公开(公告)号：KR1020120109333A

公开(公告)日：2012-10-08

申请号：KR1020120028624

申请日：2012-03-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와마타마사야 ,  이시자카타다히로 ,  사쿠마타카시 ,  하타노타츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/2855 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877

Abstract: PURPOSE: Methods for forming a film and Cu wiring are provided to prevent a protrusion from being formed on an opening of a wrench and hole by putting a metal particle ion on a processed substrate with a plasma generation gas ion to form a metal film. CONSTITUTION: An exhaust pipe(53) and a gas inlet(57) are formed on a bottom(52) of a processing container(51). A slot valve(55) and a vacuum pump(56) are connected to a vent pipe(54). A mounting device(62) is installed in the processing container to mount a wafer(W). An electrode(66b) of an electrostatic chuck(66) is connected to a power supply(73) for chuck through a feed line(72). A high frequency power supply(74) for bias is connected to the feed line. [Reference numerals] (101) Process controller; (102) User interface; (103) Memory unit; (103a) Memory medium; (56) Vacuum pump; (59) Gas supply source; (89) Electric heating gas

Abstract translation: 目的：提供用于形成膜和Cu布线的方法，以通过用等离子体产生气体离子将金属颗粒离子放置在处理的基板上以形成金属膜来防止在扳手和孔的开口上形成突起。 构成：在处理容器（51）的底部（52）上形成排气管（53）和气体入口（57）。 排气阀（55）和真空泵（56）连接到排气管（54）。 安装装置（62）安装在处理容器中以安装晶片（W）。 静电吸盘（66）的电极（66b）通过馈电线（72）连接到用于卡盘的电源（73）。 用于偏置的高频电源（74）连接到馈线。 （附图标记）（101）过程控制器; （102）用户界面; （103）存储单元; （103a）存储介质; （56）真空泵; （59）供气源; （89）电加热气

公开(公告)号：KR101382376B1

公开(公告)日：2014-04-08

申请号：KR1020120028624

申请日：2012-03-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와마타마사야 ,  이시자카타다히로 ,  사쿠마타카시 ,  하타노타츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/28

Abstract: 피처리 기판을 가열하여 트렌치 및 홀의 폭부의 오버행을 억제하면서 금속막을 성막하고, 또한 성막 후에 신속하게 피처리 기판의 온도를 저하시킬 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다. 재치대를 저온으로 유지하여, 재치대 상에 피처리 기판을 흡착시키지 않고 재치하는 공정과, 플라즈마 생성 가스의 플라즈마를 생성하고, 재치대에 고주파 바이어스를 인가한 상태에서, 피처리 기판에 플라즈마 생성 가스의 이온을 인입하여 피처리 기판을 예비 가열하는 공정과, 타겟에 전압을 인가하여 금속 입자를 방출시키고, 플라즈마 생성 가스의 이온과 함께 이온화한 금속 이온을 피처리 기판에 인입하여 금속막을 형성하는 공정과, 피처리 기판을 저온으로 유지된 재치대에 흡착시키고, 재치대와 피처리 기판의 사이로 전열 가스를 공급하여 피처리 기판을 냉각시키는 공정을 가진다.