公开(公告)号：KR1020100086947A

公开(公告)日：2010-08-02

申请号：KR1020100005232

申请日：2010-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후쿠시마코헤이 ,  다카하시토시키 ,  마츠우라히로유키 ,  모토야마유타카 ,  야마모토카즈야

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/452 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244

Abstract: PURPOSE: A plasma processing device is provided to reduce particles by preventing the inner side of a cover from being etched due to the sputter of ions. CONSTITUTION: A gas activating device(60) converts a process gas into plasma and includes a vertical plasma generating box(64), an ICP(Inductively Coupled Plasma) electrode(66), and a frequency power source connected to the electrode. The plasma generation box is attached to the process container to correspond to the process region and shuts down the plasma generation region connected to the processing region. The ICP electrode is arranged outside the plasma generation box along the length direction of the plasma generation box and includes a space separated from the wall of the plasma generation box.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置以通过防止由于离子溅射而使盖的内侧被蚀刻而减少颗粒。 构成：气体激活装置（60）将处理气体转换成等离子体，并且包括垂直等离子体产生箱（64），ICP（感应耦合等离子体）电极（66）和连接到电极的频率电源。 将等离子体生成盒连接到处理容器以对应于处理区域并且关闭连接到处理区域的等离子体产生区域。 ICP电极沿着等离子体生成箱的长度方向配置在等离子体发生箱的外侧，具有与等离子体发生箱壁隔开的空间。

公开(公告)号：KR101274616B1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：KR1020100005232

申请日：2010-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후쿠시마코헤이 ,  다카하시토시키 ,  마츠우라히로유키 ,  모토야마유타카 ,  야마모토카즈야

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/452 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244

Abstract: 복수매의 피(被)처리체에 대하여 함께 플라즈마 처리를 행하는 종형 플라즈마 처리 장치는, 처리 가스를 플라즈마화하는 활성화 기구를 구비한다. 활성화 기구는, 처리 영역에 대응하여 처리 용기에 부착되고 그리고 처리 영역으로 기밀하게 연이어 통하는 플라즈마 생성 영역을 가두는 세로로 긴 플라즈마 생성 박스와, 플라즈마 생성 박스의 외측에서 플라즈마 생성 박스의 길이 방향을 따라서 배치된 ICP 전극과, 전극에 접속된 고주파 전원을 구비한다. ICP 전극은, 플라즈마 생성 박스의 벽면으로부터 소정 거리만큼 떨어지는 이간(離間) 부분을 구비한다.