公开(公告)号：KR101005953B1

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：KR1020097017507

申请日：2005-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  나카야마도모에 ,  고바야시히로시 ,  오사키요시노리 ,  다카하시데츠로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 기판위의 산화막에 플라즈마 질화 처리를 하고 난 후 프로세스 챔버(51) 내에서 상기 기판을 어닐함으로서 절연막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 기판은 667Pa 또는 그 이하의 저압력에서 어닐된다. 어닐은 5초에서 45초 사이 동안 진행한다. 상부에 복수의 투과구멍이 형성된 평면 안테나를 사용하는 마이크로웨이브 플라즈마에 의해서 상기 플라즈마 질화 처리를 행한다.

公开(公告)号：KR1020070072909A

公开(公告)日：2007-07-06

申请号：KR1020077010211

申请日：2005-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  나카야마도모에 ,  고바야시히로시 ,  오사키요시노리 ,  다카하시데츠로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: In a method for forming an insulating film by performing plasma nitriding process to an oxide film on a substrate and then by annealing the substrate in a process chamber (51), the substrate is annealed under a low pressure of 667Pa or lower. The annealing is performed for 5 to 45 seconds. The plasma nitriding process is performed by microwave plasma by using a planar antenna whereupon a multitude of transmitting holes are formed.

Abstract translation: 在通过对基板上的氧化膜进行等离子体氮化处理，然后在处理室（51）中对基板进行退火而形成绝缘膜的方法中，基板在667Pa以下的低压下进行退火。 进行退火5〜45秒。 等离子体氮化处理通过使用平面天线由微波等离子体进行，由此形成多个透射孔。

公开(公告)号：KR1020100106602A

公开(公告)日：2010-10-01

申请号：KR1020107018924

申请日：2009-01-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오따긴야 ,  티안카이중 ,  고바야시히로시 ,  사또오요시히로 ,  시오자와도시히꼬 ,  마에까와고오지

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

Abstract: 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서, 플라즈마를 형성하기 위한 마이크로파를 방사하는 평면 안테나(31)는 그 면을 동심 형상으로 중앙 영역(31a), 외주 영역(31c), 이들의 중간 영역(31b)으로 나눈 경우에, 서로 방향이 다른 마이크로파 방사 구멍(32)의 쌍이, 중앙 영역(31a) 및 외주 영역(31c)에 동심원 형상으로 복수 배열되고, 중간 영역(31b)에는 마이크로파 방사 구멍이 형성되어 있지 않고, 마이크로파 투과판(28)은 그 마이크로파 방사면에 오목부(28a)가 형성되어 있다.

公开(公告)号：KR100939125B1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：KR1020077010211

申请日：2005-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  나카야마도모에 ,  고바야시히로시 ,  오사키요시노리 ,  다카하시데츠로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 기판위의 산화막에 플라즈마 질화처리를 하고 난 후 프로세스 챔버(51) 내에서 상기 기판을 어닐 함으로서 절연막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 기판은 667Pa 또는 그 이하의 저압력에서 어닐된다. 어닐은 5초에서 45초 사이 동안 진행한다. 상부에 복수의 투과구멍이 형성된 평면 안테나를 사용하는 마이크로웨이브 플라즈마에 의해서 상기 플라즈마 질화처리를 실행한다.

公开(公告)号：KR1020090097219A

公开(公告)日：2009-09-15

申请号：KR1020097017507

申请日：2005-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  나카야마도모에 ,  고바야시히로시 ,  오사키요시노리 ,  다카하시데츠로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: In a method for forming an insulating film by performing plasma nitriding process to an oxide film on a substrate and then by annealing the substrate in a process chamber (51), the substrate is annealed under a low pressure of 667Pa or lower. The annealing is performed for 5 to 45 seconds. The plasma nitriding process is performed by microwave plasma by using a planar antenna whereupon a multitude of transmitting holes are formed.

Abstract translation: 在通过对基板上的氧化膜进行等离子体氮化处理，然后在处理室（51）中对基板进行退火而形成绝缘膜的方法中，基板在667Pa以下的低压下进行退火。 进行退火5〜45秒。 等离子体氮化处理通过使用平面天线由微波等离子体进行，由此形成多个透射孔。