公开(公告)号：KR102238599B1

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：KR1020140153622

申请日：2014-11-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와나가슈지 ,  니시야마타다시 ,  도미타히로시 ,  하세가와이즈미

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/027

Abstract: 웨이퍼의결함을분석함으로써, 잠재적인트러블을미연에방지한다. 기판의결함을분석하는장치로서, 피검사기판을촬상하는촬상장치와, 촬상된기판의화상에기초하여, 기판면내에서의결함의특징량을추출하는결함특징량추출부와, 복수의기판에대한상기결함의특징량을적산하여적산데이터(AH)를발생하는결함특징량적산부와, 적산한결함의특징량이소정의임계치를초과하고있는지여부를판정하는결함판정부와, 상기결함판정부에서의판정결과를출력하는출력부를가진다.

公开(公告)号：KR101951054B1

公开(公告)日：2019-02-21

申请号：KR1020130149777

申请日：2013-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와이즈미 ,  도미타히로시 ,  이와나가슈지 ,  니시야마다다시

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66

公开(公告)号：KR1020130025826A

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：KR1020120095423

申请日：2012-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까시마도모히로 ,  이노우에신 ,  하라요시따까 ,  하세가와이즈미 ,  오가따구니에 ,  모리다꾸야

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67288

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a substrate processing method and a storage medium are provided to improve the process efficiency for substrates by using only the normal nozzle for a liquid process. CONSTITUTION: A liquid process unit(2) includes nozzles and a liquid process module(20). A transfer unit(4) moves a substrate to a process block. A monitoring unit detects the discharging state of the nozzles. A control unit selects normal nozzles among the nozzles to perform a liquid process on the substrate. [Reference numerals] (2) Liquid process module; (3) Inspection module; (A2) Liquid process unit; (C1) Carrier block; (C2) Process block; (C3) Interface block; (C4) Exposing block; (C5) Inspection block

Abstract translation: 目的：提供基板处理装置，基板处理方法和存储介质，以通过仅使用用于液体处理的普通喷嘴来提高基板的处理效率。 构成：液体处理单元（2）包括喷嘴和液体处理模块（20）。 传送单元（4）将基板移动到处理块。 监视单元检测喷嘴的排出状态。 控制单元选择喷嘴中的普通喷嘴，以在基板上进行液体处理。 （附图标记）（2）液体处理模块; （3）检验模块; （A2）液体处理单元; （C1）载体块; （C2）过程块; （C3）接口块; （C4）暴露块; （C5）检验块

公开(公告)号：KR100489764B1

公开(公告)日：2005-05-16

申请号：KR1019990001407

申请日：1999-01-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지모토아키히로 ,  사카모토카즈오 ,  이시자카노부카즈 ,  하세가와이즈미

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 예를들면, 반도체 웨이퍼 등의 피처리체 표면에 레지스트액 등의 도포액을 도포하는 도포장치에 관한 것이다. 종래의 도포장치에서는 제어장치에서 작동신호가 보내지기 때문에, 밸브 동작의 지연시간이 생기고, 웨이퍼의 회전에 대해서 레지스트액의 토출타이밍이 어긋나며, 도막불량이 생기는 문제점이 있었다. 본 발명은 도포액을 토출 및 수용하는노즐 및 용기와, 상기 용기내의 도포액을 노즐에 보내는 토출펌프와, 개폐속도를 전기적으로 조절하는 제어수단을 구비한밸브와, 상기 토출펌프의 작동을 제어하는 제어수단으로 이루어져, 상기 밸브의 개폐속도를 조절하는 속도조절수단을 사용하여, 밸브 작동의 지연시간을 짧게 할 수 있고, 상기 밸브로서 개폐밸브와 석백 밸브로 이루어진 것 및 이들 밸브의작동을 제어하는 제어부를 더 구비하고 있기 때문에, 상기의 밸브를 최적의 타이밍으로 작동시킬 수 있으며, 상기의 토출펌프 및 공급펌프에 압력검출수단 및 압력조절수단을 배설하여, 상기 밸브의 작동 및 상기 공급펌프의 압력을 조절하기때문에, 원가를 저감할 수 있음과 더불어, 레지스트액이 변질하는 것을 방지할 수 있는 열처리장치를 제시하고 � �다.

公开(公告)号：KR1019990067979A

公开(公告)日：1999-08-25

申请号：KR1019990001407

申请日：1999-01-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지모토아키히로 ,  사카모토카즈오 ,  이시자카노부카즈 ,  하세가와이즈미

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 예를들면, 반도체 웨이퍼 등의 피처리체 표면에 레지스트액 등의 도포액을 도포하는 도포장치에 관한 것이다. 종래의 도포장치에서는 제어장치에서 작동신호가 보내지기 때문에, 밸브 동작의 지연시간이 생김고, 웨이퍼의 회전에 대해서 레지스트액의 토출타이밍이 어긋나며, 도막불량이 생기는 문제점이 있었다. 본 발명은 도포액을 토출 및 수용하는 노즐 및 용기와, 상기 용기내의 도포액을 노즐에 보내는 토출펌프와, 개폐속도를 전기적으로 조절하는 제어수단을 구비한 밸브와, 상기 토출펌프의 작동을 제어하는 제어수단으로 이루어져, 상기 밸브의 개폐속도를 조절하는 속도조절수단을 사용하여, 밸브 작동의 지연시간을 짧게 할 수 있고, 상기 밸브로서 개폐밸브와 석백 밸브로 이루어진 것 및 이들 밸브의 작동을 제어하는 제어부를 더 구비하고 있기 때문에, 상기의 밸브를 최적의 타이밍으로 작동시킬 수 있으며, 상기의 토출펌프 및 공급펌프에 압력검출수단 및 압력조절수단을 배설하여, 상기 밸브의 작동 및 상기 공급펌프의 압력을 조절하기 때문에, 원가를 저감할 수 있음과 더불어, 레지스트액이 변질하는 것을 방지할 수 있는 열처리장치를 제시하� � 있다.

