公开(公告)号：KR1020170110035A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：KR1020170035263

申请日：2017-03-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오노쿠미코 ,  츠지모토히로시 ,  나가미코이치

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32577

Abstract: 제 1 가스를포함하는제 1 처리가스의플라즈마를생성하는제 1 단계와제 1 가스및 제 2 가스를포함하는제 2 처리가스의플라즈마를생성하는제 2 단계를각각이포함하는복수회의사이클을실행하는플라즈마처리방법에있어서, 제 2 단계가행해지는기간의개시시점과가스공급계로부터의제 2 가스의출력의개시시점간의시간차를레시피에따라자동적으로결정한다. 제 2 단계의제 1 가스의유량및 제 2 가스의유량에대응하는지연시간이함수또는테이블을이용하여특정된다. 가스공급계로부터의제 2 가스의출력은지연시간에기초하여설정되는시간차만큼, 제 2 단계의개시시점보다전에개시된다.

Abstract translation: 第一气体的第一步骤和多个循环权利要求包括生成包含第二气体的第二工艺气体的等离子体的第二步骤中，每一个产生所述第一处理气体的等离子体，其包括第一气体 在用于执行该等离子体处理方法，根据周期的开始的开始时间之间的时间差自动地确定它执行的第二气体的时和气体供应系统robuteoui输出到第二阶段配方。 使用函数或表格来指定第二步骤中的第一气体的流量和与第二气体的流量相对应的延迟时间。 来自气体供给系统的第二气体的输出在第二步骤的开始时间之前由基于延迟时间设定的时间差开始。

公开(公告)号：KR101770828B1

公开(公告)日：2017-08-23

申请号：KR1020110025823

申请日：2011-03-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시무라아키히로 ,  사토데츠지 ,  호리구치마사토 ,  와다노부히로 ,  고바야시마코토 ,  츠지모토히로시 ,  다무라준 ,  나오이마모루

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32568

Abstract: 본발명은이동전극과통형상용기의한쪽의단부벽사이의공간에서의플라즈마의발생을억제할수 있는기판처리장치를제공한다. 기판처리장치(10)는, 웨이퍼(W)를수용하는통형상의챔버(11)와, 상기챔버(11) 내에서챔버(11)의중심축을따라이동가능한샤워헤드(23)와, 챔버(11) 내에서샤워헤드(23)에대향하는서셉터(12)와, 샤워헤드(23) 및챔버(11)의덮개(14)를접속하는신축가능한벨로우즈(31)를구비하고, 샤워헤드(23) 및서셉터(12) 사이에존재하는처리공간(PS)에고주파전력이인가되며처리가스가도입되고, 샤워헤드(23) 및챔버(11)의측벽(13)은비접촉이며, 샤워헤드(23) 및챔버(11)의덮개(14) 또는측벽(13)을전기적으로접속하는바이패스부재(35)가설치된다.

Abstract translation: 本发明提供一种能够抑制移动电极与管状容器的一个端壁之间的空间中的等离子体的产生的基板处理装置。 基板处理装置10具备收纳晶片W的筒状的腔室11，在腔室11内沿腔室11的中心轴线移动的喷头23， 用于连接面对喷头23的基座12和喷头23的盖子14以及喷头11中的腔室11的可拉伸波纹管31 喷头23与腔室11的侧壁13接触，在喷头23与基座12之间存在的处理空间PS中，喷头23与基座12接触， 并且安装用于电连接腔室11的盖14或侧壁13的旁路构件35。

公开(公告)号：KR1020160013004A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：KR1020157030300

申请日：2014-05-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도요다게이고 ,  이사고마사루 ,  츠지모토히로시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L22/26

Abstract: 공급되는가스에의해피처리체를플라스마에칭하는에칭방법에있어서, 피처리체의온도제어와는독립하여제어가능한제 1 온조기구에의해포커스링의온도를조정하고, 상기포커스링의온도가목표값에도달할때까지의시간변동을계측하고, 미리설정된시간변동과포커스링의소모정도의상관관계에근거하여, 상기계측된시간변동으로부터상기포커스링의소모정도를추정하고, 상기추정된포커스링의소모정도에근거하여, 상기포커스링의온도의목표값을보정하는, 에칭방법이제공된다.

