Abstract:
좁은 반송로를 갖는 장치에 대해서도 반입이 가능한 위치 검출용 웨이퍼를 이용하여 반송 암의 반송처의 위치 조정을 실시한다. 위치 검출용 웨이퍼(S)는, 위치 조정의 목표물과의 사이의 정전 용량을 검출하는 정전 용량 검출 센서(50)를 갖는다. 정전 용량 검출 센서(50)는, 목표물과의 사이에서 정전 용량을 형성하는 복수의 정전 용량 검출 전극(52)과 정전 용량 검출 전극(52)과 통신하여, 정전 용량 검출 전극(52)에 의한 정전 용량의 검출을 제어하는 제어 회로(51)를 갖는다. 정전 용량 검출 전극(52)은, 위치 검출용 웨이퍼(S)의 이면측에 설치되고, 제어 회로(51)는 표면측에 설치되어 있다.
Abstract:
A plasma abnormal discharge diagnosis system includes: a data acquisition unit (21) for acquiring time series data fluctuating depending on a plasma state; a translation error calculation unit (24) for calculating a deterministic value serving as an index indicating whether the time series data in the plasma is deterministic or probabilistic according to the time series data acquired by the data acquisition unit (21); an abnormal discharge judging unit (26) for judging that the plasma is in an abnormal discharge state when the value indicating the deterministic feature calculated by a determinism deriving means is not greater than a predetermined threshold value. The deterministic value may be, for example, a translation error or permutation entropy. When the permutation entropy is used as a value indicating the deterministic feature, a permutation entropy calculation unit is provided.
Abstract:
A position detection jig is provided to perform the position control of the carrier place of the transfer arm. The position detection wafer(S) has the electrostatic capacity detector and sensor(50) for detecting the electrostatic capacity between the target object of the position control. The electrostatic capacity detection sensor have a plurality of electrostatic capacity detection electrodes(52) and a control circuit. The electrostatic capacity is formed between a plurality of electrostatic capacity detection electrodes and the target object. The control circuit communicates with the electrostatic capacity detection electrode and controls the detection of the electrostatic capacity by the electrostatic capacity detection electrode. The electrostatic capacity detection electrode is installed at the backside of the wafer for the position detection. The control circuit is installed at the front surface side of the wafer for the position detection.
Abstract:
정전 용량 센서를 갖는 위치 검출용 웨이퍼를 이용하여, 더욱 정확하고 안정되게 반송암의 반송처의 위치를 검출한다. 위치 검출용 웨이퍼(S)는, 반송암(20)이 반송 가능한 웨이퍼 형상으로 형성되고, 위치 검출을 위한 목표물과의 사이의 정전 용량을 검출하여 목표물과의 상대적인 위치를 검출하는 정전 용량 센서(50)를 갖고 있다. 정전 용량 센서(50)는 목표물과의 사이에서 정전 용량을 형성하는 검출 전극(52)을 갖고, 검출 전극(52)은 웨이퍼 형상의 본체의 이면측에 설치되어 있다. 본체에는, 표면측에서 보면 검출 전극(52)을 덮고, 표면측으로부터 검출 전극(52)으로 향하는 전계를 차단하는 가드 전극(100)이 형성되어 있다.
Abstract:
플라즈마의 상태에 수반하여 변동하는 시계열 데이터를 취득하는 데이터 취득부(21)와, 데이터 취득부(21)에서 취득한 시계열 데이터로부터, 플라즈마에 있어서의 시계열 데이터가 결정론적인지 확률론적인지의 지표가 되는 결정론성을 나타내는 값을 산출하는 병진 오차(translation error) 연산부(24)와, 상기 플라즈마 발생 중에, 상기 결정론성 도출 수단에서 산출된 결정론성을 나타내는 값이, 소정의 문턱값 이하인 경우에, 상기 플라즈마가 이상(abnormal) 방전 상태라고 판정하는 이상 방전 판정부(26)를 구비한다. 결정론성을 나타내는 값은, 예를 들면, 병진 오차 또는 순열 엔트로피를 이용할 수 있다. 결정론성을 나타내는 값으로서 순열 엔트로피를 이용하는 경우는, 순열 엔트로피 연산부를 구비한다. 병진 오차, 순열, 엔트로피, 플라즈마, 방전
Abstract:
정전 용량 센서를 갖는 위치 검출용 웨이퍼를 이용하여, 더욱 정확하고 안정되게 반송암의 반송처의 위치를 검출한다. 위치 검출용 웨이퍼(S)는, 반송암(20)이 반송 가능한 웨이퍼 형상으로 형성되고, 위치 검출을 위한 목표물과의 사이의 정전 용량을 검출하여 목표물과의 상대적인 위치를 검출하는 정전 용량 센서(50)를 갖고 있다. 정전 용량 센서(50)는 목표물과의 사이에서 정전 용량을 형성하는 검출 전극(52)을 갖고, 검출 전극(52)은 웨이퍼 형상의 본체의 이면측에 설치되어 있다. 본체에는, 표면측에서 보면 검출 전극(52)을 덮고, 표면측으로부터 검출 전극(52)으로 향하는 전계를 차단하는 가드 전극(100)이 형성되어 있다.