公开(公告)号：KR1020160149151A

公开(公告)日：2016-12-27

申请号：KR1020160073526

申请日：2016-06-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미히라쿠 ,  사사키노부타카 ,  센자키시게루 ,  반세다카노리 ,  츠지모토히로시 ,  도요다게이고

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32504 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32633 ,  H05H1/46

Abstract: 본발명은, 플라즈마처리방법을제공하는것을목적으로한다. 일실시형태의플라즈마처리방법은, 플라즈마처리장치의처리용기의내벽면에보호막을형성하는보호막형성공정과, 처리용기내에있어서피처리체에대한처리를실행하는처리공정을포함한다. 보호막형성공정에서는, 배치대와처리용기의측벽사이의공간의위쪽으로부터보호막형성용가스가공급되어, 플라즈마가생성된다. 처리공정에서는, 배치대의위쪽으로부터피처리체의처리용가스가공급되어, 플라즈마가생성된다.

Abstract translation: 公开了一种等离子体处理方法。 该方法包括在等离子体处理装置的处理容器的内壁表面上形成保护膜; 对处理容器内的工件进行处理。 当形成保护膜时，从安装台和处理容器的侧壁之间的空间的上侧供应保护膜形成气体，从而产生等离子体。 当执行处理时，从安装台的上侧供给工件处理气体，从而产生等离子体。