Abstract translation: 提供了一种用于通过使用供应气体对待处理物体进行等离子体蚀刻的蚀刻方法。 在蚀刻方法中，通过使用可独立于待处理物体的温度控制控制的第一温度调节机构来调节聚焦环的温度，同时测量直到聚焦环的温度达到目标值的时间变化。 基于时间变化与聚焦环的消耗程度之间的预先设定的相关性，从所测量的时间变化估计聚焦环的消耗程度。 基于估计的聚焦环的消耗程度来校正聚焦环的温度的目标值。

公开(公告)号：KR102138953B1

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：KR1020157030300

申请日：2014-05-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도요다게이고 ,  이사고마사루 ,  츠지모토히로시

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

公开(公告)号：KR102109229B1

公开(公告)日：2020-05-11

申请号：KR1020157028892

申请日：2014-05-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈타니도모유키 ,  츠지모토히로시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

公开(公告)号：KR1020160146534A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：KR1020160068241

申请日：2016-06-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도요다게이고 ,  츠지모토히로시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01J37/32522 ,  G05B2219/45212 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67248

Abstract: 본발명은플라즈마처리장치내에서배치대의온도제어성을높이는것을목적으로한다. 플라즈마처리장치내에서기판을배치하는배치대의온도제어방법으로서, 상기플라즈마처리장치내에는상기배치대를냉각하는냉각기구및 상기배치대를가열하는제1 가열기구를포함하는온도조정기구가마련되고, 상기플라즈마처리장치내에인가되는고주파전력과상기배치대에의입열량의관계를나타내는제1 관계정보를측정에의해구하며, 미리기록부에기록된데이터테이블에기초하여, 미리정해진프로세스로인가되는고주파전력에대한제1 입열량을산출하고, 상기냉각기구와상기제1 가열기구의설정온도의차분의제어허용범위를입열량에따라단계적으로설정하며, 미리상기기록부에기억한오퍼레이션맵에기초하여, 상기냉각기구와상기제1 가열기구의설정온도의차분이상기제1 입열량에따른제어허용범위내의온도가되도록상기제1 가열기구및 상기냉각기구중 적어도어느하나의온도를제어하는, 배치대의온도제어방법이제공된다.

Abstract translation: 一种用于控制等离子体处理装置中的安装台的温度的方法，包括：根据在给定过程中施加的高频功率来计算第一热输入量，其中基于数据表计算第一热输入量， 数据表是通过测量温度产生的，以便找到在等离子体处理装置中施加的高频功率与安装台的热输入量之间的第一关系; 基于操作图来控制第一加热机构和冷却机构中的至少一个的温度，使得冷却机构和第一加热机构之间的第一温度差在与第一加热输入量对应的可控范围内 ，其中所述第一加热机构的温度在所述可控制的第一温差之后是可控的。

公开(公告)号：KR1020160006675A

公开(公告)日：2016-01-19

申请号：KR1020157028892

申请日：2014-05-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈타니도모유키 ,  츠지모토히로시

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01L21/54

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/3065

Abstract: 일실시형태에서는가스를공급하는방법이제공된다. 이방법은, 처리가스를제1 분기라인및 제2 분기라인을통해중앙가스도입부및 주변가스도입부에각각공급하는공정과, 부가가스용의가스라인에있어서하류측의밸브를닫고, 상기밸브와상류의유량제어기사이의관에부가가스를충전하는공정과, 부가가스의충전후에밸브를개방하는공정과, 밸브의개방후에, 고주파전원으로부터상부전극및 하부전극의한쪽에고주파전력을공급하는공정을포함한다.

公开(公告)号：KR1020160009542A

公开(公告)日：2016-01-26

申请号：KR1020157029719

申请日：2014-05-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 츠지모토히로시 ,  미즈타니도모유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069

Abstract: 플라즈마에칭장치는, 처리용기와, 처리용기내에설치된기판을유지하는유지부와, 처리용기내에설치된유지부와대향하는전극판을갖는다. 또한, 플라즈마에칭장치는, 유지부와전극판사이에끼워진공간에처리가스를공급하기위한, 기판의직경방향에대하여동심원형으로 n(n은 2 이상의자연수)개로분할된영역각각에배치되어, 영역각각에균등간격으로형성된가스공급구멍으로부터처리가스를공급하는복수의공급부를갖는다. 또한, 플라즈마에칭장치는, 유지부또는전극판중 적어도한쪽에고주파전력을공급함으로써, 복수의공급부에의해공간에공급된처리가스를플라즈마화하는고주파전원을갖는다. 또한, 플라즈마에칭장치는, 영역각각의가스공급구멍으로부터공급되는가스유량을제어한다.

