公开(公告)号：KR100785534B1

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：KR1020040015267

申请日：2004-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시즈카호타카 ,  사토고히치 ,  쳉팡 ,  요시오카마사오 ,  스즈키겐지 ,  미조구치야스타카

IPC: C23C16/455

Abstract: 작업처리량(throughput)을 향상시킬 수 있고, 또한 매립성을 향상시켜서 예컨대 매립 구멍의 직경이 작더라도, 매립 특성이 양호한 텅스텐막의 형성 방법을 제공한다.
처리 용기(22) 내에서 피처리체(W)에 텅스텐막을 형성함에 있어서, 환원 가스를 공급하는 환원 가스 공급 공정 및 텅스텐-함유 가스를 공급하는 텅스텐 가스 공급 공정을 교대로 반복하도록 하여 초기 텅스텐막을 형성하는 초기 텅스텐막 형성 공정(79), 처리 용기내에 환원 가스를 유동시키면서 텅스텐-함유 가스의 유량을 증가시켜서 처리 용기내의 압력을 점차로 상승시키면서 패시베이션막(passivation film)을 형성하는 패시베이션 텅스텐막 형성 공정(84), 및 환원 가스 및 텅스텐-함유 가스를 계속적으로 유동시켜 주 텅스텐막을 형성하는 주 텅스텐막 형성 공정(80)을 갖는다.

Abstract translation: 本发明提供了一种形成钨膜的方法，其具有改善的生产量和改进的填充性能，使得即使当埋孔的直径小时，掩埋性也是好的。

公开(公告)号：KR1020080025756A

公开(公告)日：2008-03-21

申请号：KR1020087003005

申请日：2006-07-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다치바나미츠히로 ,  스기우라마사히토 ,  니시모리다카시 ,  사토고히치

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  C23C16/08

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: It is intended to form a metallic film with resistance lower than in the prior art through controlling of crystal structure. The method may comprise the first tungsten film forming step and the second tungsten film forming step. In the first tungsten film forming step, the step of feeding, for example, WF6 gas as a metallic raw material gas and the step of feeding, for example,SiH4 gas as a hydrogen compound gas are alternately repeatedly carried out with the purging step of feeding an inert gas, for example, Ar gas or N2 gas interposed between the above steps to thereby form the first tungsten film containing amorphous matter. In the second tungsten film forming step, the WF6 gas and a reducing gas, for example, H 2 gas are simultaneously fed over the first tungsten film so as to form the second tungsten film. The ratio of amorphous matter contained in the first tungsten film is controlled by varying the execution time of the purging step ensuing the step of feeding SiH4 gas. ® KIPO & WIPO 2008

Abstract translation: 旨在通过控制晶体结构形成具有比现有技术更低的电阻的金属膜。 该方法可以包括第一钨膜形成步骤和第二钨膜形成步骤。 在第一钨成膜工序中，例如将作为金属原料气体的WF 6气体进料的步骤和例如作为氢化合物气体的SiH 4气体的供给步骤交替反复进行， 在上述步骤之间插入惰性气体，例如Ar气体或N 2气体，从而形成含有无定形物质的第一钨膜。 在第二钨膜形成工序中，将WF 6气体和还原气体例如H 2气体同时供给到第一钨膜上，形成第二钨膜。 包含在第一钨膜中的无定形物的比率通过改变进行SiH 4气体的步骤之后的清洗步骤的执行时间来控制。 ®KIPO＆WIPO 2008

公开(公告)号：KR100991566B1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：KR1020087003005

申请日：2006-07-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다치바나미츠히로 ,  스기우라마사히토 ,  니시모리다카시 ,  사토고히치

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  C23C16/08

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 결정 구조를 컨트롤함으로써 종래 이상으로 낮은 저항을 갖는 금속계막을 형성한다. 금속계 원료 가스로서 예컨대 WF
6
가스를 공급하는 단계와 수소 화합물 가스로서 예컨대 SiH
4
가스를 공급하는 단계를 불활성 가스 예컨대 Ar 가스, N
2 가스를 공급하는 퍼지 단계를 개재시켜 교대로 반복 실행함으로써 비정질을 포함하는 제1 텅스텐막을 형성하는 제1 텅스텐막 형성 단계와, 제1 텅스텐막 상에 상기 WF
6
가스와 환원성 가스로서 예컨대 H
2
가스를 동시에 공급함으로써 제2 텅스텐막을 형성하는 제2 텅스텐막 형성 단계를 포함한다. SiH
4
가스를 공급하는 단계 이후의 퍼지 단계의 실행 시간을 바꿈으로써 제1 텅스텐막이 포함하는 비정질의 비율을 컨트롤한다.

