公开(公告)号：KR101498496B1

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：KR1020110139317

申请日：2011-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케우치토시유키 ,  초우파오화 ,  야마모토카즈야 ,  세라켄타로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: (과제) 저온하에서, 면간 방향에서의 막두께 균일성이 양호한 박막을 형성할 수 있는 박막 형성 방법, 박막 형성 장치 및 프로그램을 제공한다.
(해결 수단) 제어부(100)는, 승온용 히터(16)를 제어하여 반응관(2) 내를 로드 온도로 가열한 후에 반응관(2) 내에 반도체 웨이퍼(W)를 수용한다. 다음으로, 제어부(100)는, 승온용 히터(16)를 제어하여 반도체 웨이퍼(W)를 수용한 반응관(2) 내를 성막 온도로 가열한 후, 처리 가스 도입관(17)으로부터 반응관(2) 내에 성막용 가스를 공급하여 반도체 웨이퍼(W)에 박막을 형성한다. 또한, 제어부(100)는, 로드 온도를 성막 온도보다도 높은 온도로 설정한다.

公开(公告)号：KR101274616B1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：KR1020100005232

申请日：2010-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후쿠시마코헤이 ,  다카하시토시키 ,  마츠우라히로유키 ,  모토야마유타카 ,  야마모토카즈야

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/452 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244

Abstract: 복수매의 피(被)처리체에 대하여 함께 플라즈마 처리를 행하는 종형 플라즈마 처리 장치는, 처리 가스를 플라즈마화하는 활성화 기구를 구비한다. 활성화 기구는, 처리 영역에 대응하여 처리 용기에 부착되고 그리고 처리 영역으로 기밀하게 연이어 통하는 플라즈마 생성 영역을 가두는 세로로 긴 플라즈마 생성 박스와, 플라즈마 생성 박스의 외측에서 플라즈마 생성 박스의 길이 방향을 따라서 배치된 ICP 전극과, 전극에 접속된 고주파 전원을 구비한다. ICP 전극은, 플라즈마 생성 박스의 벽면으로부터 소정 거리만큼 떨어지는 이간(離間) 부분을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020120075379A

公开(公告)日：2012-07-06

申请号：KR1020110139317

申请日：2011-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케우치토시유키 ,  초우파오화 ,  야마모토카즈야 ,  세라켄타로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: PURPOSE: A thin film forming method, a thin film forming apparatus, and a recording medium are provided are provided to improve film thickness uniformity at the in-plane direction by establishing load temperature higher than thin film forming temperature of an adsorption step. CONSTITUTION: A reaction pipe(2) forms a reaction chamber. A heating means heats the inside the reaction chamber as predetermined temperature. A gas supply means for thin film formation supplies gas for thin film formation to the inside the reaction chamber. An exhaust pipe(4) exhausts gas within the reaction pipe. A cover body(6) is formed which can be moved upward and downward. A heat reserving cover(7) is installed at the upper side of the cover body. A spinning table(10) is installed in the upper side of the heat reserving cover. A spinning pillar(12) is installed at the lower side of the spinning table.

Abstract translation: 目的：提供薄膜形成方法，薄膜形成装置和记录介质，以通过建立高于吸附步骤的薄膜形成温度的载荷温度来提高在面内方向上的膜厚均匀性。 构成：反应管（2）形成反应室。 加热装置以预定温度加热反应室内部。 用于薄膜形成的气体供应装置为反应室内部的薄膜形成提供气体。 排气管（4）排出反应管内的气体。 形成能够向上下移动的盖体（6）。 保温盖（7）安装在盖体的上侧。 纺纱台（10）安装在储热罩的上侧。 旋转支柱（12）安装在纺纱台的下侧。

公开(公告)号：KR1020120024384A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：KR1020110074510

申请日：2011-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케우치토시유키 ,  초우파오화 ,  야마모토카즈야 ,  세라켄타로

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219

Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus and method are provided to control the thickness of a metal oxide layer existing in interface between a metal film and a thin film by controlling hold time of source gas and changing deposition rate. CONSTITUTION: A treatment basin(22) accepts a semiconductor wafer(W). The treatment basin is composed of a dual industrial structure consisting of an inner tube(24) and an outer tube(26). A heating part consisting of a heater is formed on the side of the treatment basin. A raw material gas supply system(54) having a first opening and closing valve supplies raw material gas within the treatment basin. A reactive gas supply system(56) having a second opening and closing valve supplies reaction gas within the treatment basin. A vacuum exhaust system having a third opening and closing valve makes the treatment basin vacuous.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置和方法，通过控制源气体的保持时间和改变沉积速率来控制存在于金属膜和薄膜之间的界面中的金属氧化物层的厚度。 构成：处理盆（22）接受半导体晶片（W）。 处理盆由由内管（24）和外管（26）组成的双工业结构构成。 在处理盆的一侧形成由加热器构成的加热部。 具有第一开闭阀的原料气体供给系统（54）在处理池内供给原料气体。 具有第二打开和关闭阀的反应气体供应系统（56）在处理池内提供反应气体。 具有第三打开和关闭阀的真空排气系统使处理池真空。

公开(公告)号：KR101434345B1

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：KR1020110074510

申请日：2011-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케우치토시유키 ,  초우파오화 ,  야마모토카즈야 ,  세라켄타로