公开(公告)号：KR1020150053244A

公开(公告)日：2015-05-15

申请号：KR1020140153622

申请日：2014-11-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와나가슈지 ,  니시야마타다시 ,  도미타히로시 ,  하세가와이즈미

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/027

CPC classification number: G06T7/0004 ,  G06T2207/30148

Abstract: 웨이퍼의결함을분석함으로써, 잠재적인트러블을미연에방지한다. 기판의결함을분석하는장치로서, 피검사기판을촬상하는촬상장치와, 촬상된기판의화상에기초하여, 기판면내에서의결함의특징량을추출하는결함특징량추출부와, 복수의기판에대한상기결함의특징량을적산하여적산데이터(AH)를발생하는결함특징량적산부와, 적산한결함의특징량이소정의임계치를초과하고있는지여부를판정하는결함판정부와, 상기결함판정부에서의판정결과를출력하는출력부를가진다.

Abstract translation: 通过分析晶圆缺陷可以预防潜在的问题。 缺陷分析装置包括：感测装置，用于感测血液检查基板的图像; 缺陷特征量提取单元，基于所述基板的感测图像提取所述基板的表面上的缺陷的特征量; 缺陷特征量累积单元，累积多个基板的缺陷的特征量，并生成累积数据（AH）; 缺陷确定单元，用于确定所述缺陷的累积特征量是否超过规定的阈值; 以及输出单元，输出由所述缺陷判定单元做出的判定。

公开(公告)号：KR101449117B1

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：KR1020120095423

申请日：2012-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까시마도모히로 ,  이노우에신 ,  하라요시따까 ,  하세가와이즈미 ,  오가따구니에 ,  모리다꾸야

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67288

Abstract: 본 발명의 과제는, 기판의 로트에 대응하는 처리액의 종별마다 준비된 복수의 노즐을 포함하는 액처리부를 구비한 액처리 장치에 있어서, 액처리부에 발생한 트러블에 대하여 처리 효율의 저하를 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
하나의 로트의 웨이퍼(W)의 액처리에 사용하는 약액 노즐(25a)에 있어서 트러블이 발생한 경우에, 그 하나의 로트에 대응하는 약액 노즐(25a)의 사용을 정지하고, 당해 약액 노즐(25a)과는 다른 약액 노즐(25b)을 사용하여 처리를 행하는 다음 로트에 대해서는 처리를 행하는 것으로 한다. 약액 노즐에 있어서의 트러블 발생의 판단에 대해서는, 처리한 각 웨이퍼(W)의 액처리 상태를 순차적으로 검사하여 그 양부를 판정하고, 동일한 약액 노즐을 사용하여 다른 액처리부(COT1 내지 COT3)에서 처리된 웨이퍼(W)에 있어서, 예를 들어 3회 연속으로 불량 판정으로 된 경우에, 약액 노즐에 있어서의 트러블 발생이라고 판단한다.

Abstract translation: 发明内容本发明的目的在于提供一种液体处理装置，该液体处理装置具备液体处理部，该液体处理部具备：针对与多个基板对应的各种处理液而准备的多个喷嘴; 提供技术。

公开(公告)号：KR1020140074214A

公开(公告)日：2014-06-17

申请号：KR1020130149777

申请日：2013-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와이즈미 ,  도미타히로시 ,  이와나가슈지 ,  니시야마다다시

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66

CPC classification number: G03F7/7065 ,  G03F7/702 ,  G03F7/705 ,  H01L21/0273 ,  H01L22/00

Abstract: The objective of the present invention is to properly generate the reference image of a substrate and to properly inspect the defects of the substrate. The present invention relates to a method of generating the image of a wafer which is the reference of defect inspection, based on photographed substrate images after the wafer is photographed. The present invention includes a component separation process of separating the plane distribution Z of a pixel value in the photographed substrate images into pixel value distribution components by using a Zernike polynomial expression according to the substrate images, a Zernike index calculation process of calculating the Zernike index of each pixel value distribution component separated by the Zernike polynomial expression, a Zernike index calculation process of extracting a value which has a gap between each calculated Zernike index and a center value (1) and a preset value or more (2) from the center value according to a Zernike index having the same dimension, an image speciation process of specifying each substrate image having the extracted value, and an image generation process of generating the image of the wafer which is the reference of the defect inspection by mixing the specific substrate images.

Abstract translation: 本发明的目的是适当地产生衬底的参考图像并适当地检查衬底的缺陷。 本发明涉及一种基于在拍摄晶片之后拍摄的基板图像来生成作为缺陷检查参考的晶片的图像的方法。 本发明包括通过使用根据基板图像的泽尔尼克多项式表示将拍摄的基板图像中的像素值的平面分布Z分离成像素值分布分量的分量分离处理，计算泽恩日克索引的泽尼克数指数计算处理 由Zernike多项式表示分离的每个像素值分布分量，Zernike指数计算处理，从中心提取具有每个计算的Zernike指数与中心值（1）之间的间隔和预设值（2）的值 根据具有相同维度的泽尔尼克索引值，指定具有提取值的每个基底图像的图像形成处理以及通过混合特定基底产生作为缺陷检查的参考的晶片的图像的图像生成处理 图片。