公开(公告)号：KR101943691B1

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：KR1020150148531

申请日：2015-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와사키마사히데 ,  노자와도시히사 ,  야마시타고헤이

IPC: C23C16/455

公开(公告)号：KR1020150139467A

公开(公告)日：2015-12-11

申请号：KR1020150078798

申请日：2015-06-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 자오지안핑 ,  노자와도시히사

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32238 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/67069

Abstract: 여기에개시된기법들은플라즈마프로세싱챔버내에발생된플라즈마를이용하여기판들을처리하는장치를포함한다. 일실시예에서, 플라즈마시스템의유전체판들은균일한플라즈마를발생시키는것을보조하도록구성된구조적피쳐들을포함할수 있다. 이러한구조적피쳐들은플라즈마를마주한표면에표면형상을정의한다. 이러한구조적피쳐들은거의비선형단면을갖는동심고리세트를포함할수 있고, 유전체판의표면으로부터돌출될수 있다. 이러한구조적피쳐들은피쳐깊이, 폭, 및동심고리에따라깊이및 폭이달라질수 있는주기적패턴들을포함할수 있다.

Abstract translation: 本文公开的技术包括用于在等离子体处理室内产生等离子体处理衬底的装置。 在一个实施例中，等离子体系统的电介质板可以包括被配置为有助于产生均匀等离子体的结构特征。 这种结构特征限定了面向等离子体的表面上的表面形状。 结构特征可以包括具有几乎非线性横截面的一组同心环，并且从电介质板的表面突出。 结构特征可以包括可以根据同心环改变深度和宽度的特征深度，宽度和周期性图案。

公开(公告)号：KR1020140110752A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：KR1020140025055

申请日：2014-03-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와오도시히코 ,  노자와도시히사

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32293 ,  H01J37/32229

Abstract: The present invention is to enhance the controllability of the position of plasma generation. A plasma processing apparatus includes: a processing container having a cylindrical columnar shape centering around a predetermined axis and defining a processing space therein; a plurality of columnar dielectric bodies installed at a top side of the processing space; a microwave generator configured to generate microwaves; a waveguide unit configured to connect the microwave generator and the plurality of columnar dielectric bodies; and a stage installed within the processing container to intersect with the predetermined axis. The plurality of columnar dielectric bodies are arranged at predetermined intervals along a circumferential direction around the predetermined axis within the processing space. The waveguide unit branches microwaves input from the microwave generator and supplies the branched microwaves to the plurality of columnar dielectric bodies.

Abstract translation: 本发明是为了提高等离子体产生位置的可控性。 一种等离子体处理设备包括：处理容器，具有围绕预定轴线定中心的圆柱形柱状，并在其中限定处理空间; 安装在处理空间的顶侧的多个柱状介电体; 构造成产生微波的微波发生器; 波导单元，被配置为连接所述微波发生器和所述多个柱状介电体; 以及安装在处理容器内以与预定轴相交的平台。 多个柱状电介质体在处理空间内围绕预定轴线沿圆周方向以预定间隔布置。 波导单元分支从微波发生器输入的微波，并将分支的微波提供给多个柱状介电体。

公开(公告)号：KR1020140103844A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：KR1020140014743

申请日：2014-02-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와준 ,  노자와도시히사 ,  마츠모토나오키 ,  벤첵피터엘지

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

Abstract: A plasma processing apparatus of one embodiment includes a process chamber which divides a process space, a batch unit, and an antenna for microwave introduction. The batch unit has a batch region for batching an object received in the process chamber. The antenna has a dielectric window installed on the batch unit. The dielectric window has a lower surface region which touches the process space. The lower surface region has a ring shape to limit a region for receiving a surface wave in the upper region of the edge of the batch region.

