公开(公告)号：KR1020160089864A

公开(公告)日：2016-07-28

申请号：KR1020160001432

申请日：2016-01-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야마료

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32266 ,  H01J37/32256 ,  H01J37/32972 ,  H01J37/3299

Abstract: 본발명은, 플라즈마처리장치에있어서, 플라즈마의착화성을향상시키기위한튜너의최적의프리셋위치를효율적으로결정하는것을목적으로한다. 피처리체에플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치(1)에있어서, 플라즈마발광에필요한전력을정합하는튜너(101)를프리셋하는방법으로서, 플라즈마를발광시켜, 전력투입에서부터의시간경과와, 플라즈마의발광강도및 튜너(101)의세팅위치의관계를취득하고, 발광강도를시간으로미분하여, 발광강도의증가비율이최대가되는시간을구하여, 발광강도의증가비율이최대가되는시간에서, 상기튜너의세팅에서부터발광강도에반영될때까지필요한시간을뺀 시간에있어서의, 튜너(101)의세팅위치를, 프리셋위치로서설정한다.

Abstract translation: 本发明的目的是有效地确定调谐器的最佳预设位置，以改善等离子体处理装置中的等离子体的点火性。 一种在对待处理对象进行等离子体处理的等离子体处理装置（1）中预先配置与等离子体发射所需的功率相匹配的调谐器的方法，其特征在于，包括以下步骤：发射等离子体以获得从 电源输入时间，等离子体的发射强度和调谐器（101）的设定位置。 通过时间来区分发射强度，找出发射强度增量率最大化的时间; 并且在从调谐器的设置直到调谐器所需的时间中减去发射强度的增量的最大化时间之后的时间范围内将调谐器（101）的设置位置设置为预设位置 反映在排放强度上。

公开(公告)号：KR1020170007172A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：KR1020160086634

申请日：2016-07-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 토호쿠 테크노 아치

Inventor： 노자와도시히사 ,  모야마가즈키 ,  미야마료 ,  사무카와세이지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/4401 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32467

Abstract: 본발명은, 칸막이판의소모및 피처리체의오염을억제하는것을목적으로한다. 플라즈마처리장치(10)는, 처리용기(12)와, 칸막이판(40)을갖는다. 칸막이판(40)은, 절연성재료로형성되고, 복수의개구(40h)를가지며, 처리용기(12) 내를플라즈마생성실(S1)과처리실(S2)로구획한다. 또한, 칸막이판(40)의처리실(S2) 측의면에는, 도전성재료로형성된도전성부재(40a)가설치된다. 도전성부재(40a)에는, 교류전압, 또는, 플라즈마생성실(S1)로부터각각의개구(40h)를통해처리실(S2)로유도하는하전입자의극성과반대극성의직류전압중 적어도어느하나의전압이인가된다.

Abstract translation: 一种等离子体处理装置，包括：处理容器; 以及由绝缘材料制成的隔板，具有多个开口，并被构造成将处理容器的内部分隔成等离子体产生室和处理室。 在隔板的处理室侧的表面上设置由导电材料制成的第一导电构件，并且向第一导电构件施加交流电压和极性相反的直流电压中的至少一个 到通过每个开口从等离子体产生室引导到处理室中的带电粒子的极性。

公开(公告)号：KR1020170049420A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：KR1020160140080

申请日：2016-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야마료 ,  모야마가즈키 ,  노자와도시히사

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/31122 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/3345 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67069 ,  H01L43/12

Abstract: 본발명은, 천이금속막의에칭에서, 디바이스의미세화에대응하고, 디바이스에의손상을일으키지않고, 에칭속도나스루풋을종래에비해향상시키는것을목적으로한다. 기판처리장치를이용하여천이금속막을이방적으로에칭하는방법으로서, 상기기판처리장치는, 천이금속막을포함하는피처리체의처리를행하는 1개또는복수개의처리용기를가지며, 상기처리용기내에산소이온을포함하는제1 가스를도입하고, 산소이온을상기천이금속막에조사하여상기천이금속막의천이금속을산화시켜금속산화층을형성시키는산화공정과, 상기처리용기내에상기금속산화층을착화시키기위한제2 가스를도입하고, 상기금속산화층에서금속착체를형성시켜에칭을행하는착화에칭공정을포함하는것을특징으로하는천이금속막의에칭방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明是基于所述过渡金属层蚀刻，对应于装置的小型化和不造成损伤的设备，其目的在于相比于现有技术中的蚀刻速率和吞吐量改善。 一种使用基板处理装置对过渡金属膜进行旋涂的方法，所述基板处理装置具有一个或多个用于处理待处理物体的处理容器，所述处理容器包括过渡金属膜， 氧化步骤，向过渡金属膜照射氧离子以氧化过渡金属膜的过渡金属以形成金属氧化物层;以及氧化处理容器中的金属氧化物层的步骤 以及点燃蚀刻步骤，将气体引入到金属氧化物层中并且在金属氧化物层中形成金属络合物以执行蚀刻。

公开(公告)号：KR1020170040230A

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：KR1020177003078

申请日：2015-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야마료 ,  와타나베나오토 ,  나카무라고이치로

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32972 ,  H01J37/32935

Abstract: 처리용기내에공급한처리가스를플라즈마화시켜플라즈마처리하는플라즈마처리장치의플라즈마의안정성을판정할때에, 처리용기내에서플라즈마가생성되고있는동안에, 상기처리용기내에서의플라즈마의발광강도를검출하고, 발광강도의검출결과로부터, 시간과발광강도의관계를나타내는제1 함수를생성하며, 제1 함수를시간미분하여미분값을산출하고, 상기미분값의절대값과시간의관계로부터제2 함수를생성하며, 제2 함수를시간으로적분하여적분값을산출하고, 상기산출된적분값에기초하여, 플라즈마의안정성을판정한다.

Abstract translation: 在确定等离子体处理装置的等离子体处理装置的等离子体的稳定性时，在处理容器内产生等离子体时，检测处理容器内的等离子体的发光强度，以供给处理容器 从发光强度的检测结果的第二函数，所述时间与光强度的幅度和时间之间的关系产生表示的关系的第一功能，并且所述第一函数在计算微分的时间导数，并且所述差分值 通过对第二个函数的时间积分来计算积分值，并根据计算出的积分值确定等离子体的稳定性。