公开(公告)号：KR100783845B1

公开(公告)日：2007-12-10

申请号：KR1020070059454

申请日：2007-06-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시즈카호타카 ,  사토고히치 ,  쳉팡 ,  요시오카마사오 ,  스즈키겐지 ,  미조구치야스타카

IPC: C23C16/455

Abstract: 작업처리량(throughput)을 향상시킬 수 있고, 또한 매립성을 향상시켜서 예컨대 매립 구멍의 직경이 작더라도, 매립 특성이 양호한 텅스텐막의 형성 방법을 제공한다.
처리 용기(22) 내에서 피처리체(W)에 텅스텐막을 형성함에 있어서, 환원 가스를 공급하는 환원 가스 공급 공정 및 텅스텐-함유 가스를 공급하는 텅스텐 가스 공급 공정을 교대로 반복하도록 하여 초기 텅스텐막을 형성하는 초기 텅스텐막 형성 공정(79), 처리 용기내에 환원 가스를 유동시키면서 텅스텐-함유 가스의 유량을 증가시켜서 처리 용기내의 압력을 점차로 상승시키면서 패시베이션막(passivation film)을 형성하는 패시베이션 텅스텐막 형성 공정(84), 및 환원 가스 및 텅스텐-함유 가스를 계속적으로 유동시켜 주 텅스텐막을 형성하는 주 텅스텐막 형성 공정(80)을 갖는다.

公开(公告)号：KR100939124B1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：KR1020077030782

申请日：2006-06-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기우라마사히토 ,  미조구치야스타카 ,  아이바야스시

IPC: C23C16/14 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 종래보다도 저항율이 작고, 베이스의 배리어층과의 경계 부분의 불소 농도가 낮고, 배리어층과의 밀착성이 높은 텅스텐막을 형성한다. 처리용기(14)내의 웨이퍼(M)에, 실리콘 함유 가스를 공급하는 공정과, 상기 공정후에 텅스텐 함유 가스를 공급하는 텅스텐 함유 가스 공급 스텝과 실리콘을 포함하지 않는 수소 화합물 가스를 공급하는 수소 화합물 가스 공급 스텝을, 양 스텝사이에 상기 처리용기내에 불활성 가스를 공급하는 퍼지 스텝 및/또는 처리용기를 진공 흡인하는 진공 흡인 스텝을 개재시켜, 교대로 반복 실행함으로써 제 1의 텅스텐막(70)을 형성하는 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020080015129A

公开(公告)日：2008-02-18

申请号：KR1020077030782

申请日：2006-06-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기우라마사히토 ,  미조구치야스타카 ,  아이바야스시

IPC: C23C16/14 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: Disclosed is a method for forming a tungsten film which has a lower resistivity, a lower fluorine concentration in the boundary with a foundation barrier layer, and a higher adhesion to the barrier layer when compared with conventional tungsten films. Specifically disclosed is a method comprising a step for supplying a silicon-containing gas to a wafer M in a processing chamber (14), and a following step for forming a first tungsten film (70) wherein a tungsten-containing gas supply step for feeding a tungsten-containing gas and a hydrogen compound gas supply step for feeding a hydrogen compound gas containing no silicon are alternately repeated while performing a purge step for supplying an inert gas into the processing chamber and/or an evacuation step for vacuum evacuating the processing chamber between those gas supply steps.

Abstract translation: 本发明公开了一种形成具有较低电阻率的钨膜的方法，与基底阻挡层的边界中的氟浓度较低，并且与常规钨膜相比具有较高的对阻挡层的粘附性。 具体公开了一种方法，其包括将处理室（14）中的含硅气体供给到晶片M的步骤，以及用于形成第一钨膜（70）的后续步骤，其中，含钨气体供给步骤 交替地重复供给不含硅的氢化合物气体的含钨气体和氢气化合物气体供给步骤，同时执行用于向处理室供给惰性气体的净化步骤和/或真空抽真空处理室 在这些供气步骤之间。

公开(公告)号：KR100785534B1

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：KR1020040015267

申请日：2004-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시즈카호타카 ,  사토고히치 ,  쳉팡 ,  요시오카마사오 ,  스즈키겐지 ,  미조구치야스타카

IPC: C23C16/455

Abstract: 작업처리량(throughput)을 향상시킬 수 있고, 또한 매립성을 향상시켜서 예컨대 매립 구멍의 직경이 작더라도, 매립 특성이 양호한 텅스텐막의 형성 방법을 제공한다.
처리 용기(22) 내에서 피처리체(W)에 텅스텐막을 형성함에 있어서, 환원 가스를 공급하는 환원 가스 공급 공정 및 텅스텐-함유 가스를 공급하는 텅스텐 가스 공급 공정을 교대로 반복하도록 하여 초기 텅스텐막을 형성하는 초기 텅스텐막 형성 공정(79), 처리 용기내에 환원 가스를 유동시키면서 텅스텐-함유 가스의 유량을 증가시켜서 처리 용기내의 압력을 점차로 상승시키면서 패시베이션막(passivation film)을 형성하는 패시베이션 텅스텐막 형성 공정(84), 및 환원 가스 및 텅스텐-함유 가스를 계속적으로 유동시켜 주 텅스텐막을 형성하는 주 텅스텐막 형성 공정(80)을 갖는다.