Abstract translation: 一个实施例的等离子体处理装置包括分隔处理空间的处理室，批量单元和用于微波引入的天线。 批量单元具有用于对在处理室中接收的物体进行批处理的批处理区域。 天线具有安装在批量单元上的电介质窗口。 电介质窗口具有接触处理空间的下表面区域。 下表面区域具有环状，以限制在批间隔区域的边缘的上部区域中接收表面波的区域。

公开(公告)号：KR1020130064104A

公开(公告)日：2013-06-17

申请号：KR1020137005899

申请日：2011-07-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠오카다카아키 ,  노자와도시히사 ,  호리도시야스

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3081 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/094 ,  G03F7/2041 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31122

Abstract: 피처리 기판이 되는 실리콘 기판 상에, 플루오르 카본층을 형성한다(A). 형성된 플루오르 카본층 위에, 레지스트층을 형성한다(B). 그 후, 레지스트층에 대하여 포토레지스트에 의한 노광을 행하고, 정해진 형상으로 패터닝을 행한다(C). 정해진 형상으로 패터닝된 레지스트층을 마스크로 하여 플루오르 카본층을 에칭한다(D). 다음에, 마스크로서의 레지스트층을 제거한다(E). 그 후, 남은 플루오르 카본층을 마스크로 하여 실리콘 기판을 에칭한다(F). 플루오르 카본층의 1층만으로 반사 방지막, 및 하드 마스크로서의 기능을 구비하기 때문에, 처리의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 비용을 저렴하게 할 수 있다.

公开(公告)号：KR101008746B1

公开(公告)日：2011-01-14

申请号：KR1020087005903

申请日：2007-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티안차이종 ,  노자와도시히사

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 본 발명은, 천정부가 개구되어 내부가 진공 흡인 가능하게 이루어진 처리 용기와, 피처리체를 탑재하기 위해 상기 처리 용기 내에 마련된 탑재대와, 상기 천정부의 개구에 기밀하게 장착되어 마이크로파를 투과하는 유전체로 이루어지는 천정판과, 상기 처리 용기 내에 필요한 가스를 도입하는 가스 도입 수단과, 상기 천정판의 중앙부의 상면에 마련되어, 소정의 전파 모드의 마이크로파를 상기 처리 용기 내에 도입하기 위해 마이크로파 방사용의 슬롯이 형성된 평면 안테나 부재와, 상기 천정판의 주변부의 상면에 마련되어, 상기 평면 안테나 부재에 의해 도입하는 마이크로파와는 다른 전파 모드의 마이크로파를 상기 처리 용기 내에 도입하기 위해 마이크로파 방사용의 슬롯이 형성된 슬롯 첨부 도파관과, 마이크로파를 상기 평면 안테나 부재 및 상기 슬롯 첨부 도파관에 공급하는 마이크로파 공급 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치이다.

公开(公告)号：KR100887440B1

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：KR1020077008329

申请日：2005-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  유아사다마키

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4404 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32522

Abstract: 본 발명은, 진공 처리 장치의 처리용기 내에 이용하는, 실드체로서, 가열 수단을 가지고, 단순한 구조로 박형화가 가능한 실드체를 이용한 진공 처리 장치를 제공하는 것을 과제로 하고 있다.
그 때문에, 본 발명에서는, 처리용기와, 상기 처리용기 내부의 처리공간을 배기하는 배기 수단과, 피 처리 기판을 유지하는 유지대와, 상기 처리용기 내부에 설치되는 실드체와, 를 가지는 진공 처리 장치로서, 상기 실드체는, 상기 처리용기 내부의 감압된 처리공간에 노출되는 외벽 구조와, 상기 외벽 구조의 내부에 형성된, 상기 처리공간과 격절된 내부공간과, 상기 내부공간에 설치된, 상기 외벽 구조를 가열하는 가열 수단을 가지고, 상기 내부공간은 상기 진공 처리용기의 외부에 연통하고, 상기 가열 수단은 시트형상으로 상기 내부공간에 연장되도록 하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치를 이용하고 있다.