公开(公告)号：KR1020160002356A

公开(公告)日：2016-01-07

申请号：KR1020150086389

申请日：2015-06-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후나쿠보다카오 ,  하가히로후미 ,  고즈카신이치 ,  오자와와타루 ,  사카모토아키히로 ,  다니구치나오키 ,  츠지모토히로시 ,  오노구미코

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/3299

Abstract: [과제] 스텝전환후에신속하게플라즈마를안정시키고, 적절한플라즈마처리가가능한플라즈마처리장치및 플라즈마처리방법을제공한다. [해결수단] 제어장치(16)는, 제1 스텝에있어서고주파발생원(1)을제1 에너지조건으로구동시키고, 제2 스텝에있어서고주파발생원(1)을제2 에너지조건으로구동시킨다. 제1 스텝과제2 스텝의전환시각보다먼저, 가스공급시스템(11)으로부터처리용기(8) 내에공급되는가스종을전환하고, 전환직후의초기기간의가스유량을초기기간경과후의안정기간에서의가스유량보다크게설정한다.

Abstract translation: 提供了一种用于处理等离子体的装置，其能够在移位步骤和等离子体的正确处理之后快速稳定等离子体及其方法。 控制装置（16）在第一步骤中在第一能量条件下驱动高频发生源（1），并且在第二步骤中在第二能量条件下驱动高频发生源（1）。 在第一步骤和第二步骤之间的切换时间之前，切换从气体供应系统（11）供应到处理容器（8）中的一种类型的气体，并且在开关之后的初始阶段中的气体通量设定得更高 比在初始阶段之后的稳定期间的气体通量。

公开(公告)号：KR1020150101927A

公开(公告)日：2015-09-04

申请号：KR1020150021628

申请日：2015-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우다히로시 ,  츠지모토히로시 ,  하라다아키토시 ,  야쿠시지히데아키 ,  스기야마마사하루

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32862 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/3065 ,  H01L2224/80013

Abstract: 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 잔류하는 Ti 함유 반응물을 간편하고 또한 효율적으로 제거하는 것이다. Low-k막의 에칭 가공에서, 드라이 에칭 공정(S
2 )을 종료한 직후에, 반도체 웨이퍼를 정전 척(40) 상에 보지한 채로 웨이퍼가 있는 드라이 클리닝의 프로세스를 실행한다(단계(S
3 )). 이 웨이퍼가 있는 드라이 클리닝 공정(S
3 )은 주로 챔버(10) 내에 잔류하고 있는 Ti 함유 반응물을 제거하기 위하여, 처리 가스 공급부(70)로부터 H
2 가스와 N
2 가스를 소정의 유량비로 포함하는 클리닝 가스를 챔버(10) 내로 도입하고, 플라즈마 생성용의 제 1 고주파(HF)를 소정의 파워로 서셉터(12)에 인가하여, 챔버(10) 내에서 클리닝 가스의 고주파 방전에 의한 플라즈마를 생성한다.

Abstract translation: 本发明的目的是简单有效地除去留在等离子体处理装置的处理容器中的含Ti反应物。 在Low-k膜的蚀刻工艺中，刚刚在干蚀刻工艺（S_2）完成之后，随着半导体晶片被保持在静电吸盘（40）（S_3）上，进行用晶片干法的处理。 与晶片的干洗处理（S_3）将来自处理气体供给部（70）的包含H_2气体和固定通量比的N_2气体的清洗气体引入到室（10）中，以除去剩余的含Ti反应物 在所述室（10）中，通过以固定的功率强度施加用于等离子体产生的第一高频（HF）到基座（12），通过高频放电来产生等离子体，以清洁气体在室（10）中。