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公开(公告)号：KR101809150B1
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：KR1020167000360
申请日：2014-07-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/32568 , H01J37/32816 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/02104 , H01L21/3065 , H01L21/67069
Abstract: 플라즈마처리장치는, 내부공간을처리공간에연통시키는연통홀이형성된유전체와, 내부공간을사이에두는제 1 및제 2 전극과, 제 1 처리가스를내부공간으로공급하는제 1 가스공급기구와, 제 1 및제 2 전극중 적어도어느일방에제 1 고주파전력을공급하고, 제 1 처리가스의제 1 플라즈마를생성하는제 1 고주파전원과, 제 1 플라즈마중의라디칼과제 1 처리가스를처리공간으로도입하는감압기구와, 제 2 고주파전력을공급하여, 제 1 처리가스의제 2 플라즈마를생성하고, 이온을피처리체에인입하는제 2 고주파전원과, 제 1 고주파전력의전체전력량의크기를제어하여, 제 2 플라즈마중의라디칼량을조정하고, 제 1 고주파전력의비율을제어하여, 제 2 플라즈마중의이온량을조정하는제어부를구비했다.
Abstract translation: 和等离子体处理装置，并且介电连通孔被形成为连通的内部空间的处理空间，所述第一mitje第二电极以夹着所述内部空间，并包括：用于供给所述内部空间中的第一处理气体机构的第一气体供应， 第一mitje两个第一高频电源和所述第一高频电源，以在至少一方电极的供给并生成第一处理气体的第一等离子体，在将第一处理气体至处理空间的自由基任务第一等离子体 减压机构，和一个第二供给高频电力，产生该第一工艺气体的第二等离子体，并且对无线频率的总功率和一个第一高频电力的第二大小到传入离子向加工对象物的控制， 第二调整等离子体中的自由基的量，并且所述第一通过控制高频功率的比率，将其首先提供有控制单元，用于调节所述第二等离子体的离子的量。
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公开(公告)号：KR101770828B1
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020110025823
申请日：2011-03-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/02 , C23C16/455 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32568
Abstract: 본발명은이동전극과통형상용기의한쪽의단부벽사이의공간에서의플라즈마의발생을억제할수 있는기판처리장치를제공한다. 기판처리장치(10)는, 웨이퍼(W)를수용하는통형상의챔버(11)와, 상기챔버(11) 내에서챔버(11)의중심축을따라이동가능한샤워헤드(23)와, 챔버(11) 내에서샤워헤드(23)에대향하는서셉터(12)와, 샤워헤드(23) 및챔버(11)의덮개(14)를접속하는신축가능한벨로우즈(31)를구비하고, 샤워헤드(23) 및서셉터(12) 사이에존재하는처리공간(PS)에고주파전력이인가되며처리가스가도입되고, 샤워헤드(23) 및챔버(11)의측벽(13)은비접촉이며, 샤워헤드(23) 및챔버(11)의덮개(14) 또는측벽(13)을전기적으로접속하는바이패스부재(35)가설치된다.
Abstract translation: 本发明提供一种能够抑制移动电极与管状容器的一个端壁之间的空间中的等离子体的产生的基板处理装置。 基板处理装置10具备收纳晶片W的筒状的腔室11，在腔室11内沿腔室11的中心轴线移动的喷头23， 用于连接面对喷头23的基座12和喷头23的盖子14以及喷头11中的腔室11的可拉伸波纹管31 喷头23与腔室11的侧壁13接触，在喷头23与基座12之间存在的处理空间PS中，喷头23与基座12接触， 并且安装用于电连接腔室11的盖14或侧壁13的旁路构件35。
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公开(公告)号：KR100686763B1
公开(公告)日：2007-02-26
申请号：KR1020050104040
申请日：2005-11-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
Abstract: 처리용기내의 탑재대에 탑재된 기판의 표면에 대해 플라즈마에 의해 에칭을 행하는 플라즈마 에칭 장치에 있어서, 기판의 주위를 둘러싸도록 포커스링이 설치된다. 포커스링은, 그 표면의 내측 부근에 있어서, 에칭처리시의 반응생성물이 포착되지 않을 정도로 평균표면조도 Ra가 작게 마무리가공된 제 1 영역을 갖고, 제 1 영역보다도 외측에는, 반응생성물이 포착될 정도로 평균표면조도 Ra가 크게 마무리가공된 제 2 영역을 갖는다. 제 1 영역 및 제 2 영역의 경계는, 포커스링을 플라즈마에칭장치에 조립하고, 기판에 대하여 플라즈마에 의해 에칭을 행한 때에 소모의 정도가 다른 부위보다 상대적으로 크게 변하는 부위이다.
