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公开(公告)号：KR100611731B1
公开(公告)日：2006-08-11
申请号：KR1020000031751
申请日：2000-06-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03D5/00
Abstract: 본 발명은, 현상처리방법 및 현상처리장치에 관한 것으로서, 현상액 공급노즐로부터 현상액을 띠모양으로 공급하면서 현상액 공급노즐을 기판 상에서 스캔함에 의해 노광 후의 기판에 현상액을 도포하여 현상처리를 수행할 때, 현상액 공급노즐이 기판 상을 2회 이상 스캔하도록 하여 기판상에 현상액을 도포함으로써, 현상처리의 흐트러짐이 적어져 선폭(線幅) 균일성이 높은 현상처리를 수행할 수 있는 기술이 제시된다.
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公开(公告)号：KR100873720B1
公开(公告)日：2008-12-12
申请号：KR1020010032415
申请日：2001-06-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
Abstract: 본 발명은 기판표면에 현상액을 공급하여 기판을 현상처리하는 방법에 있어서, 현상액공급노즐이 기판에 대해서 상대적으로 이동하면서 기판표면에 현상액이 공급되는 제 1 공정과 기판이 제 1 소정시간 현상되는 제 2의 공정을 갖고, 제 2의 공정에 있어서는 제 1의 공정수료후 제 2의 소정시간 경과후에 기판표면의 현상액을 교반(攪拌)시키는 공정을 갖는다. 교반시키는 것에 의해 기판상의 현상액의 농도가 균일해지고 현상처리의 균일성이 향상한다.
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公开(公告)号：KR1020010112595A
公开(公告)日：2001-12-20
申请号：KR1020010032415
申请日：2001-06-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
Abstract: 본 발명은 기판표면에 현상액을 공급하여 기판을 현상처리하는 방법에 있어서, 현상액공급노즐이 기판에 대해서 상대적으로 이동하면서 기판표면에 현상액이 공급되는 제 1 공정과 기판이 제 1 소정시간 현상되는 제 2의 공정을 갖고, 제 2의 공정에 있어서는 제 1의 공정수료후 제 2의 소정시간 경과후에 기판표면의 현상액을 교반(攪拌)시키는 공정을 갖는다. 교반시키는 것에 의해 기판상의 현상액의 농도가 균일해지고 현상처리의 균일성이 향상한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100629746B1
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：KR1020000042965
申请日：2000-07-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/3021 , B05C11/08
Abstract: 본 발명은 현상장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 웨이퍼를 웨이퍼 보지부에 보지(保持)시키고, 웨이퍼 표면에 현상액을 공급하면서 웨이퍼를 180도 회전시켜 웨이퍼 표면에 현상액의 액덩어리(퍼들, puddle)를 형성시킨 후, 웨이퍼의 회전을 정지시켜 보지핀을 상승시킴으로써 웨이퍼 보지부로부터 웨이퍼를 건네받아, 당해 보지핀으로 웨이퍼를 웨이퍼 보지부로부터 부상시킨 상태로 보지하고, 소정시간 방치하여 현상을 실시함으로써, 열용량이 큰 웨이퍼 보지부로부터 웨이퍼에 대한 온도영향이 억제되어 웨이퍼의 면내에 있어서 현상액의 온도분포의 발생이 억지되기 때문에, 온도차가 원인인 현상얼룩의 발생이 억제되어 균일한 현상처리를 실시할 수 있으며, 또한 이로 인해 기판, 예를들어 웨이퍼애 대해 현상처리를 수행하는 경우에 처리의 균일성을 높일 수 있는 기술이 제시된다.
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公开(公告)号：KR100489764B1
公开(公告)日：2005-05-16
申请号：KR1019990001407
申请日：1999-01-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 예를들면, 반도체 웨이퍼 등의 피처리체 표면에 레지스트액 등의 도포액을 도포하는 도포장치에 관한 것이다. 종래의 도포장치에서는 제어장치에서 작동신호가 보내지기 때문에, 밸브 동작의 지연시간이 생기고, 웨이퍼의 회전에 대해서 레지스트액의 토출타이밍이 어긋나며, 도막불량이 생기는 문제점이 있었다. 본 발명은 도포액을 토출 및 수용하는노즐 및 용기와, 상기 용기내의 도포액을 노즐에 보내는 토출펌프와, 개폐속도를 전기적으로 조절하는 제어수단을 구비한밸브와, 상기 토출펌프의 작동을 제어하는 제어수단으로 이루어져, 상기 밸브의 개폐속도를 조절하는 속도조절수단을 사용하여, 밸브 작동의 지연시간을 짧게 할 수 있고, 상기 밸브로서 개폐밸브와 석백 밸브로 이루어진 것 및 이들 밸브의작동을 제어하는 제어부를 더 구비하고 있기 때문에, 상기의 밸브를 최적의 타이밍으로 작동시킬 수 있으며, 상기의 토출펌프 및 공급펌프에 압력검출수단 및 압력조절수단을 배설하여, 상기 밸브의 작동 및 상기 공급펌프의 압력을 조절하기때문에, 원가를 저감할 수 있음과 더불어, 레지스트액이 변질하는 것을 방지할 수 있는 열처리장치를 제시하고 � �다.
