성막 장치
    1.
    发明授权
    성막 장치 有权
    成膜装置

    公开(公告)号:KR101361955B1

    公开(公告)日:2014-02-13

    申请号:KR1020127009381

    申请日:2010-08-30

    Abstract: 기밀한 처리 용기(10)내에 반응 가스를 반응시켜 기판 S에 박막을 성막하는 성막 장치(1a)에 있어서, 간막이벽(41)은 기판(S)의 위쪽 공간을 플라즈마 생성 공간(401)과 배기 공간(402)으로 횡방향으로 분할하는 동시에, 처리 용기(10)의 천정부에서 아래쪽으로 신장하여 그 하단과 기판 S의 사이에, 플라즈마 생성 공간(401)으로부터 배기 공간(402)에 가스를 흘리는 간극을 형성한다. 활성화 기구(42, 43)는 플라즈마 생성 공간(401)에 공급된 제 1 반응 가스를 활성화하여 플라즈마를 생성한다. 제 2 반응 가스 공급부(411, 412)는 플라즈마 생성 공간(401)의 하부측에 제 1 반응 가스의 활성종과 반응하여 기판상에 박막을 성막하는 제 2 반응 가스를 공급하고, 진공 배기구(23)는 간막이벽(41)의 하단보다 높은 위치에서 배기 공간(402)을 배기한다.

    Abstract translation: 用于通过在密封处理容器10中反应气体反应而在基板S上沉积薄膜的分隔装置1a的特征在于,分隔壁41将基板S上方的空间划分为等离子体产生空间401, 该气体在横向方向上被分成空间402并从处理容器10的顶部向下延伸并处于处理容器10的下端与基板S之间, 形式。 激活机构42和43激活供应到等离子体产生空间401的第一反应气体以产生等离子体。 第二反应气体供应单元411和412在等离子体生成空间401的下侧与第一反应气体的活性物质反应,以在基板上供应用于形成薄膜的第二反应气体, 在比分隔壁41的下端高的位置处排出排气空间402。

Patent Agency Ranking