포커스 링을 검사하기 위한 시스템 및 포커스 링을 검사하는 방법
    1.
    发明公开
    포커스 링을 검사하기 위한 시스템 및 포커스 링을 검사하는 방법 审中-实审
    检查聚焦环系统和检查聚焦环的方法

    公开(公告)号:KR1020160146576A

    公开(公告)日:2016-12-21

    申请号:KR1020160072584

    申请日:2016-06-10

    Abstract: 포커스링을검사하기위한시스템을제공한다. 일실시형태의시스템은측정기, 반송장치및 연산장치를구비한다. 측정기는베이스기판, 센서칩 및회로기판을가지고있다. 센서칩은센서전극을가지고, 베이스기판의엣지를따라마련되어있다. 회로기판은, 센서전극에고주파신호를부여하고, 센서전극에서의전압진폭으로부터정전용량을나타내는디지털값을취득한다. 반송장치는측정기를주사한다. 연산장치는, 포커스링의내연에교차하는방향을따른복수의위치에서측정기에의해취득된복수의디지털값에대한차분연산에의해복수의차분값을구한다.

    Abstract translation: 提供了一种检查对焦环的系统。 该系统包括测量装置,传送装置和操作单元。 测量装置包括基底,传感器芯片和电路板。 传感器芯片具有传感器电极并且沿着基底基板的边缘设置。 电路板被配置为向传感器电极输出高频信号,并且基于传感器电极中的电压振幅获取表示静电电容的数字值。 传送装置被配置为扫描测量装置。 操作单元被配置为通过对与测量装置在与聚焦环的内周相交的方向的多个位置处获取的数字值执行差分运算来获得差值。

    위치 검출용 지그
    2.
    发明公开
    위치 검출용 지그 有权
    用于检测位置的JIG

    公开(公告)号:KR1020090013690A

    公开(公告)日:2009-02-05

    申请号:KR1020080073185

    申请日:2008-07-25

    CPC classification number: G01B7/003 H01L21/67259 H01L21/67742 H01L21/68707

    Abstract: A position detection jig is provided to perform the position control of the carrier place of the transfer arm. The position detection wafer(S) has the electrostatic capacity detector and sensor(50) for detecting the electrostatic capacity between the target object of the position control. The electrostatic capacity detection sensor have a plurality of electrostatic capacity detection electrodes(52) and a control circuit. The electrostatic capacity is formed between a plurality of electrostatic capacity detection electrodes and the target object. The control circuit communicates with the electrostatic capacity detection electrode and controls the detection of the electrostatic capacity by the electrostatic capacity detection electrode. The electrostatic capacity detection electrode is installed at the backside of the wafer for the position detection. The control circuit is installed at the front surface side of the wafer for the position detection.

    Abstract translation: 提供位置检测夹具来执行传送臂的载体位置的位置控制。 位置检测晶片(S)具有用于检测位置控制的目标物体之间的静电电容的静电电容检测器和传感器(50)。 静电电容检测传感器具有多个静电电容检测电极(52)和控制电路。 在多个静电电容检测电极和目标物体之间形成静电电容。 控制电路与静电电容检测电极通信,并通过静电电容检测电极控制静电电容的检测。 静电电容检测电极安装在用于位置检测的晶片的背面。 控制电路安装在用于位置检测的晶片的前表面侧。

    막 형성방법 및 막 형성장치
    3.
    发明公开
    막 형성방법 및 막 형성장치 有权
    成膜方法和成膜装置

    公开(公告)号:KR1020000071551A

    公开(公告)日:2000-11-25

    申请号:KR1020000017502

    申请日:2000-04-04

    CPC classification number: G03D5/00

    Abstract: 본발명은막 형성방법및 막형성장치에관한것으로, 웨이퍼를회전시키면서웨이퍼에대하여레지스트액을토출하는레지스트액토출노즐을웨이퍼의지름방향을따라등속이동시키고, 이동하는동안에레지스트액토출노즐로부터토출되는레지스트액의양을점차로감속시키면, 웨이퍼에토출된레지스트액은나선상의궤적을그리면서웨이퍼표면에도포되고, 또한웨이퍼주변부와중앙부에대한단위면적당레지스트액의도포량을등량으로하는것이가능하기때문에, 기판상에공급되는처리액의낭비를없애고, 균일한처리액의막을기판상에형성시킬수 있는기술이제시된다.

