公开(公告)号：KR101923808B1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：KR1020170014231

申请日：2017-02-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시라가겐타로 ,  아키야마고지 ,  미야하라쥰야 ,  후지노유타카

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/423 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01J49/10 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/321 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: (과제) 공정의증가를억제하면서곤란성을수반하는일 없이 MOS 트랜지스터의임계치제어를행한다. (해결수단) 반도체기판의주면의 MOS 트랜지스터의채널영역에, 게이트절연막을형성하고, 게이트절연막의위에제 1 전극층을형성하고, 제 1 전극층의위에, 일함수조정용금속을포함하는제 2 전극층을형성하고, 그후, 마이크로파플라즈마처리장치에의한산화처리또는질화처리에의해, 일함수조정용금속을불활성화하고, 상기 MOS 트랜지스터의임계치제어를행한다.

公开(公告)号：KR1020170092114A

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：KR1020170014231

申请日：2017-02-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시라가겐타로 ,  아키야마고지 ,  미야하라쥰야 ,  후지노유타카

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/423 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01J49/10 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/321 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: (과제) 공정의증가를억제하면서곤란성을수반하는일 없이 MOS 트랜지스터의임계치제어를행한다. (해결수단) 반도체기판의주면의 MOS 트랜지스터의채널영역에, 게이트절연막을형성하고, 게이트절연막의위에제 1 전극층을형성하고, 제 1 전극층의위에, 일함수조정용금속을포함하는제 2 전극층을형성하고, 그후, 마이크로파플라즈마처리장치에의한산화처리또는질화처리에의해, 일함수조정용금속을불활성화하고, 상기 MOS 트랜지스터의임계치제어를행한다.

Abstract translation: （问题）MOS晶体管的阈值控制是在不增加难度的情况下进行的，同时抑制了处理的增加。 在栅绝缘膜上形成第一电极层;在第一电极层上形成包含功函数调节金属的第二电极层; 之后，通过利用微波等离子体处理装置的氧化处理或硝化处理，使功函数调整用金属失活，进行MOS晶体管的阈值控制。

公开(公告)号：KR1020150023508A

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：KR1020147036645

申请日：2013-04-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베요시마사 ,  시라가겐타로

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/22 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/265

Abstract: 불순물 확산층 형성 영역을 아모퍼스화하는 공정(공정 1)과, 반도체 기판에 있어서의 불순물 확산층 형성 영역에 불순물을 도핑하는 공정(공정 2)과, 불순물을 도핑한 후의 반도체 기판에, 가열 램프를 이용한 램프 어닐링과 마이크로파를 조사하는 마이크로파 어닐링을 포함하는 어닐링 처리를 실시하여 불순물을 활성화하는 공정(공정 3)을 갖는다. 공정 3에 의해, 불순물을, 활성화 이외에 재결정화 및 결정 결함의 복구가 행해진다. 공정 1은 필수적인 것은 아니다.