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公开(公告)号：KR1020010030008A
公开(公告)日：2001-04-16
申请号：KR1020000042965
申请日：2000-07-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/3021 , B05C11/08
Abstract: PURPOSE: A developing apparatus and a method thereof are provided to prevent a printing spot, caused by the temperature difference of developing solution, from occurring by maintain uniformally the temperature of the developing solution on a face of a substrate, consequently uniformity of developing processing can be improved. CONSTITUTION: While a wafer(W) is held at a wafer-holding section(2), and a developer(D) is supplied to the wafer surface, the wafer W is rotated by 180 deg., and the developer(D) is applied to the wafer surface. Then the rotation of the wafer(W) is stopped, a holding pin(4) is elevated to receive the wafer(W) from the wafer-holding section(2), and the wafer(W) is held by the holding pin(4), while floating over the wafer-holding section(2) and then left as it is for a prescribed time to perform development. Consequently, the influence of the temperature from the wafer-holding section(2) having large heat capacity to the wafer W is suppressed to suppress the generation of a temperature distribution of the developer in the surface of the wafer(W), so that a uniform developing process can be performed.
Abstract translation: 目的：提供一种显影装置及其方法，用于通过保持显影液在基材表面上的温度均匀而防止由显影液的温度差引起的印刷点，因此显影处理的均匀性可以 要改进 构成：当晶片（W）保持在晶片保持部分（2）处，并且将显影剂（D）供应到晶片表面时，晶片W旋转180度，显影剂（D）为 施加到晶片表面。 然后停止晶片（W）的旋转，提升保持销（4）以从晶片保持部（2）接收晶片（W），并且晶片（W）由保持销（ 4），同时漂浮在晶片保持部分（2）上，然后原样保持规定的时间进行显影。 因此，抑制来自具有大的热容量的晶片保持部（2）的温度对晶片W的影响，以抑制晶片（W）的表面中的显影剂的温度分布的产生，使得 可以进行均匀的显影处理。
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公开(公告)号：KR1020010007326A
公开(公告)日：2001-01-26
申请号：KR1020000031751
申请日：2000-06-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03D5/00
Abstract: PURPOSE: A method for development and a development system are provided to improve the uniformity of a line width and reduce the amount of development solution by performing uniformly a development process. CONSTITUTION: A development solution of a ribbon shape is discharged from a development solution nozzle(86). The development solution nozzle(86) scans an end portion of one side of a substrate to an end portion of the other side of the substrate by generating a relative movement between the development supply nozzle(86) and the substrate. The development solution nozzle(86) scans the substrate by generating the relative movement between the development supply nozzle(86) and the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种开发方法和开发系统，以通过均匀地进行显影处理来提高线宽的均匀性并减少显影液的量。 构成：带状形状的显影液从显影溶液喷嘴（86）排出。 显影溶液喷嘴（86）通过在显影供给喷嘴（86）和基板之间产生相对移动而将基板的一侧的端部扫描到基板的另一侧的端部。 显影溶液喷嘴（86）通过产生显影供给喷嘴（86）和基板之间的相对运动来扫描基板。
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公开(公告)号：KR1019990067979A
公开(公告)日：1999-08-25
申请号：KR1019990001407
申请日：1999-01-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 예를들면, 반도체 웨이퍼 등의 피처리체 표면에 레지스트액 등의 도포액을 도포하는 도포장치에 관한 것이다. 종래의 도포장치에서는 제어장치에서 작동신호가 보내지기 때문에, 밸브 동작의 지연시간이 생김고, 웨이퍼의 회전에 대해서 레지스트액의 토출타이밍이 어긋나며, 도막불량이 생기는 문제점이 있었다. 본 발명은 도포액을 토출 및 수용하는 노즐 및 용기와, 상기 용기내의 도포액을 노즐에 보내는 토출펌프와, 개폐속도를 전기적으로 조절하는 제어수단을 구비한 밸브와, 상기 토출펌프의 작동을 제어하는 제어수단으로 이루어져, 상기 밸브의 개폐속도를 조절하는 속도조절수단을 사용하여, 밸브 작동의 지연시간을 짧게 할 수 있고, 상기 밸브로서 개폐밸브와 석백 밸브로 이루어진 것 및 이들 밸브의 작동을 제어하는 제어부를 더 구비하고 있기 때문에, 상기의 밸브를 최적의 타이밍으로 작동시킬 수 있으며, 상기의 토출펌프 및 공급펌프에 압력검출수단 및 압력조절수단을 배설하여, 상기 밸브의 작동 및 상기 공급펌프의 압력을 조절하기 때문에, 원가를 저감할 수 있음과 더불어, 레지스트액이 변질하는 것을 방지할 수 있는 열처리장치를 제시하� � 있다.
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