    정전 용량 측정용의 센서 칩 및 센서 칩을 구비한 측정기
    4.
    发明公开
    정전 용량 측정용의 센서 칩 및 센서 칩을 구비한 측정기 审中-实审
    用于静电电容测量的传感器芯片和具有该传感器的测量装置

    公开(公告)号:KR1020160146574A

    公开(公告)日:2016-12-21

    申请号:KR1020160072572

    申请日:2016-06-10

    Abstract: 특정방향에높은지향성을가지고정전용량의측정을행하는것을가능하게한다. 일실시형태의정전용량측정용의센서칩은제 1 전극, 제 2 전극및 제 3 전극을가지고있다. 제 1 전극은제 1 부분을가지고있다. 제 2 전극은제 1 전극의제 1 부분상에서연장되는제 2 부분을가지고, 센서칩 내에서제 1 전극으로부터절연되어있다. 제 3 전극은제 1 전극의제 1 부분및 제 2 전극의제 2 부분에교차하는방향으로연장되는전면을가지고, 제 1 부분상, 또한제 2 부분상에마련되어있고, 상기센서칩 내에서제 1 전극및 제 2 전극으로부터절연되어있다.

    Abstract translation: 可以在特定方向上以高方向性测量静电电容。 测量静电电容的传感器芯片包括第一电极,第二电极和第三电极。 第一电极具有第一部分。 第二电极具有在第一电极的第一部分上延伸的第二部分,并且与传感器芯片内的第一电极绝缘。 第三电极具有在与第一电极的第一部分和第二电极的第二部分相交的方向上延伸的前表面,并且设置在第一部分和第二部分上。 第三电极与传感器芯片内的第一电极和第二电极绝缘。

    위치 검출용 지그
    5.
    发明授权
    위치 검출용 지그 有权
    用于检测位置的JIG

    公开(公告)号:KR101012076B1

    公开(公告)日:2011-02-07

    申请号:KR1020080073185

    申请日:2008-07-25

    CPC classification number: G01B7/003 H01L21/67259

    Abstract: 좁은 반송로를 갖는 장치에 대해서도 반입이 가능한 위치 검출용 웨이퍼를 이용하여 반송 암의 반송처의 위치 조정을 실시한다. 위치 검출용 웨이퍼(S)는, 위치 조정의 목표물과의 사이의 정전 용량을 검출하는 정전 용량 검출 센서(50)를 갖는다. 정전 용량 검출 센서(50)는, 목표물과의 사이에서 정전 용량을 형성하는 복수의 정전 용량 검출 전극(52)과 정전 용량 검출 전극(52)과 통신하여, 정전 용량 검출 전극(52)에 의한 정전 용량의 검출을 제어하는 제어 회로(51)를 갖는다. 정전 용량 검출 전극(52)은, 위치 검출용 웨이퍼(S)의 이면측에 설치되고, 제어 회로(51)는 표면측에 설치되어 있다.

    막형성방법 및 막형성장치
    6.
    发明公开
    막형성방법 및 막형성장치 无效
    成膜方法和成膜装置

    公开(公告)号:KR1020010098805A

    公开(公告)日:2001-11-08

    申请号:KR1020010021820

    申请日:2001-04-23

    Abstract: 본 발명은 막형성방법 및 막형성장치에 관한 것으로, 기판상에 도포액의 막을 형성하는 막형성방법에서, 기판상의 중심에 공급된 도포액을, 기판을 회전시키는 것에 의해서 확산시키는 공정과, 기판을 회전시킨 상태에서, 기판상에 확산된 상기 도포액에 대해서 도포액의 용제증기를 공급하여, 기판상에 형성되는 도포액의 막을 박막화하는 공정을 가진다.
    따라서, 도포액이 기판상에 확산되어 형성된 도포액의 막을 저점도로 유지하여 더 한층 박막화할 수 있다. 도포액의 필요량을 억제할 수도 있다. 또 도포막상에 용제증기를 공급하기 때문에, 그 용제증기의 공급량 및 공급위치를 제어하는 것에 의해, 도포액의 막의 균일성을 꾀하거나, 도포액의 막두께를 제어할 수도 있다.

