플라즈마 처리 시스템에서 개선된 배플판을 위한 장치 및방법
    8.
    发明授权
    플라즈마 처리 시스템에서 개선된 배플판을 위한 장치 및방법 有权
    等离子体处理系统中改进挡板的方法和装置

    公开(公告)号:KR100702296B1

    公开(公告)日:2007-03-30

    申请号:KR1020057005451

    申请日:2003-09-29

    CPC classification number: H01J37/32431

    Abstract: 플라즈마처리시스템(1)은 도 1에 나타나 있는 바와 같이 플라즈마처리실(10), 상부조립체(20), 전극판(24), 기판을 지지하는 기판홀더(30), 플라즈마처리실(10)에 감압된 공기(11)을 제공하기 위한 진공펌프에 결합되어 있는 펌핑덕트(40)로 구성된다.
    플라즈마처리실(10)은 기판(35)에 인접한 처리공간(12)에서 처리플라즈마의 형성을 돕는다. 플라즈마처리시스템(1)은 200mm기판, 300mm기판, 또는 그보다 큰 기판을 처리할 수 있도록 되어있다.
    도시된 실시예에서, 상부조립체(20)은 최소한 하나의 커버, 하나의 분사조립체와 상부 전극 임피던스 매치 네트워크를 구비한다. 예를 들면, 전극판(24)는 RF소스에 결합되고, 플라즈마처리시스템(1)을 위해 상부전극의 작용을 돕는다.

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