公开(公告)号：KR101923808B1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：KR1020170014231

申请日：2017-02-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시라가겐타로 ,  아키야마고지 ,  미야하라쥰야 ,  후지노유타카

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/423 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01J49/10 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/321 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: (과제) 공정의증가를억제하면서곤란성을수반하는일 없이 MOS 트랜지스터의임계치제어를행한다. (해결수단) 반도체기판의주면의 MOS 트랜지스터의채널영역에, 게이트절연막을형성하고, 게이트절연막의위에제 1 전극층을형성하고, 제 1 전극층의위에, 일함수조정용금속을포함하는제 2 전극층을형성하고, 그후, 마이크로파플라즈마처리장치에의한산화처리또는질화처리에의해, 일함수조정용금속을불활성화하고, 상기 MOS 트랜지스터의임계치제어를행한다.

公开(公告)号：KR1020170092114A

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：KR1020170014231

申请日：2017-02-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시라가겐타로 ,  아키야마고지 ,  미야하라쥰야 ,  후지노유타카

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/423 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01J49/10 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/321 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: (과제) 공정의증가를억제하면서곤란성을수반하는일 없이 MOS 트랜지스터의임계치제어를행한다. (해결수단) 반도체기판의주면의 MOS 트랜지스터의채널영역에, 게이트절연막을형성하고, 게이트절연막의위에제 1 전극층을형성하고, 제 1 전극층의위에, 일함수조정용금속을포함하는제 2 전극층을형성하고, 그후, 마이크로파플라즈마처리장치에의한산화처리또는질화처리에의해, 일함수조정용금속을불활성화하고, 상기 MOS 트랜지스터의임계치제어를행한다.

Abstract translation: （问题）MOS晶体管的阈值控制是在不增加难度的情况下进行的，同时抑制了处理的增加。 在栅绝缘膜上形成第一电极层;在第一电极层上形成包含功函数调节金属的第二电极层; 之后，通过利用微波等离子体处理装置的氧化处理或硝化处理，使功函数调整用金属失活，进行MOS晶体管的阈值控制。