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公开(公告)号：KR1020170141666A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：KR1020177029518
申请日：2016-04-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/30655 , H01J37/32532 , H01J37/32871 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H05H1/46
Abstract: 일실시형태의방법에서는, 흡착공정에서, 하부전극에고주파바이어스를부여하지않고, 피에칭층에, 처리가스로부터생성되는라디칼을흡착시킨다. 계속되는에칭공정에서, 하부전극에고주파바이어스를부여하여, 피에칭층에, 처리가스로부터생성되는이온을끌어들인다. 흡착공정과에칭공정은교대로반복된다. 흡착공정에서는, 라디칼의밀도가이온의밀도의 200배이상이다. 에칭공정에서는, 0.07W/cm이하의파워밀도의 RF의에너지가하부전극에공급되거나, 0.14W/cm이하의파워밀도의고주파바이어스가 0.5초이하의기간, 하부전극에공급된다.
Abstract translation: 在一个实施例的方法中，在吸附步骤中，由工艺气体产生的自由基吸附在蚀刻层上，而不向下电极施加高频偏压。 在随后的蚀刻步骤中，通过施加高频偏压到下电极，它吸引在蚀刻层中的离子，从过程气体中产生的。 吸附过程和蚀刻过程交替重复。 在吸附过程中，自由基的密度是离子密度的200倍或更多。 在蚀刻过程中，0.07W /或小于供应到下电极厘米的RF功率密度的能量，的0.14W / cm或更小的高频偏置功率密度被提供给期间，小于0.5秒的底部电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060054137A
公开(公告)日：2006-05-22
申请号：KR1020050104040
申请日：2005-11-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32642 , H01L21/67069
Abstract: 처리용기내의 탑재대에 탑재된 기판의 표면에 대해 플라즈마에 의해 에칭을 행하는 플라즈마 에칭 장치에 있어서, 기판의 주위를 둘러싸도록 포커스링이 설치된다. 포커스링은, 그 표면의 내측 부근에 있어서, 에칭처리시의 반응생성물이 포착되지 않을 정도로 평균표면조도 Ra가 작게 마무리가공된 제 1 영역을 갖고, 제 1 영역보다도 외측에는, 반응생성물이 포착될 정도로 평균표면조도 Ra가 크게 마무리가공된 제 2 영역을 갖는다. 제 1 영역 및 제 2 영역의 경계는, 포커스링을 플라즈마에칭장치에 조립하고, 기판에 대하여 플라즈마에 의해 에칭을 행한 때에 소모의 정도가 다른 부위보다 상대적으로 크게 변하는 부위이다.
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公开(公告)号：KR101737014B1
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：KR1020110049361
申请日：2011-05-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L27/105
CPC classification number: H01J37/32633 , C23C16/45565 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/32568 , H01J37/32651 , H01J37/32834
Abstract: 승강가능하게설치된상부전극의상부공간으로처리가스가유입되어도이를용이하게배출한다. 처리실(102)의천장벽(105)에하부전극(111)과대향하여승강가능하게설치되어처리가스를도입하는다수의분출홀(123)을형성한상부전극(120)과, 각전극과그 사이의처리공간의주위를둘러싸는쉴드측벽(310)과, 쉴드측벽의내측에설치되어처리공간의분위기를배기하는내측배기유로(330)와, 쉴드측벽의외측에설치되어상부전극과천장벽과의사이의공간으로유입된처리가스를배기하는외측배기유로(138)를형성하였다.
Abstract translation: 即使处理气体流入设置成可上下移动的上部电极的上部空间，也容易排出。 上电极120设置在处理室102的内壁105上以相对于下电极111可垂直移动以形成多个用于引入处理气体的喷射孔123， 包围处理空间的周围的屏蔽侧壁310，设置在屏蔽侧壁内用于排出处理空间的气氛的内侧排气流路330以及设置在屏蔽侧壁的外侧的内侧排气流路330， 形成用于排放引入排气通道138的空间的处理气体的外部排气通道138。
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公开(公告)号：KR1020160040512A
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：KR1020167000360
申请日：2014-07-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/32568 , H01J37/32816 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/02104 , H01L21/3065 , H01L21/67069
Abstract: 플라즈마처리장치는, 내부공간을처리공간에연통시키는연통홀이형성된유전체와, 내부공간을사이에두는제 1 및제 2 전극과, 제 1 처리가스를내부공간으로공급하는제 1 가스공급기구와, 제 1 및제 2 전극중 적어도어느일방에제 1 고주파전력을공급하고, 제 1 처리가스의제 1 플라즈마를생성하는제 1 고주파전원과, 제 1 플라즈마중의라디칼과제 1 처리가스를처리공간으로도입하는감압기구와, 제 2 고주파전력을공급하여, 제 1 처리가스의제 2 플라즈마를생성하고, 이온을피처리체에인입하는제 2 고주파전원과, 제 1 고주파전력의전체전력량의크기를제어하여, 제 2 플라즈마중의라디칼량을조정하고, 제 1 고주파전력의비율을제어하여, 제 2 플라즈마중의이온량을조정하는제어부를구비했다.
