公开(公告)号：KR1020110055402A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020100111473

申请日：2010-11-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  무라카미타카히로 ,  미무라타카노리 ,  하나오카히데토시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: B08B7/0035 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32862

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, cleaning method thereof, and recording medium with a program are provided to increase the rate of eliminating attached objects of a substrate mounting stand. CONSTITUTION: A processing chamber(102) comprises a cylindrical processing container. A wafer is mounted on a substrate mounting stand in the processing chamber. A lower electrode(111) has a disc shape. The lower electrode is placed on the mounting stand. An electrostatic chuck(112) is installed on the lower electrode. An electric heat gas supply line(118) is installed in the lower electrode and the electrostatic chuck.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置及其清洁方法和具有程序的记录介质，以增加消除基板安装台的附着物体的速度。 构成：处理室（102）包括圆柱形处理容器。 将晶片安装在处理室中的基板安装台上。 下电极（111）具有盘形状。 下电极放置在安装支架上。 静电吸盘（112）安装在下电极上。 电热气体供给管线（118）安装在下部电极和静电卡盘中。

公开(公告)号：KR1020120056782A

公开(公告)日：2012-06-04

申请号：KR1020110122901

申请日：2011-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데즈카카즈유키 ,  카토켄이치 ,  사와치아츠시 ,  기쿠치타카미치 ,  미무라타카노리

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32082

Abstract: PURPOSE: A processing apparatus is provided to easily change a discharge location of a process gas without changing a location of a circular partition member or a processing gas discharge unit. CONSTITUTION: A process chamber(2) processes a wafer(W) by using a process gas. A mounting table(4) mounts the wafer while being installed in the process chamber. The mounting table is connected to a second high frequency power supply(9) by interposing a matching device(8). A processing gas discharge unit(5) is installed within the process chamber facing the mounting table. The processing gas discharge unit discharges the process gas to the process chamber. The processing gas discharge unit is connected to a first high frequency power(7) by interposing a matching device(6).

Abstract translation: 目的：提供一种处理装置，用于容易地改变处理气体的排放位置，而不改变圆形分隔构件或处理气体排出单元的位置。 构成：处理室（2）通过使用工艺气体处理晶片（W）。 安装台（4）在安装在处理室中时安装晶片。 安装台通过插入匹配装置（8）连接到第二高频电源（9）。 处理气体排出单元（5）安装在面向安装台的处理室内。 处理气体放电单元将处理气体排放到处理室。 处理气体放电单元通过插入匹配装置（6）连接到第一高频电力（7）。

公开(公告)号：KR101697285B1

公开(公告)日：2017-01-17

申请号：KR1020100085685

申请日：2010-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  하나오카히데토시 ,  히라노타이치 ,  미무라타카노리 ,  이와타마나부 ,  오카죠타케토시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01J37/32862

Abstract: ESC의외주부에퇴적된 CF 베이스며 Si 및 Al를함유하는숄더퇴적물을효율적으로제거하는챔버내 클리닝방법을제공한다. O가스와 F 함유가스와의혼합가스를 ESC(24)의외주부(24a)를향하여압력 400 ~ 800 mTorr로공급하고, 상기혼합가스로부터생성된플라즈마를 ESC(24)의외주부(24a)에선택적으로조사하고또한, ESC(24)의외주부(24a) 이외의상부표면에마스킹가스로서 O단가스를공급하고, ESC(24)의외주부(24a) 이외의상부표면의 F 래디컬에의한피폭을방지하면서상기외주부(24a)에부착된숄더퇴적물(50)을분해, 제거한다.

