公开(公告)号：KR101892960B1

公开(公告)日：2018-08-29

申请号：KR1020110134592

申请日：2011-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠우라신

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31138 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/32935

Abstract: (과제) 상부전극의전극판의소모에수반하는에칭레이트의변동을억제할수 있는플라즈마처리장치및 플라즈마처리방법을제공하는것이다. (해결수단) 피(被)처리기판(W)이수용되는처리용기(10)와, 처리용기(10) 내에배치된하부전극(16)과, 처리가스를샤워형상으로상기처리용기내로토출하는, 착탈가능한전극판(36)을갖는상부전극(34)과, 상부전극(34)에처리가스를공급하는가스공급배관(54)을포함하는가스공급유닛(48)과, 하부전극(16)에플라즈마생성용의고주파전력을인가하는제1 고주파전원(88)과, 가스공급배관(54) 내의압력을검출하는압력계(58a, 58b)와, 압력계(58a, 58b)의검출값에기초하여전극판(36)의소모도를구하고, 그때의전극판(36)의소모에의한처리레이트의변동을산출하여, 이처리레이트의변동을해소하도록처리조건을조정하는제어부(100)를구비하는플라즈마처리장치.

公开(公告)号：KR1020170088760A

公开(公告)日：2017-08-02

申请号：KR1020170008469

申请日：2017-01-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠우라신

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32715 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32807 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32871 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6719

Abstract: 본발명은프로세스의스루풋을향상시키는것을과제로한다. 기판처리장치(10)는, 챔버(1)와, 배치대(2)와, 대좌(100)와, 배기구(83)와, 디포지션트랩파트(20)를구비한다. 배치대(2)는, 챔버(1) 내에마련되며, 반도체웨이퍼(W)를배치한다. 대좌(100)는, 배치대(2)를하방으로부터지지한다. 배기구(83)는, 대좌(100)의하방에배치되어있다. 디포지션트랩파트(20)는, 대좌(100)의하면에마련되어있으며, 챔버(1) 내의디포지션을수집한다.

Abstract translation: 本发明克服了提高过程吞吐量的问题。 基板处理装置10具有腔室1，载置台2，台座100，排气口83以及沉积捕集部20。 载置台2设置在腔室1内，配置半导体晶片W. 底座100从下方支撑放置台2。 排气口83配置在台座100的下方。 沉积捕集部件（20）设置在基座（100）的底部并收集腔室（1）中的沉积物。

公开(公告)号：KR1020160007409A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：KR1020150097592

申请日：2015-07-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠우라신 ,  정준영

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32532 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32568

Abstract: 본발명은상부전극의리프팅힘의미세한조정을행하는것을목적으로한다. 플라즈마처리장치는지지부재와, 연락부재와, 슬라이딩부재를구비한다. 지지부재는일부가쿨링플레이트내에배치되고, 상부전극을중력방향으로지지한다. 연락부재는일부가쿨링플레이트내에배치되어쿨링플레이트의직경방향으로연장되고, 지지부재와계합한다. 슬라이딩부재는연락부재를쿨링플레이트의직경방향내측으로슬라이딩시킴으로써, 지지부재를윗방향으로밀어올려, 상부전극을쿨링플레이트로리프팅한다.

Abstract translation: 本发明旨在精细地调节上电极的提升力。 等离子体处理装置包括支撑构件，连接构件和滑动构件。 一些支撑构件布置在冷却板中并且构造成在重力方向上支撑上电极。 一些连接构件布置在冷却板中并沿着冷却板的直径方向延伸以与支撑构件接合。 滑动构件被构造成使连接构件在冷却板的直径方向上向内滑动，从而向上推动支撑构件并将上部电极提升到冷却板。

公开(公告)号：KR1020160007394A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：KR1020150096952

申请日：2015-07-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠우라신 ,  정준영 ,  감바라게이타

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32568 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109

Abstract: (과제) 상부전극의리프팅하는힘을유연하게조정하는것. (해결수단) 플라즈마처리장치는, 지지부재와, 연락부재와, 회전부재와, 고정부재를구비한다. 지지부재는, 일부가쿨링플레이트내에배치되고, 쿨링플레이트의아래쪽에배치되는상부전극을지지한다. 연락부재는, 일부가쿨링플레이트내에배치되고, 쿨링플레이트의지름방향으로연장되어, 지지부재에걸어맞춰진다. 회전부재는, 쿨링플레이트의외주를따라서배치되고, 쿨링플레이트측에형성된오목부가연락부재와걸어맞춰진다. 고정부재는, 회전부재의오목부내에서연락부재에맞닿고, 연락부재에토크를주는것에의해상부전극을쿨링플레이트에리프팅하여고정한다. 고정부재는토크관리가가능하다.

Abstract translation: 本发明是为了灵活地调整上升电极的力。 一种等离子体处理装置，包括：支撑构件; 联系人; 旋转构件; 和固定构件。 支撑构件部分地设置在冷却板中，并且支撑设置在冷却板下方的上电极。 接触构件部分地设置在冷却板中，沿着冷却板的直径方向延伸，并且被紧固到支撑构件。 旋转构件沿着冷却板的外周配置，并且形成在冷却板侧的凹部被紧固到接触构件。 固定构件与旋转构件的凹部中的接触构件接触，并且向接触构件施加扭矩以将上部电极提升并固定到冷却板。 固定构件可以控制扭矩。

公开(公告)号：KR1020120067301A

公开(公告)日：2012-06-25

申请号：KR1020110134592

申请日：2011-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠우라신

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31138 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/32935

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus, a plasma processing method, and a storage media are provided to control the change of processing rate due to the consumption of an electrode plate of a top electrode. CONSTITUTION: A treatment chamber(10) accepts a processed substrate. A bottom electrode(16) is arranged within the treatment chamber. A top electrode(34) is arranged within the treatment chamber to be faced with the bottom electrode. The top electrode comprises an electrode plate which can be detached. A gas supply unit(48) comprises a gas pipe line supplying process gas to the top electrode. Manometers(58a, 58b) detect pressure within the gas pipe line. A first high frequency power source applies first high frequency power for plasma production to the bottom electrode.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，等离子体处理方法和存储介质，以控制由于顶部电极的电极板的消耗而导致的处理速率的变化。 构成：处理室（10）接受经处理的基板。 底部电极（16）设置在处理室内。 顶部电极（34）布置在处理室内以面对底部电极。 顶部电极包括可以分离的电极板。 气体供给单元（48）包括向顶部电极供给处理气体的气体管线。 压力计（58a，58b）检测气体管道内的压力。 第一高频电源将等离子体生产的第一高频功率应用于底部电极。