公开(公告)号：KR1020170049420A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：KR1020160140080

申请日：2016-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야마료 ,  모야마가즈키 ,  노자와도시히사

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/31122 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/3345 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67069 ,  H01L43/12

Abstract: 본발명은, 천이금속막의에칭에서, 디바이스의미세화에대응하고, 디바이스에의손상을일으키지않고, 에칭속도나스루풋을종래에비해향상시키는것을목적으로한다. 기판처리장치를이용하여천이금속막을이방적으로에칭하는방법으로서, 상기기판처리장치는, 천이금속막을포함하는피처리체의처리를행하는 1개또는복수개의처리용기를가지며, 상기처리용기내에산소이온을포함하는제1 가스를도입하고, 산소이온을상기천이금속막에조사하여상기천이금속막의천이금속을산화시켜금속산화층을형성시키는산화공정과, 상기처리용기내에상기금속산화층을착화시키기위한제2 가스를도입하고, 상기금속산화층에서금속착체를형성시켜에칭을행하는착화에칭공정을포함하는것을특징으로하는천이금속막의에칭방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明是基于所述过渡金属层蚀刻，对应于装置的小型化和不造成损伤的设备，其目的在于相比于现有技术中的蚀刻速率和吞吐量改善。 一种使用基板处理装置对过渡金属膜进行旋涂的方法，所述基板处理装置具有一个或多个用于处理待处理物体的处理容器，所述处理容器包括过渡金属膜， 氧化步骤，向过渡金属膜照射氧离子以氧化过渡金属膜的过渡金属以形成金属氧化物层;以及氧化处理容器中的金属氧化物层的步骤 以及点燃蚀刻步骤，将气体引入到金属氧化物层中并且在金属氧化物层中形成金属络合物以执行蚀刻。

公开(公告)号：KR1020130129937A

公开(公告)日：2013-11-29

申请号：KR1020137012435

申请日：2011-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  티안차이종 ,  사사키마사루 ,  미하라나오키 ,  마츠모토나오키 ,  모야마가즈키 ,  요시카와준

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3244

Abstract: 본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 기판을 탑재하기 위한 탑재대가 마련되는 처리 용기, 상기 처리 용기 내로 제1 가스를 공급하도록 구성되는 제1 가스 공급 유닛, 상기 제1 가스의 적어도 일부를 제1 플라즈마로 변환하도록 구성되는 제1 플라즈마 생성 유닛, 상기 처리 용기 내로 제2 가스를 공급하도록 구성되는 제2 가스 공급 유닛, 및 상기 제2 가스의 적어도 일부를 제2 플라즈마로 변환하도록 구성되는 제2 플라즈마 생성 유닛을 포함한다. 탑재대로부터 제2 가스의 유입구의 높이는, 탑재대로부터 제1 가스의 유입구의 높이보다 낮다.

公开(公告)号：KR101420078B1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：KR1020147012364

申请日：2012-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티안카이종 ,  마츠모토나오키 ,  고야마고지 ,  미하라나오키 ,  다카하시가즈키 ,  요시카와준 ,  모야마가즈키 ,  다니카와다케히로

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32238

Abstract: 플라즈마 처리 장치용 이 유전체창은, 마이크로파를 플라즈마원으로 하는 플라즈마 처리 장치에 제공되고, 유전체창은 원판형이며, 마이크로파의 전파를 허용한다. 플라즈마 처리 장치용 유전체창은, 유전체창이 플라즈마 처리 장치에 제공될 때에 플라즈마가 생성되는 하면에 제공되며, 하면측에 개구를 갖고, 플라즈마 처리 장치용 유전체창의 판두께 방향으로 패인 오목부를 갖는다. 오목부는, 판두께 방향에 수직인 방향으로 연장되는 저면; 저면의 둘레 가장자리로부터 오목부의 개구측을 향하여 판두께 방향으로 연장되는 측면; 및 측면의 개구측의 둘레 가장자리로부터 오목부의 개구측을 향하여 판두께 방향에 대하여 경사져 연장되는 경사면을 갖는다.

公开(公告)号：KR101378693B1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：KR1020137006702

申请日：2011-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  센다다카히로 ,  니시모토신야 ,  야마가미무네타카 ,  모야마가즈키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/66 ,  G01N21/892

CPC classification number: G01N21/55 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/31116 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: [과제] 평판 슬롯 안테나의 전자파 방사 특성의 균일성에 영향을 미치지 않고서 파장 영역이 넓은 비코히어런트의 모니터광을 이용하여, 처리 용기 내의 피처리 기판의 표면에 대한 광학적인 모니터링을 고정밀도로 행한다.
[해결수단] 이 마이크로파 플라즈마 에칭 장치에 있어서의 광학 모니터 장치(100)는, 서셉터(12) 상에 배치되는 반도체 웨이퍼(W)의 엣지보다도 반경 방향 내측에 있고, 또한 동축관(66)보다도 반경 방향 외측의 위치이며, 커버 플레이트(72) 위에 배치되는 모니터 헤드(102)와, 이 모니터 헤드(102)로부터 수직 아래쪽으로 커버 플레이트(72), 유전체판(56), 슬롯판(54) 및 유전체창(52)을 종단하여 형성되는 모니터링용의 광 도파로(104)와, 광 파이버(106)를 통해 모니터 헤드(102)와 광학적으로 결합되는 모니터 본체(108)를 갖고 있다.