公开(公告)号：KR100783845B1

公开(公告)日：2007-12-10

申请号：KR1020070059454

申请日：2007-06-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시즈카호타카 ,  사토고히치 ,  쳉팡 ,  요시오카마사오 ,  스즈키겐지 ,  미조구치야스타카

IPC: C23C16/455

Abstract: 작업처리량(throughput)을 향상시킬 수 있고, 또한 매립성을 향상시켜서 예컨대 매립 구멍의 직경이 작더라도, 매립 특성이 양호한 텅스텐막의 형성 방법을 제공한다.
처리 용기(22) 내에서 피처리체(W)에 텅스텐막을 형성함에 있어서, 환원 가스를 공급하는 환원 가스 공급 공정 및 텅스텐-함유 가스를 공급하는 텅스텐 가스 공급 공정을 교대로 반복하도록 하여 초기 텅스텐막을 형성하는 초기 텅스텐막 형성 공정(79), 처리 용기내에 환원 가스를 유동시키면서 텅스텐-함유 가스의 유량을 증가시켜서 처리 용기내의 압력을 점차로 상승시키면서 패시베이션막(passivation film)을 형성하는 패시베이션 텅스텐막 형성 공정(84), 및 환원 가스 및 텅스텐-함유 가스를 계속적으로 유동시켜 주 텅스텐막을 형성하는 주 텅스텐막 형성 공정(80)을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020070075383A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：KR1020070059454

申请日：2007-06-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시즈카호타카 ,  사토고히치 ,  쳉팡 ,  요시오카마사오 ,  스즈키겐지 ,  미조구치야스타카

IPC: C23C16/455

Abstract: A tungsten film-forming method which can improve throughput and can improve filling property so that good filling property is obtained although diameter of contact hole is small is provided. In a method of forming a tungsten film on a treatment object in a treatment container capable of performing vacuum suction, the method comprises: an initial tungsten film-forming process(79) of forming an initial tungsten film by alternately and repeatedly performing a reduction gas supply process(70) of supplying reduction gas and a tungsten gas supply process(72) of supplying tungsten-containing gas with a purging process(74) being interposed between the reduction gas supply process and the tungsten gas supply process to performing vacuum suction while supplying an inert gas; a passivation tungsten film-forming process(84) of forming a passivation tungsten film by passing the reduction gas and the tungsten-containing gas through the treatment container; and a principal tungsten film-forming process(80) of forming a principal tungsten film by continuously passing the reduction gas and the tungsten-containing gas through the treatment container.

Abstract translation: 提供一种可以提高生产量并且可以提高填充性能的钨成膜方法，尽管接触孔的直径小，但是获得了良好的填充性能。 在能够进行真空吸附的处理容器中的处理对象物上形成钨膜的方法中，所述方法包括：初始钨成膜工序（79），其通过交替地反复进行还原气体形成初始钨膜 供给还原气体的供给工序（70）以及供给含钨气体的钨气供给工序（72）与在还原气体供给工序和钨气供给工序之间插入清洗工序（74）进行真空抽吸，同时 供应惰性气体; 通过使还原气体和含钨气体通过处理容器形成钝化钨膜的钝化钨膜形成工艺（84）; 以及通过使还原气体和含钨气体连续通过处理容器来形成主要钨膜的主要钨成膜工艺（80）。

公开(公告)号：KR1020040079331A

公开(公告)日：2004-09-14

申请号：KR1020040015267

申请日：2004-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시즈카호타카 ,  사토고히치 ,  쳉팡 ,  요시오카마사오 ,  스즈키겐지 ,  미조구치야스타카

IPC: C23C16/455

Abstract: PURPOSE: To provide a tungsten film forming method which is capable of improving throughput and improving filling property so that good filling property is obtained although diameter of contact hole is small. CONSTITUTION: In a method of forming a tungsten film on a surface of an object to be processed in a processing container capable of performing vacuum suction, the method comprises an initial tungsten film forming process(79) of forming an initial tungsten film by alternately repeatedly carrying out a reduction gas supply process(70) of supplying reduction gas and a tungsten gas supply process(72) of supplying tungsten contained gas with a purging process(74) of performing vacuum suction as supplying an inert gas being interposed between the reduction gas supply process and the tungsten gas supply process; a passivation tungsten film forming process(84) of forming a passivation tungsten film by passing the reduction gas and the tungsten contained gas through the processing container; and a principal tungsten film forming process(80) of forming a principal passivation tungsten film by continuously passing the reduction gas and the tungsten contained gas through the processing container.

Abstract translation: 目的：提供能够提高生产量并提高填充性能的钨成膜方法，尽管接触孔的直径小，但是获得良好的填充性能。 构成：在能够进行真空吸附的处理容器中在待加工物体的表面上形成钨膜的方法中，该方法包括通过交替重复形成初始钨膜的初始钨成膜工艺（79） 进行供给还原气体的还原气体供给工序（70）以及供给含钨气体的钨气供给工序（72）以及进行真空抽吸的清洗工序（74），供给夹在还原气体 供应过程和钨气供应过程; 通过使还原气体和含钨气体通过处理容器形成钝化钨膜的钝化钨膜形成工艺（84）; 以及通过使还原气体和含钨气体连续通过处理容器来形成主钝化钨膜的主要钨成膜工艺（80）。