公开(公告)号：KR1020100106602A

公开(公告)日：2010-10-01

申请号：KR1020107018924

申请日：2009-01-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오따긴야 ,  티안카이중 ,  고바야시히로시 ,  사또오요시히로 ,  시오자와도시히꼬 ,  마에까와고오지

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

Abstract: 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서, 플라즈마를 형성하기 위한 마이크로파를 방사하는 평면 안테나(31)는 그 면을 동심 형상으로 중앙 영역(31a), 외주 영역(31c), 이들의 중간 영역(31b)으로 나눈 경우에, 서로 방향이 다른 마이크로파 방사 구멍(32)의 쌍이, 중앙 영역(31a) 및 외주 영역(31c)에 동심원 형상으로 복수 배열되고, 중간 영역(31b)에는 마이크로파 방사 구멍이 형성되어 있지 않고, 마이크로파 투과판(28)은 그 마이크로파 방사면에 오목부(28a)가 형성되어 있다.