公开(公告)号：KR1020120109389A

公开(公告)日：2012-10-08

申请号：KR1020120029913

申请日：2012-03-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미타카히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32862 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32587 ,  H01J37/3288 ,  H01J2237/022

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and method are provided to maintain the high electron density of plasma by applying direct current voltage to the plasma. CONSTITUTION: A surface of a susceptor(3) is exposed to a plasma process area. A reaction product(A) generated by etching processing is attached to the peripheral area of a mounting area of a wafer in a susceptor including an inner wall of a vacuum container(1) and a ring member. Cleaning gas is provided to the inside of the vacuum container from a cleaning gas source while the mounting area of the wafer is exposed and a dummy wafer is not mounted on the susceptor. Ar(Argon) gas is provided to the inside of the vacuum container from an Ar gas source. A variable direct current power supply(47) applies a direct current voltage to an upper electrode(4). [Reference numerals] (1) Vacuum container; (3) Susceptor; (4) Gas shower head(upper electrode); (47) Variable DC power; (A) Reaction plasma(polymer); (AA) Cleaning gas; (P) Plasma

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和方法，通过向等离子体施加直流电压来维持等离子体的高电子密度。 构成：感受器（3）的表面暴露于等离子体处理区域。 通过蚀刻处理产生的反应产物（A）附着到包括真空容器（1）和环件的内壁的基座中的晶片的安装区域的周边区域。 清洁气体从清洁气体源被提供到真空容器的内部，同时晶片的安装区域被暴露并且虚设晶片没有安装在基座上。 Ar（氩）气体从Ar气体源提供给真空容器的内部。 可变直流电源（47）将直流电压施加到上电极（4）。 （附图标记）（1）真空容器; （3）受害者; （4）燃气喷头（上电极）; （47）可变直流电源; （A）反应等离子体（聚合物）; （AA）清洁气体; （P）等离子体

公开(公告)号：KR101720670B1

公开(公告)日：2017-03-28

申请号：KR1020100111473

申请日：2010-11-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  무라카미타카히로 ,  미무라타카노리 ,  하나오카히데토시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: B08B7/0035 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32862

Abstract: 하부전극의셀프바이어스전압을상승시키지않고, 기판재치대의부착물의제거율을상승시킨다. 처리실(102) 내를소정의처리조건에기초하여클리닝할때 O가스와불활성가스로이루어진처리가스를하부전극(111)의셀프바이어스전압에따라그 절대값이작을수록 O가스의유량비가감소하고 Ar 가스의유량비가증대되도록설정한유량비로처리실내에공급하고, 하부전극(111)과상부전극(120)의전극간에고주파전력을인가하여플라즈마를발생시킨다.

Abstract translation: 在不提高下电极的自偏置电压的情况下，增加基板安装台上沉积物的去除速率。 处理室102时的在沿着所述O气体和包括工艺气体至该底电极111的自偏压的惰性气体的规定的处理条件的基础上进行清洁时，绝对值较小的减少O气体比率和Ar的流量 等离子体是通过在下电极111和上电极120的电极之间以设定的流量比率施加高频功率而产生的，以增加气体的流量。

公开(公告)号：KR1020110055402A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020100111473

申请日：2010-11-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  무라카미타카히로 ,  미무라타카노리 ,  하나오카히데토시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: B08B7/0035 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32862

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, cleaning method thereof, and recording medium with a program are provided to increase the rate of eliminating attached objects of a substrate mounting stand. CONSTITUTION: A processing chamber(102) comprises a cylindrical processing container. A wafer is mounted on a substrate mounting stand in the processing chamber. A lower electrode(111) has a disc shape. The lower electrode is placed on the mounting stand. An electrostatic chuck(112) is installed on the lower electrode. An electric heat gas supply line(118) is installed in the lower electrode and the electrostatic chuck.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置及其清洁方法和具有程序的记录介质，以增加消除基板安装台的附着物体的速度。 构成：处理室（102）包括圆柱形处理容器。 将晶片安装在处理室中的基板安装台上。 下电极（111）具有盘形状。 下电极放置在安装支架上。 静电吸盘（112）安装在下电极上。 电热气体供给管线（118）安装在下部电极和静电卡盘中。