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219

Abstract: 피(被)처리체를 수용할 수 있는 처리 용기와, 제1 개폐 밸브를 가져 상기 처리 용기 내에 원료 가스를 공급할 수 있는 원료 가스 공급계와, 제2 개폐 밸브를 가져 상기 처리 용기 내에 반응 가스를 공급할 수 있는 반응 가스 공급계와, 제3 개폐 밸브를 가져 상기 처리 용기 내의 분위기를 진공으로 배기할 수 있는 진공 배기계를 구비한 성막 장치를 이용하여, 표면에 금속 함유막이 형성된 상기 피처리체에 산화 실리콘막으로 이루어지는 박막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 상기 진공 배기계의 상기 제3 개폐 밸브를 닫고, 상기 원료 가스 공급계의 상기 제1 개폐 밸브를 소정의 기간 열어 상기 원료 가스를 공급한 후에 닫고, 상기 제1 개폐 밸브를 소정의 기간 닫은 채 상기 원료 가스를 상기 피처리체의 표면에 흡착시키는 흡착 공정과, 상기 반응 가스 공� ��계의 상기 제2 개폐 밸브를 열어 상기 반응 가스를 상기 처리 용기 내에 공급하여 상기 반응 가스를 상기 원료 가스와 반응시켜 박막을 형성하는 반응 공정이, 사이에 간헐 기간을 두고 교대로 복수회 반복된다.

公开(公告)号：KR101434342B1

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：KR1020110058469

申请日：2011-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미히로키 ,  하세베카즈히데 ,  야마모토카즈야 ,  다카하시토시히코 ,  스즈키다이스케

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/45523

Abstract: (과제) 피(被)처리체의 표면에 고밀도로, 또한 높은 응력의 실리콘 산화막을 형성하는 것이 가능한 성막 방법을 제공한다.
(해결 수단) 처리 용기(14) 내에서 피처리체(W)의 표면에 실리콘 산화막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 처리 용기 내에 실란계 가스로 이루어지는 시드 가스를 공급하여 피처리체의 표면에 상기 시드 가스를 흡착시키는 흡착 공정과, 처리 용기 내에 원료 가스인 실리콘 함유 가스와, 불순물을 포함하는 첨가 가스를 공급하여 불순물이 첨가된 실리콘막을 형성하는 막 형성 공정과, 실리콘막을 산화시켜 실리콘 산화막으로 변환하는 산화 공정을 갖도록 한다. 이에 따라, 피처리체의 표면에 고밀도이고, 또한 높은 응력의 실리콘 산화막을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020110139107A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：KR1020110058469

申请日：2011-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미히로키 ,  하세베카즈히데 ,  야마모토카즈야 ,  다카하시토시히코 ,  스즈키다이스케

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/45523

Abstract: PURPOSE: A film formation method and a film formation apparatus are provided to suppress deformation of an unevenness pattern which is formed on the surface of a target by forming a silicon oxide film in the surface of the target. CONSTITUTION: In a film formation method and a film formation apparatus, an exhaust pipe opened to the ceiling of the treatment basin is installed. . A plurality of exhaust-nozzles(18) bent in traverse direction are installed. An exhaust system(24) processes the atmosphere inside the treat basin. The bottom of the treatment basin is supported by a manifold of a cylinder shape. A seal member(30) is arranged between the lower end of the treatment basin and the upper end of the manifold.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜方法和成膜装置，以通过在靶的表面形成氧化硅膜来抑制形成在靶表面上的凹凸图案的变形。 构成：在成膜方法和成膜装置中，安装有向处理盆的天花板开口的排气管。 。 安装沿横动方向弯曲的多个排气喷嘴（18）。 排气系统（24）处理处理池内的气氛。 处理盆的底部由圆柱形的歧管支撑。 密封构件（30）设置在处理盆的下端和歧管的上端之间。

公开(公告)号：KR1020100086947A

公开(公告)日：2010-08-02

申请号：KR1020100005232

申请日：2010-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후쿠시마코헤이 ,  다카하시토시키 ,  마츠우라히로유키 ,  모토야마유타카 ,  야마모토카즈야

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/452 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244

Abstract: PURPOSE: A plasma processing device is provided to reduce particles by preventing the inner side of a cover from being etched due to the sputter of ions. CONSTITUTION: A gas activating device(60) converts a process gas into plasma and includes a vertical plasma generating box(64), an ICP(Inductively Coupled Plasma) electrode(66), and a frequency power source connected to the electrode. The plasma generation box is attached to the process container to correspond to the process region and shuts down the plasma generation region connected to the processing region. The ICP electrode is arranged outside the plasma generation box along the length direction of the plasma generation box and includes a space separated from the wall of the plasma generation box.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置以通过防止由于离子溅射而使盖的内侧被蚀刻而减少颗粒。 构成：气体激活装置（60）将处理气体转换成等离子体，并且包括垂直等离子体产生箱（64），ICP（感应耦合等离子体）电极（66）和连接到电极的频率电源。 将等离子体生成盒连接到处理容器以对应于处理区域并且关闭连接到处理区域的等离子体产生区域。 ICP电极沿着等离子体生成箱的长度方向配置在等离子体发生箱的外侧，具有与等离子体发生箱壁隔开的空间。