Abstract translation: 本发明提供了一种形成钨膜的方法，其具有改善的生产量和改进的填充性能，使得即使当埋孔的直径小时，掩埋性也是好的。

公开(公告)号：KR1020070075383A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：KR1020070059454

申请日：2007-06-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시즈카호타카 ,  사토고히치 ,  쳉팡 ,  요시오카마사오 ,  스즈키겐지 ,  미조구치야스타카

IPC: C23C16/455

Abstract: A tungsten film-forming method which can improve throughput and can improve filling property so that good filling property is obtained although diameter of contact hole is small is provided. In a method of forming a tungsten film on a treatment object in a treatment container capable of performing vacuum suction, the method comprises: an initial tungsten film-forming process(79) of forming an initial tungsten film by alternately and repeatedly performing a reduction gas supply process(70) of supplying reduction gas and a tungsten gas supply process(72) of supplying tungsten-containing gas with a purging process(74) being interposed between the reduction gas supply process and the tungsten gas supply process to performing vacuum suction while supplying an inert gas; a passivation tungsten film-forming process(84) of forming a passivation tungsten film by passing the reduction gas and the tungsten-containing gas through the treatment container; and a principal tungsten film-forming process(80) of forming a principal tungsten film by continuously passing the reduction gas and the tungsten-containing gas through the treatment container.

Abstract translation: 提供一种可以提高生产量并且可以提高填充性能的钨成膜方法，尽管接触孔的直径小，但是获得了良好的填充性能。 在能够进行真空吸附的处理容器中的处理对象物上形成钨膜的方法中，所述方法包括：初始钨成膜工序（79），其通过交替地反复进行还原气体形成初始钨膜 供给还原气体的供给工序（70）以及供给含钨气体的钨气供给工序（72）与在还原气体供给工序和钨气供给工序之间插入清洗工序（74）进行真空抽吸，同时 供应惰性气体; 通过使还原气体和含钨气体通过处理容器形成钝化钨膜的钝化钨膜形成工艺（84）; 以及通过使还原气体和含钨气体连续通过处理容器来形成主要钨膜的主要钨成膜工艺（80）。

公开(公告)号：KR1020040079331A

公开(公告)日：2004-09-14

申请号：KR1020040015267

申请日：2004-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시즈카호타카 ,  사토고히치 ,  쳉팡 ,  요시오카마사오 ,  스즈키겐지 ,  미조구치야스타카

IPC: C23C16/455

Abstract: PURPOSE: To provide a tungsten film forming method which is capable of improving throughput and improving filling property so that good filling property is obtained although diameter of contact hole is small. CONSTITUTION: In a method of forming a tungsten film on a surface of an object to be processed in a processing container capable of performing vacuum suction, the method comprises an initial tungsten film forming process(79) of forming an initial tungsten film by alternately repeatedly carrying out a reduction gas supply process(70) of supplying reduction gas and a tungsten gas supply process(72) of supplying tungsten contained gas with a purging process(74) of performing vacuum suction as supplying an inert gas being interposed between the reduction gas supply process and the tungsten gas supply process; a passivation tungsten film forming process(84) of forming a passivation tungsten film by passing the reduction gas and the tungsten contained gas through the processing container; and a principal tungsten film forming process(80) of forming a principal passivation tungsten film by continuously passing the reduction gas and the tungsten contained gas through the processing container.

Abstract translation: 目的：提供能够提高生产量并提高填充性能的钨成膜方法，尽管接触孔的直径小，但是获得良好的填充性能。 构成：在能够进行真空吸附的处理容器中在待加工物体的表面上形成钨膜的方法中，该方法包括通过交替重复形成初始钨膜的初始钨成膜工艺（79） 进行供给还原气体的还原气体供给工序（70）以及供给含钨气体的钨气供给工序（72）以及进行真空抽吸的清洗工序（74），供给夹在还原气体 供应过程和钨气供应过程; 通过使还原气体和含钨气体通过处理容器形成钝化钨膜的钝化钨膜形成工艺（84）; 以及通过使还原气体和含钨气体连续通过处理容器来形成主钝化钨膜的主要钨成膜工艺（80）。