公开(公告)号：KR1020160149151A

公开(公告)日：2016-12-27

申请号：KR1020160073526

申请日：2016-06-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미히라쿠 ,  사사키노부타카 ,  센자키시게루 ,  반세다카노리 ,  츠지모토히로시 ,  도요다게이고

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32504 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32633 ,  H05H1/46

Abstract: 본발명은, 플라즈마처리방법을제공하는것을목적으로한다. 일실시형태의플라즈마처리방법은, 플라즈마처리장치의처리용기의내벽면에보호막을형성하는보호막형성공정과, 처리용기내에있어서피처리체에대한처리를실행하는처리공정을포함한다. 보호막형성공정에서는, 배치대와처리용기의측벽사이의공간의위쪽으로부터보호막형성용가스가공급되어, 플라즈마가생성된다. 처리공정에서는, 배치대의위쪽으로부터피처리체의처리용가스가공급되어, 플라즈마가생성된다.

Abstract translation: 公开了一种等离子体处理方法。 该方法包括在等离子体处理装置的处理容器的内壁表面上形成保护膜; 对处理容器内的工件进行处理。 当形成保护膜时，从安装台和处理容器的侧壁之间的空间的上侧供应保护膜形成气体，从而产生等离子体。 当执行处理时，从安装台的上侧供给工件处理气体，从而产生等离子体。

公开(公告)号：KR1020160013004A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：KR1020157030300

申请日：2014-05-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도요다게이고 ,  이사고마사루 ,  츠지모토히로시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L22/26

Abstract: 공급되는가스에의해피처리체를플라스마에칭하는에칭방법에있어서, 피처리체의온도제어와는독립하여제어가능한제 1 온조기구에의해포커스링의온도를조정하고, 상기포커스링의온도가목표값에도달할때까지의시간변동을계측하고, 미리설정된시간변동과포커스링의소모정도의상관관계에근거하여, 상기계측된시간변동으로부터상기포커스링의소모정도를추정하고, 상기추정된포커스링의소모정도에근거하여, 상기포커스링의온도의목표값을보정하는, 에칭방법이제공된다.

Abstract translation: 提供了一种用于通过使用供应气体对待处理物体进行等离子体蚀刻的蚀刻方法。 在蚀刻方法中，通过使用可独立于待处理物体的温度控制控制的第一温度调节机构来调节聚焦环的温度，同时测量直到聚焦环的温度达到目标值的时间变化。 基于时间变化与聚焦环的消耗程度之间的预先设定的相关性，从所测量的时间变化估计聚焦环的消耗程度。 基于估计的聚焦环的消耗程度来校正聚焦环的温度的目标值。

公开(公告)号：KR102138953B1

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：KR1020157030300

申请日：2014-05-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도요다게이고 ,  이사고마사루 ,  츠지모토히로시

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

公开(公告)号：KR1020160146534A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：KR1020160068241

申请日：2016-06-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도요다게이고 ,  츠지모토히로시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01J37/32522 ,  G05B2219/45212 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67248

Abstract: 본발명은플라즈마처리장치내에서배치대의온도제어성을높이는것을목적으로한다. 플라즈마처리장치내에서기판을배치하는배치대의온도제어방법으로서, 상기플라즈마처리장치내에는상기배치대를냉각하는냉각기구및 상기배치대를가열하는제1 가열기구를포함하는온도조정기구가마련되고, 상기플라즈마처리장치내에인가되는고주파전력과상기배치대에의입열량의관계를나타내는제1 관계정보를측정에의해구하며, 미리기록부에기록된데이터테이블에기초하여, 미리정해진프로세스로인가되는고주파전력에대한제1 입열량을산출하고, 상기냉각기구와상기제1 가열기구의설정온도의차분의제어허용범위를입열량에따라단계적으로설정하며, 미리상기기록부에기억한오퍼레이션맵에기초하여, 상기냉각기구와상기제1 가열기구의설정온도의차분이상기제1 입열량에따른제어허용범위내의온도가되도록상기제1 가열기구및 상기냉각기구중 적어도어느하나의온도를제어하는, 배치대의온도제어방법이제공된다.

Abstract translation: 一种用于控制等离子体处理装置中的安装台的温度的方法，包括：根据在给定过程中施加的高频功率来计算第一热输入量，其中基于数据表计算第一热输入量， 数据表是通过测量温度产生的，以便找到在等离子体处理装置中施加的高频功率与安装台的热输入量之间的第一关系; 基于操作图来控制第一加热机构和冷却机构中的至少一个的温度，使得冷却机构和第一加热机构之间的第一温度差在与第一加热输入量对应的可控范围内 ，其中所述第一加热机构的温度在所述可控制的第一温差之后是可控的。