公开(公告)号：KR1020080089482A

公开(公告)日：2008-10-06

申请号：KR1020087019887

申请日：2007-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 노자와도시히사 ,  모야마가즈키 ,  오미다다히로 ,  가와무라추이치 ,  요시노기미히코

IPC: H05B33/10 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0017 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/56 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/32136 ,  H01L51/0008

Abstract: Disclosed is a substrate processing apparatus for forming a light-emitting device, wherein an organic layer containing a light-emitting layer is formed between a first electrode and a second electrode, on a substrate to be processed. This substrate processing apparatus is characterized by comprising an organic layer-forming device for forming the organic layer on the first electrode formed on the substrate to be processed, an electrode-forming device for forming the second electrode on the organic layer, and an etching device for etching the organic layer.

Abstract translation: 公开了一种用于形成发光器件的衬底处理设备，其中在第一电极和第二电极之间，在待处理的衬底上形成包含发光层的有机层。 该基板处理装置的特征在于，包括在形成于被处理基板上的第一电极上形成有机层的有机层形成装置，在有机层上形成第二电极的电极形成装置和蚀刻装置 用于蚀刻有机层。

公开(公告)号：KR1020080087039A

公开(公告)日：2008-09-29

申请号：KR1020087020405

申请日：2007-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  와타나베신고

IPC: C23C14/06 ,  H05B33/10 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0008 ,  C23C14/12 ,  C23C14/20 ,  C23C14/228 ,  C23C14/243 ,  C23C14/34 ,  C23C14/568 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/56 ,  H01L21/31056 ,  H01L2924/01003

Abstract: A film forming apparatus is provided with a processing container having a holding table for holding a substrate to be processed inside the container; a gas material generating section arranged outside the processing container, for generating a gas material by evaporating or sublimating a film forming material including a metal; a gas material supplying section for supplying the processing container with the gas material; and a transport path for transporting the gas material to the gas material supplying section from the gas material generating section. The film forming apparatus is characterized in that a layer including a metal is formed on an organic layer including a light emitting layer on the substrate to be processed.

Abstract translation: 成膜装置具有处理容器，该处理容器具有用于在容器内保持待处理基材的保持台; 气体产生部，其布置在处理容器的外部，用于通过蒸发或升华包含金属的成膜材料来产生气体材料; 用于向处理容器供应气体材料的气体供应部分; 以及用于从气体材料生成部将气体材料输送到气体材料供给部的输送路径。 成膜装置的特征在于，在包含被处理基板上的发光层的有机层上形成包含金属的层。

公开(公告)号：KR100824813B1

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：KR1020067002758

申请日：2004-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  이시바시기요타카

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32458 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 챔버(1) 상부의 개구부에 배치되고 마이크로파에 의해 구동되어 전자계를 발생시키는 안테나부(3)를 배치하고, 안테나부(3)의 하부에 챔버(1)의 개구부를 봉인하는 상판(4)을 설치하며, 상판(4)의 하면측에 링형상의 돌출조(41)를 설치하여 직경 방향의 두께를 테이퍼형으로 연속적으로 변화시킴으로써, 플라즈마의 어느 조건에서도 어딘가에서 공진시킬 수 있다. 이에 따라, 1 종류의 상판을 준비하는 것만으로 여러 가지 두께의 상판을 준비한 것과 같은 효과를 나타낼 수 있고, 플라즈마에 대한 흡수 효율을 비약적으로 향상시킬 수 있으며, 높은 압력으로부터 낮은 압력에 걸쳐 안정된 플라즈마의 발생이 가능하게 된다.

Abstract translation: 设置在腔室1的上部开口处并由微波驱动以产生电磁场的天线单元3，并且用于密封腔室1的开口的上板4设置在天线单元3的下方 并且，在上板4的下表面上设置有环状的突起41，从而能够连续地使半径方向的厚度变化为锥状，能够在等离子体状态下的某处发生共振。 因此，仅通过准备一种上板就能够获得与制备各种厚度的上板相同的效果，显着地提高了对等离子体的吸收效率，并且提高了等离子体的稳定性 发生是可能的。