Abstract translation: 等离子体处理装置包括具有连通孔的电介质构件，内部空间与处理空间连通; 第一电极和第二电极，被布置成彼此面对并具有内部空间; 第一气体供给装置，其将第一处理气体供给到所述内部空间中; 第一高频电源，其向第一电极和第二电极中的至少一个提供第一高频功率，以产生第一处理气体的第一等离子体; 减压装置，其将第一等离子体中的第一处理气体和自由基引入处理空间; 第二高频电源，其提供第二高频功率以产生所述第一处理气体的第二等离子体并将离子吸引到目标物体中; 以及控制单元，其通过控制第一高频功率的总量来调整第二等离子体中的自由基的量，并且通过控制第一高频功率之间的比例来调整第二高频功率中的离子的量 等离子体。
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公开(公告)号：KR1020110129356A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：KR1020110049361
申请日：2011-05-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L27/105
CPC classification number: H01J37/32633 , C23C16/45565 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/32568 , H01J37/32651 , H01J37/32834 , H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/0273 , H01L21/205 , H01L21/302 , H01L21/30621 , H01L21/31116 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L27/105
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to easily discharge a process gas inputted to the upper space of an upper electrode to the outside through an external exhaust passage, thereby preventing abnormal discharge generation in the upper space. CONSTITUTION: A lower electrode is installed in a bottom wall of a process chamber. A substrate is mounted. An upper electrode is installed by facing the lower electrode. A plurality of emission holes introducing a process gas is arranged toward the mounted substrate. An electrode supply part supplies high frequency power arranging plasma of the process gas between electrodes. A lifting device is installed in a ceiling wall of the process chamber and lifts the upper electrode between the ceiling wall and lower electrode. A cylindrical shaped wall covers surroundings of a process space between electrodes. An internal exhaust passage(330) is arranged in the inside of the cylindrical shaped wall and discharges an atmosphere of the process space. An external exhaust passage(138) exhausts the process gas inputted to a space between the upper electrode and ceiling wall.
Abstract translation: 目的：提供一种等离子体处理装置，用于通过外部排气通道将输入到上部电极的上部空间的处理气体容易地排出到外部，从而防止上部空间中的异常放电产生。 构成：下电极安装在处理室的底壁。 安装基板。 上电极通过面向下电极而安装。 引导处理气体的多个发射孔朝向安装的基板设置。 电极供应部分在电极之间提供处理气体的高频功率排列等离子体。 提升装置安装在处理室的顶壁上，并将上电极提升到顶壁和下电极之间。 圆柱形的壁覆盖电极之间的处理空间的周围。 在圆筒形壁的内部设置内部排气通道（330），并排出处理空间的气氛。 外部排气通道（138）排出输入到上部电极和顶壁之间的空间的处理气体。
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公开(公告)号：KR1020110107290A
公开(公告)日：2011-09-30
申请号：KR1020110025823
申请日：2011-03-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/02 , C23C16/455 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32568 , H01L21/3065 , C23C16/45565 , H01L21/02315 , H01L21/0234 , H05H1/46
Abstract: 본 발명은 이동 전극과 통형상 용기의 한쪽의 단부벽 사이의 공간에서의 플라즈마의 발생을 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
기판 처리 장치(10)는, 웨이퍼(W)를 수용하는 통형상의 챔버(11)와, 상기 챔버(11) 내에서 챔버(11)의 중심축을 따라 이동 가능한 샤워 헤드(23)와, 챔버(11) 내에서 샤워 헤드(23)에 대향하는 서셉터(12)와, 샤워 헤드(23) 및 챔버(11)의 덮개(14)를 접속하는 신축 가능한 벨로우즈(31)를 구비하고, 샤워 헤드(23) 및 서셉터(12) 사이에 존재하는 처리 공간(PS)에 고주파 전력이 인가되며 처리 가스가 도입되고, 샤워 헤드(23) 및 챔버(11)의 측벽(13)은 비접촉이며, 샤워 헤드(23) 및 챔버(11)의 덮개(14) 또는 측벽(13)을 전기적으로 접속하는 바이패스 부재(35)가 설치된다.
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