Abstract translation: 提供一种能够有效地除去沉积在ESC外周上的含有Si和Al的CF系肩层沉积物的室清洗方法。 在约400mTorr至约800mTorr的压力下，向ESC24的外周边24a供应O 2气体和F气体的混合气体; 从混合气体产生的等离子体照射到ESC24的外周24a上; 作为掩模气体的O 2单体气体除外周边24a供给到ESC24的上表面; 并且附着在外周24a上的肩部沉积物50被分解除去，同时防止除了外周边24a之外的ESC 24的顶面暴露于F基。

公开(公告)号：KR1020110025142A

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：KR1020100085685

申请日：2010-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  하나오카히데토시 ,  히라노타이치 ,  미무라타카노리 ,  이와타마나부 ,  오카죠타케토시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: PURPOSE: A chamber cleaning method is provided to efficiently remove deposits attached to the outer surface of an electrostatic chuck by selectively radiating plasma generated from mixed gas to the outer surface of the electrostatic chuck. CONSTITUTION: Mixed gas of O2 gas and F containing gas is supplied to an outer surface(24a) of an ESC(24) with 400 to 800 mTorr. Plasma generated from the mixed gas is selectively radiated to the outer surface of the ESC. O2 gas is supplied to the upper surface except for the outer surface of the ESC as masking gas. A shoulder deposit(50) is decomposed and removed from the outer surface while preventing the upper surface except for the outer surface of the ESC from being exposed to F radical.

Abstract translation: 目的：提供一种室内清洁方法，通过从静电卡盘的外表面选择性地辐射从混合气体产生的等离子体，有效地除去附着在静电吸盘外表面的沉积物。 构成：将含有O 2气体和F气体的混合气体供给到具有400至800mTorr的ESC（24）的外表面（24a）。 从混合气体产生的等离子体选择性地辐射到ESC的外表面。 向作为掩蔽气体的ESC的外表面以外的上表面供给氧气。 肩部沉积物（50）从外表面分解除去，同时防止ESC的外表面以外的上表面暴露于F基团。

公开(公告)号：KR101912394B1

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：KR1020110122901

申请日：2011-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데즈카카즈유키 ,  카토켄이치 ,  사와치아츠시 ,  기쿠치타카미치 ,  미무라타카노리

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32385 ,  H01J37/3244

Abstract: 수작업으로의환상(環狀) 격벽부재의위치의변경또는교환, 혹은처리가스토출부자체의교환을하지않고, 처리가스의토출위치를변경하는것이가능한처리장치를제공하는것이다. 재치대(載置臺)(4)에대향하여처리실(2) 내에설치된, 처리실(2)로처리가스를토출하는처리가스토출부(5)와, 처리가스토출부(5) 내에격벽(14)을개재하여서로구획되어형성되고, 또한처리가스를토출하는토출홀(16)을가지고, 피처리체면내 중센터부분에대응하는제 1 공간(15a), 피처리체면내 중에지부분에대응하는제 2 공간(15i) 및제 1 공간(15a)과제 2 공간(15i)의사이에형성된적어도 1 개의제 3 공간(15b ~ 15h)과, 이들공간에연통된처리가스분배관(18a ~ 18i) 및인접하는처리가스분배관(18a ~ 18i)끼리의사이를개폐하는밸브(19a ~ 19h)를포함하는처리가스분배유닛(12)을구비한다.

公开(公告)号：KR101720670B1

公开(公告)日：2017-03-28

申请号：KR1020100111473

申请日：2010-11-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  무라카미타카히로 ,  미무라타카노리 ,  하나오카히데토시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: B08B7/0035 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32862

Abstract: 하부전극의셀프바이어스전압을상승시키지않고, 기판재치대의부착물의제거율을상승시킨다. 처리실(102) 내를소정의처리조건에기초하여클리닝할때 O가스와불활성가스로이루어진처리가스를하부전극(111)의셀프바이어스전압에따라그 절대값이작을수록 O가스의유량비가감소하고 Ar 가스의유량비가증대되도록설정한유량비로처리실내에공급하고, 하부전극(111)과상부전극(120)의전극간에고주파전력을인가하여플라즈마를발생시킨다.

Abstract translation: 在不提高下电极的自偏置电压的情况下，增加基板安装台上沉积物的去除速率。 处理室102时的在沿着所述O气体和包括工艺气体至该底电极111的自偏压的惰性气体的规定的处理条件的基础上进行清洁时，绝对值较小的减少O气体比率和Ar的流量 等离子体是通过在下电极111和上电极120的电极之间以设定的流量比率施加高频功率而产生的，以增加气体的流量。