公开(公告)号：KR100995219B1

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：KR1020087019887

申请日：2007-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 노자와도시히사 ,  모야마가즈키 ,  오미다다히로 ,  가와무라추이치 ,  요시노기미히코

IPC: H05B33/10 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0017 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/56

Abstract: 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에 발광층을 포함하는 유기층이 형성되어 이루어지는 발광 소자를, 피처리 기판 상에 형성하는 기판 처리 장치로서, 상기 피처리 기판 상에 형성된 상기 제 1 전극 상에 상기 유기층을 형성하는 유기층 형성 장치와, 상기 유기층 상에 상기 제 2 전극을 형성하는 전극 형성 장치와, 상기 유기층을 에칭하는 에칭 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.

公开(公告)号：KR102036944B1

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：KR1020147026974

申请日：2012-11-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다니가와다케히로 ,  모야마가즈키

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00 ,  B23Q3/15 ,  H01L21/677 ,  H01L21/304

公开(公告)号：KR1020150011794A

公开(公告)日：2015-02-02

申请号：KR1020147026974

申请日：2012-11-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다니가와다케히로 ,  모야마가즈키

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00 ,  B23Q3/15 ,  H01L21/677 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6831 ,  C23C16/4401 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/32137 ,  Y10T29/49998

Abstract: 피처리 기체(基體)를 처리 용기 내에 반입하기 전에, 상기 처리 용기 내에 있어서 피처리 기체를 정전 흡착하는 정전척에 전압을 부여하는 공정과, 정전척에 전압을 부여하는 공정 후에, 처리 용기 내에 피처리 기체를 반입하는 공정을 포함한다. 또한, 정전척에 전압을 부여하는 공정에서는, 정전척을 둘러싸도록 설치된 포커스 링(focus ring)과 피처리 기체 사이의 전위차를 저감하도록, 정전척에 전압이 부여된다.

Abstract translation: 本发明包括以下步骤：在将待处理基材装入处理容器之前，将处理容器内的电压施加到静电吸附于被处理基材的静电吸盘上， 以及在将电压施加到静电卡盘之后，待处理的基材被输送到处理容器中的步骤。 在向静电卡盘施加电压的步骤中，向静电卡盘施加电压，以减小围绕静电卡盘的被配置环与被处理基材之间的电位差。

公开(公告)号：KR1020080089482A

公开(公告)日：2008-10-06

申请号：KR1020087019887

申请日：2007-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 노자와도시히사 ,  모야마가즈키 ,  오미다다히로 ,  가와무라추이치 ,  요시노기미히코

IPC: H05B33/10 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0017 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/56 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/32136 ,  H01L51/0008

Abstract: Disclosed is a substrate processing apparatus for forming a light-emitting device, wherein an organic layer containing a light-emitting layer is formed between a first electrode and a second electrode, on a substrate to be processed. This substrate processing apparatus is characterized by comprising an organic layer-forming device for forming the organic layer on the first electrode formed on the substrate to be processed, an electrode-forming device for forming the second electrode on the organic layer, and an etching device for etching the organic layer.

Abstract translation: 公开了一种用于形成发光器件的衬底处理设备，其中在第一电极和第二电极之间，在待处理的衬底上形成包含发光层的有机层。 该基板处理装置的特征在于，包括在形成于被处理基板上的第一电极上形成有机层的有机层形成装置，在有机层上形成第二电极的电极形成装置和蚀刻装置 用于蚀刻有机层。

公开(公告)号：KR1020170007172A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：KR1020160086634

申请日：2016-07-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 토호쿠 테크노 아치

Inventor： 노자와도시히사 ,  모야마가즈키 ,  미야마료 ,  사무카와세이지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/4401 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32467

Abstract: 본발명은, 칸막이판의소모및 피처리체의오염을억제하는것을목적으로한다. 플라즈마처리장치(10)는, 처리용기(12)와, 칸막이판(40)을갖는다. 칸막이판(40)은, 절연성재료로형성되고, 복수의개구(40h)를가지며, 처리용기(12) 내를플라즈마생성실(S1)과처리실(S2)로구획한다. 또한, 칸막이판(40)의처리실(S2) 측의면에는, 도전성재료로형성된도전성부재(40a)가설치된다. 도전성부재(40a)에는, 교류전압, 또는, 플라즈마생성실(S1)로부터각각의개구(40h)를통해처리실(S2)로유도하는하전입자의극성과반대극성의직류전압중 적어도어느하나의전압이인가된다.

Abstract translation: 一种等离子体处理装置，包括：处理容器; 以及由绝缘材料制成的隔板，具有多个开口，并被构造成将处理容器的内部分隔成等离子体产生室和处理室。 在隔板的处理室侧的表面上设置由导电材料制成的第一导电构件，并且向第一导电构件施加交流电压和极性相反的直流电压中的至少一个 到通过每个开口从等离子体产生室引导到处理室中的带电粒子的极性。

公开(公告)号：KR1020130136451A

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：KR1020137006702

申请日：2011-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  센다다카히로 ,  니시모토신야 ,  야마가미무네타카 ,  모야마가즈키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/66 ,  G01N21/892

CPC classification number: G01N21/55 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/31116 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: [Problem] To carry out high accuracy optical monitoring of the surface of a substrate to be treated inside a treatment vessel using non-coherent monitor light having a wide wavelength range, without affecting the uniformity of the electromagnetic radiation from a planar slot antenna. [Solution] The optical monitor device 100 of the present microwave plasma etching device has: a monitor head 102 located in a position more radially inward than the edge of a semiconductor wafer W mounted on a susceptor 12, more radially outward than a coaxial pipe 66, and above a cover plate 72; an optical waveguide 104 for monitoring provided vertically below the monitor head 102, and longitudinally traversing the cooling plate 72, a dielectric plate 54, and a dielectric window 52; and a monitor main body optically connected to the monitor head 102 via an optical fiber 106.