施加高频偏压。 在随后的蚀刻步骤中，通过施加高频偏压到下电极，它吸引在蚀刻层中的离子，从过程气体中产生的。 吸附过程和蚀刻过程交替重复。 在吸附过程中，自由基的密度是离子密度的200倍或更多。 在蚀刻过程中，0.07W /或小于供应到下电极厘米的RF功率密度的能量，的0.14W / cm或更小的高频偏置功率密度被提供给期间，小于0.5秒的底部电极。

公开(公告)号：KR1020140036217A

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：KR1020137032510

申请日：2012-06-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우다슈이치로 ,  네즈다카아키 ,  후치가미신지 ,  마루야마고지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32132 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76898

Abstract: 본 발명은, 실리콘층과, 상기 실리콘층의 위쪽에, 정해진 패턴으로 패터닝된 레지스트층이 형성된 피처리 기판이 설치되는 처리 용기 내에, 산소 가스와 불화유황 가스를 포함한 에칭 가스를 정해진 유량으로 공급하고, 공급한 상기 에칭 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해, 상기 레지스트층을 마스크로 하여 상기 실리콘층을 에칭하는 플라즈마 에칭 방법으로서, 불화유황 가스에 대한 산소 가스량의 유량비를 제1 유량비로 한 상태에서, 상기 실리콘층을 에칭하는 제1 단계와, 상기 유량비가 상기 제1 유량비로부터 상기 제1 유량비보다 작은 제2 유량비가 되도록, 산소 가스의 유량을 감소시키면서 상기 실리콘층을 에칭하는 제2 단계와, 상기 유량비를 상기 제2 유량비로 한 상태에서, 상기 실리콘층을 에칭하는 제3 단계를 포함하는 플라즈마 에칭 방법 을 제공하는 것을 목적으로 한다.