    위치 검출용 지그
    7.
    发明授权
    위치 검출용 지그 有权
    位置检测夹具

    公开(公告)号:KR101015192B1

    公开(公告)日:2011-02-17

    申请号:KR1020080098552

    申请日:2008-10-08

    CPC classification number: H01L21/67259 H01L21/68

    Abstract: 정전 용량 센서를 갖는 위치 검출용 웨이퍼를 이용하여, 더욱 정확하고 안정되게 반송암의 반송처의 위치를 검출한다. 위치 검출용 웨이퍼(S)는, 반송암(20)이 반송 가능한 웨이퍼 형상으로 형성되고, 위치 검출을 위한 목표물과의 사이의 정전 용량을 검출하여 목표물과의 상대적인 위치를 검출하는 정전 용량 센서(50)를 갖고 있다. 정전 용량 센서(50)는 목표물과의 사이에서 정전 용량을 형성하는 검출 전극(52)을 갖고, 검출 전극(52)은 웨이퍼 형상의 본체의 이면측에 설치되어 있다. 본체에는, 표면측에서 보면 검출 전극(52)을 덮고, 표면측으로부터 검출 전극(52)으로 향하는 전계를 차단하는 가드 전극(100)이 형성되어 있다.

    Abstract translation: 通过使用具有静电电容传感器的位置检测用晶片,能够更正确且稳定地检测传送臂的传送目的地的位置。 晶片位置检测(S),输送臂20被输送中的可能的晶片形状形成,其检测所述目标之间和用于位置检测的静电电容的静电电容传感器检测到所述目标的(相对位置50 )拥有。 电容式传感器50具有检测电极52,以形成本身和所述目标之间的电容,检测电极52被安装在晶片状主体的背面侧。 身体,从覆盖检测电极52的前表面侧,保护电极100以阻止朝向从表面侧的检测电极52的电场而形成。

    위치 검출용 지그
    8.
    发明公开
    위치 검출용 지그 有权
    用于检测位置的JIG

    公开(公告)号:KR1020090046683A

    公开(公告)日:2009-05-11

    申请号:KR1020080098552

    申请日:2008-10-08

    CPC classification number: H01L21/67259 H01L21/68

    Abstract: 정전 용량 센서를 갖는 위치 검출용 웨이퍼를 이용하여, 더욱 정확하고 안정되게 반송암의 반송처의 위치를 검출한다. 위치 검출용 웨이퍼(S)는, 반송암(20)이 반송 가능한 웨이퍼 형상으로 형성되고, 위치 검출을 위한 목표물과의 사이의 정전 용량을 검출하여 목표물과의 상대적인 위치를 검출하는 정전 용량 센서(50)를 갖고 있다. 정전 용량 센서(50)는 목표물과의 사이에서 정전 용량을 형성하는 검출 전극(52)을 갖고, 검출 전극(52)은 웨이퍼 형상의 본체의 이면측에 설치되어 있다. 본체에는, 표면측에서 보면 검출 전극(52)을 덮고, 표면측으로부터 검출 전극(52)으로 향하는 전계를 차단하는 가드 전극(100)이 형성되어 있다.

    막 형성방법 및 막 형성장치
    9.
    发明授权
    막 형성방법 및 막 형성장치 有权
    成膜方法和成膜装置

    公开(公告)号:KR100585448B1

    公开(公告)日:2006-06-02

    申请号:KR1020000017502

    申请日:2000-04-04

    CPC classification number: G03D5/00

    Abstract: 본 발명은 막 형성방법 및 막 형성장치에 관한 것으로, 웨이퍼를 회전시키면서 웨이퍼에 대하여 레지스트액을 토출하는 레지스트액 토출노즐을 웨이퍼의 지름방향을 따라 등속이동시키고, 이동하는 동안에 레지스트액 토출노즐로부터 토출되는 레지스트액의 양을 점차로 감속시키면, 웨이퍼에 토출된 레지스트액은 나선상의 궤적을 그리면서 웨이퍼 표면에 도포되고, 또한 웨이퍼 주변부와 중앙부에 대한 단위면적당 레지스트액의 도포량을 등량으로 하는 것이 가능하기 때문에, 기판상에 공급되는 처리액의 낭비를 없애고, 균일한 처리액의 막을 기판 상에 형성시킬 수 있는 기술이 제시된다.

    Abstract translation: 用于形成膜和膜和用于排出沿晶片的径向方向上的抗蚀剂溶液,恒定速度移动到形成装置在晶片的是,在旋转的同时在晶片,抗蚀剂液排出喷嘴,在从抗蚀剂溶液排出喷嘴输送的运动,本发明方法 减速抗蚀剂溶液的量时,渐渐地,将抗蚀剂溶液被排放到晶片画出螺旋的轨迹被施加到晶片表面,并且由于它是可能的每单位面积的施用量的抗蚀剂溶液与等量的晶片周边部分和中心部分 公开了一种技术,其中消除了供给到基板上的处理液的浪费并且可以在基板上形成均匀处理液的膜。

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