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公开(公告)号：KR100783845B1
公开(公告)日：2007-12-10
申请号：KR1020070059454
申请日：2007-06-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/455
Abstract: 작업처리량(throughput)을 향상시킬 수 있고, 또한 매립성을 향상시켜서 예컨대 매립 구멍의 직경이 작더라도, 매립 특성이 양호한 텅스텐막의 형성 방법을 제공한다.
처리 용기(22) 내에서 피처리체(W)에 텅스텐막을 형성함에 있어서, 환원 가스를 공급하는 환원 가스 공급 공정 및 텅스텐-함유 가스를 공급하는 텅스텐 가스 공급 공정을 교대로 반복하도록 하여 초기 텅스텐막을 형성하는 초기 텅스텐막 형성 공정(79), 처리 용기내에 환원 가스를 유동시키면서 텅스텐-함유 가스의 유량을 증가시켜서 처리 용기내의 압력을 점차로 상승시키면서 패시베이션막(passivation film)을 형성하는 패시베이션 텅스텐막 형성 공정(84), 및 환원 가스 및 텅스텐-함유 가스를 계속적으로 유동시켜 주 텅스텐막을 형성하는 주 텅스텐막 형성 공정(80)을 갖는다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100785534B1
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：KR1020040015267
申请日：2004-03-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/455
Abstract: 작업처리량(throughput)을 향상시킬 수 있고, 또한 매립성을 향상시켜서 예컨대 매립 구멍의 직경이 작더라도, 매립 특성이 양호한 텅스텐막의 형성 방법을 제공한다.
처리 용기(22) 내에서 피처리체(W)에 텅스텐막을 형성함에 있어서, 환원 가스를 공급하는 환원 가스 공급 공정 및 텅스텐-함유 가스를 공급하는 텅스텐 가스 공급 공정을 교대로 반복하도록 하여 초기 텅스텐막을 형성하는 초기 텅스텐막 형성 공정(79), 처리 용기내에 환원 가스를 유동시키면서 텅스텐-함유 가스의 유량을 증가시켜서 처리 용기내의 압력을 점차로 상승시키면서 패시베이션막(passivation film)을 형성하는 패시베이션 텅스텐막 형성 공정(84), 및 환원 가스 및 텅스텐-함유 가스를 계속적으로 유동시켜 주 텅스텐막을 형성하는 주 텅스텐막 형성 공정(80)을 갖는다.Abstract translation: 本发明提供了一种形成钨膜的方法，其具有改善的生产量和改进的填充性能，使得即使当埋孔的直径小时，掩埋性也是好的。
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公开(公告)号：KR100776057B1
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：KR1020060105843
申请日：2006-10-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/304
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45572 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 본 발명의 과제는 CVD 장치 등에 이용되고, 니켈 부재를 조립하여 구성되는 가스 샤워헤드(가스 공급 장치)에 있어서, 고온에 의한 니켈 부재끼리의 부착을 방지하는 것이다. 다수의 가스 공급 구멍이 형성된 니켈 부재로 이루어지는 샤워 플레이트와, 이 샤워 플레이트와의 사이에 처리 가스의 통류 공간이 형성되는 동시에 처리 용기의 천정부의 개구부의 주연부에 기밀하게 장착되는 니켈 부재로 이루어지는 베이스 부재를, 서로 주연부에서 나사로 접합하는 데 있어서, 서로의 접합면 사이에 니켈 부재와는 다른 재질, 예를 들어 하스텔로이나 카본 등의 중간 부재를 개재시킨다.
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公开(公告)号：KR1020070046749A
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：KR1020060105843
申请日：2006-10-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/304
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45572 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 본 발명의 과제는 CVD 장치 등에 이용되고, 니켈 부재를 조립하여 구성되는 가스 샤워헤드(가스 공급 장치)에 있어서, 고온에 의한 니켈 부재끼리의 부착을 방지하는 것이다. 다수의 가스 공급 구멍이 형성된 니켈 부재로 이루어지는 샤워 플레이트와, 이 샤워 플레이트와의 사이에 처리 가스의 통류 공간이 형성되는 동시에 처리 용기의 천정부의 개구부의 주연부에 기밀하게 장착되는 니켈 부재로 이루어지는 베이스 부재를, 서로 주연부에서 나사로 접합하는 데 있어서, 서로의 접합면 사이에 니켈 부재와는 다른 재질, 예를 들어 하스텔로이나 카본 등의 중간 부재를 개재시킨다.
