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公开(公告)号：KR100753704B1
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：KR1020057005446
申请日：2003-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/3255
Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리 시스템의 상부 어셈블리에 연결하도록 구성되어, 전극판을 상부 어셈블리에 연결하는 제 1 표면, 제 1 표면의 반대편에, 플라즈마 처리 시스템내의 처리 플라즈마를 향하도록 구성된 플라즈마 표면과 플라즈마 처리 시스템에 결합하는 결합면을 포함하는 제 2 표면, 및 주위 가장자리를 포함하는 전극판을 제공하는데 있다.
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公开(公告)号：KR100733167B1
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：KR1020057005445
申请日：2003-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32633 , H01J37/32623 , H01J37/32834
Abstract: 본 발명은 상부면, 하부면, 안지름 가장자리, 및 바깥지름 가장자리를 구비한 링을 포함하는 배플판을 제공하는 데 있다. 상부면은 바깥지름 가장자 주위에 제 1 접촉면을 더 포함할 수 있다. 하부면은 바깥지름 가장자리 주위에 제 2 접촉면과 안지름 가장자리 주위에 복수의 고정 결합면을 더 포함할 수 있다. 배플판은 적어도 하나의 통로를 포함할 수 있는데, 통로는 상부면과 하부면에 연결되고 가스가 흐를 수 있도록 내부 통로면을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020050067405A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：KR1020057005445
申请日：2003-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32633 , H01J37/32623 , H01J37/32834
Abstract: The present invention presents an improved baffle plate for plasma processing system, wherein the design and fabrication of the baffle plate advantageously provides for a uniform processing plasma in the process space with substantially minimal erosion of the baffle plate.
Abstract translation: 本发明提出了一种用于等离子体处理系统的改进的挡板，其中挡板的设计和制造有利地在过程空间中提供均匀的处理等离子体，同时对挡板具有基本上最小的侵蚀。
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公开(公告)号：KR100732260B1
公开(公告)日：2007-06-25
申请号：KR1020057005449
申请日：2003-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L51/00 , H01J37/00
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32458 , H01J37/32495 , H01J37/32972
Abstract: 본 발명은 플러그와 플랜지를 구비한 광학창 용착실드에 관한 것이다. 상기 플러그는 용착실드에 형성된 열린구멍을 통해서 뻗어 있다. 상기 플랜지는 상기 플러그에 연결되어 있으며, 용착실드에 광학창 용착실드을 부착할 수 있도록 구성되어 있다. 상기 플러그는 전방면과 주변면으로 구성된다. 상기 플랜지는 제1면, 제2면, 모서리면으로 구성되어 있고, 상기 제1면은 접촉면을 더 포함하고 있다.
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公开(公告)号：KR1020050067406A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：KR1020057005449
申请日：2003-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L51/00 , H01J37/00
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32458 , H01J37/32495 , H01J37/32972
Abstract: The present invention presents an improved optical window deposition shield an improved optical window deposition shield for optical access to a process space in a plasma processing system through a deposition shield, wherein the design and fabrication of the optical window deposition shield advantageously provides an optically clean access to the processing plasma in the process space while sustaining substantially minimal erosion of the optical window deposition shield.
Abstract translation: 本发明提出了一种改进的光学窗口沉积屏蔽，用于通过沉积屏蔽对光学访问等离子体处理系统中的处理空间的改进的光学窗口沉积屏蔽，其中光学窗口沉积屏蔽的设计和制造有利地提供光学干净的访问 涉及在处理空间中处理等离子体，同时维持基本上最小的光学窗口沉积屏蔽的侵蚀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050053712A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：KR1020057005450
申请日：2003-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32477
Abstract: The present invention presents an improved bellows shield(54) for a plasma processing system(1), wherein the design and fabrication of the bellows shield coupled to a substrate holder electrode(30) advantageously provides protection of a bellows(52) with substantially minimal erosion of the bellows shield.
Abstract translation: 本发明提出了一种用于等离子体处理系统（1）的改进的波纹管屏蔽（54），其中耦合到衬底保持器电极（30）的波纹管屏蔽的设计和制造有利地提供对波纹管（52）的保护，其基本上最小 波纹管屏蔽侵蚀。
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公开(公告)号：KR100704069B1
公开(公告)日：2007-04-06
申请号：KR1020057005435
申请日：2003-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32477 , Y10S156/916
Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리시스템내의 처리공간을 둘러싸기 위한 개선된 증착차폐부를 개시하며, 여기에서, 증착차폐부의 설계 및 제조는 증착차폐부의 실질적인 최소한의 부식을 허용하면서 처리공간내의 청정한 처리플라즈마를 유효하게 제공한다.
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公开(公告)号：KR100699636B1
公开(公告)日：2007-03-23
申请号：KR1020057005450
申请日：2003-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32477
Abstract: 플라즈마 처리시스템의 기판홀더에 연결되어 있는 벨로우즈 실드를 제공하는 것이다. 상기 플라즈마 처리시스템은 안쪽면, 바깥면, 제1단, 제2단을 가진 실린더형상의 벽을 구비하고 있다
실린더형상의 벽의 제1단은 부착플랜지를 구비하고 있으며, 상기 부착플랜지는 내부면, 안쪽지름면과 외부면을 구비하고 있다. 상기 내부면은 실린더형상의 벽의 안쪽면에 연결되어 있으며, 기판홀더에 접촉할 수 있도록 형상을 이루고 있다. 상기 외부면은 실린더형상의 벽의 바깥면에 연결되어 있다. 실린더형상의 벽의 제2단은 끝단면을 구비할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020050053711A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：KR1020057005446
申请日：2003-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/3255
Abstract: The present invention presents an improved upper electrode for a plasma processing system, wherein the design and fabrication of an electrode plate coupled to an upper assembly advantageously provides gas injection of a process gas with substantially minimal erosion of the electrode plate.
Abstract translation: 本发明提出了一种用于等离子体处理系统的改进的上电极，其中耦合到上部组件的电极板的设计和制造有利地提供了对电极板的基本上最小的侵蚀的工艺气体的气体注入。
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公开(公告)号：KR1020050053710A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：KR1020057005442
申请日：2003-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32009 , C23C16/4404 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , Y10S156/916
Abstract: The present invention presents an improved upper electrode (22) for a plasma processing system, wherein the design and fabrication on an electrode plate (24) with a deposition shield (26) coupled to the upper electrode advantageously provides gas injection of a process gas with substantially minimal erosion of the upper electrode while providing protection to a chamber interior.
Abstract translation: 本发明提出了一种用于等离子体处理系统的改进的上电极（22），其中在具有耦合到上电极的沉积屏蔽（26）的电极板（24）上的设计和制造有利地提供工艺气体的气体注入 上部电极的基本上最小的侵蚀同时为腔室内部提供保护。
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