Abstract translation: 本发明的一个目的是被用于CVD装置，气体喷头（气体供给单元）通过组装镍构件和防止由于高温镍部件之间的粘合配置。 多个由镍部件的喷淋板的形成有气体供给孔，则在所形成的工艺气体的通流面积，包括镍构件被气密地安装于处理容器底部构件的所述开口的顶部的周缘部的同时喷淋板之间设置 一个，根据在彼此的周缘部的螺纹接头中，每个镍构件和中间构件的表面之间的接合被插入，例如不同的材料，如Hastelloy或碳。
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公开(公告)号：KR1020070075383A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：KR1020070059454
申请日：2007-06-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/455
Abstract: A tungsten film-forming method which can improve throughput and can improve filling property so that good filling property is obtained although diameter of contact hole is small is provided. In a method of forming a tungsten film on a treatment object in a treatment container capable of performing vacuum suction, the method comprises: an initial tungsten film-forming process(79) of forming an initial tungsten film by alternately and repeatedly performing a reduction gas supply process(70) of supplying reduction gas and a tungsten gas supply process(72) of supplying tungsten-containing gas with a purging process(74) being interposed between the reduction gas supply process and the tungsten gas supply process to performing vacuum suction while supplying an inert gas; a passivation tungsten film-forming process(84) of forming a passivation tungsten film by passing the reduction gas and the tungsten-containing gas through the treatment container; and a principal tungsten film-forming process(80) of forming a principal tungsten film by continuously passing the reduction gas and the tungsten-containing gas through the treatment container.
Abstract translation: 提供一种可以提高生产量并且可以提高填充性能的钨成膜方法，尽管接触孔的直径小，但是获得了良好的填充性能。 在能够进行真空吸附的处理容器中的处理对象物上形成钨膜的方法中，所述方法包括：初始钨成膜工序（79），其通过交替地反复进行还原气体形成初始钨膜 供给还原气体的供给工序（70）以及供给含钨气体的钨气供给工序（72）与在还原气体供给工序和钨气供给工序之间插入清洗工序（74）进行真空抽吸，同时 供应惰性气体; 通过使还原气体和含钨气体通过处理容器形成钝化钨膜的钝化钨膜形成工艺（84）; 以及通过使还原气体和含钨气体连续通过处理容器来形成主要钨膜的主要钨成膜工艺（80）。
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公开(公告)号：KR1020040079331A
公开(公告)日：2004-09-14
申请号：KR1020040015267
申请日：2004-03-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/455
Abstract: PURPOSE: To provide a tungsten film forming method which is capable of improving throughput and improving filling property so that good filling property is obtained although diameter of contact hole is small. CONSTITUTION: In a method of forming a tungsten film on a surface of an object to be processed in a processing container capable of performing vacuum suction, the method comprises an initial tungsten film forming process(79) of forming an initial tungsten film by alternately repeatedly carrying out a reduction gas supply process(70) of supplying reduction gas and a tungsten gas supply process(72) of supplying tungsten contained gas with a purging process(74) of performing vacuum suction as supplying an inert gas being interposed between the reduction gas supply process and the tungsten gas supply process; a passivation tungsten film forming process(84) of forming a passivation tungsten film by passing the reduction gas and the tungsten contained gas through the processing container; and a principal tungsten film forming process(80) of forming a principal passivation tungsten film by continuously passing the reduction gas and the tungsten contained gas through the processing container.
Abstract translation: 目的：提供能够提高生产量并提高填充性能的钨成膜方法，尽管接触孔的直径小，但是获得良好的填充性能。 构成：在能够进行真空吸附的处理容器中在待加工物体的表面上形成钨膜的方法中，该方法包括通过交替重复形成初始钨膜的初始钨成膜工艺（79） 进行供给还原气体的还原气体供给工序（70）以及供给含钨气体的钨气供给工序（72）以及进行真空抽吸的清洗工序（74），供给夹在还原气体 供应过程和钨气供应过程; 通过使还原气体和含钨气体通过处理容器形成钝化钨膜的钝化钨膜形成工艺（84）; 以及通过使还原气体和含钨气体连续通过处理容器来形成主钝化钨膜的主要钨成膜工艺（80）。
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