公开(公告)号：KR101481924B1

公开(公告)日：2015-01-12

申请号：KR1020137010785

申请日：2011-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  사쿠마다카시 ,  하타노다츠오 ,  요코야마오사무 ,  고미아츠시 ,  야스무로치아키 ,  후쿠시마도시히코 ,  도시마히로유키 ,  가와마타마사야 ,  미즈사와야스시 ,  가토다카라

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/768 ,  C23C14/021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/541 ,  C23C14/542 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882

Abstract: 처리 용기 내에서 플라즈마에 의해 금속의 타겟으로부터 금속 이온을 발생시켜 바이어스에 의해 인입하여 오목부가 형성되어 있는 피처리체에 금속의 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 타겟으로부터 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스에 의해 피처리체에 인입하여 오목부 내에 기초막을 형성하는 기초막 형성 공정과, 금속 이온을 발생시키지 않는 상태에서 바이어스에 의해 희가스를 이온화시킴과 아울러 발생한 이온을 피처리체에 인입하여 기초막을 에칭하는 에칭 공정과, 타겟을 플라즈마 스퍼터링하여 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스 전력에 의해 피처리체를 인입하여 금속막으로 이루어지는 본막을 퇴적하면서, 그 본막을 가열 리플로우시키는 성막 리플로우 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020120109333A

公开(公告)日：2012-10-08

申请号：KR1020120028624

申请日：2012-03-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와마타마사야 ,  이시자카타다히로 ,  사쿠마타카시 ,  하타노타츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/2855 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877

Abstract: PURPOSE: Methods for forming a film and Cu wiring are provided to prevent a protrusion from being formed on an opening of a wrench and hole by putting a metal particle ion on a processed substrate with a plasma generation gas ion to form a metal film. CONSTITUTION: An exhaust pipe(53) and a gas inlet(57) are formed on a bottom(52) of a processing container(51). A slot valve(55) and a vacuum pump(56) are connected to a vent pipe(54). A mounting device(62) is installed in the processing container to mount a wafer(W). An electrode(66b) of an electrostatic chuck(66) is connected to a power supply(73) for chuck through a feed line(72). A high frequency power supply(74) for bias is connected to the feed line. [Reference numerals] (101) Process controller; (102) User interface; (103) Memory unit; (103a) Memory medium; (56) Vacuum pump; (59) Gas supply source; (89) Electric heating gas

Abstract translation: 目的：提供用于形成膜和Cu布线的方法，以通过用等离子体产生气体离子将金属颗粒离子放置在处理的基板上以形成金属膜来防止在扳手和孔的开口上形成突起。 构成：在处理容器（51）的底部（52）上形成排气管（53）和气体入口（57）。 排气阀（55）和真空泵（56）连接到排气管（54）。 安装装置（62）安装在处理容器中以安装晶片（W）。 静电吸盘（66）的电极（66b）通过馈电线（72）连接到用于卡盘的电源（73）。 用于偏置的高频电源（74）连接到馈线。 （附图标记）（101）过程控制器; （102）用户界面; （103）存储单元; （103a）存储介质; （56）真空泵; （59）供气源; （89）电加热气

公开(公告)号：KR101913889B1

公开(公告)日：2018-10-31

申请号：KR1020147001328

申请日：2012-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와마타마사야 ,  혼다마사노부 ,  구보타가즈히로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831

Abstract: 플라즈마화된처리가스에의해기판을에칭하는플라즈마에칭장치에있어서, 처리용기와, 상기처리용기내에마련된, 기판을유지하는유지부와, 상기처리용기내에마련된, 상기유지부와대향하는전극판과, 상기유지부와상기전극판의사이에있는공간에처리가스를공급하기위한, 상기기판의지름방향에대하여각각다른위치에배치된복수의공급부와, 상기유지부또는상기전극판의적어도한쪽에고주파전력을공급하는것에의해, 상기복수의공급부에의해상기공간에공급된처리가스를플라즈마화하는고주파전원과, 상기복수의공급부의각각에대응하여, 처리가스의공급조건을조절하는조절수단과, 상기기판위에있어서의, 플라즈마화된처리가스에포함되는활성종의농도분포에대하여, 공급된처리가스의확산의영향이공급된처리가스의흐름의영향보다큰 위치와, 상기공급된처리가스의흐름의영향이상기공급된처리가스의확산의영향보다큰 위치에서, 상기공급조건을바꾸도록상기조절수단을제어하는제어부를갖는플라즈마에칭장치.

公开(公告)号：KR1020150082196A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：KR1020157008544

申请日：2013-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기하라요시히데 ,  가와마타마사야 ,  하가도시오

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01J37/32568 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32541 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H05H2001/4682

Abstract: [과제] 기판을배치하는하부전극과대향하여배치되는내측상부전극및 외측상부전극에고주파전력을분배공급하는용량결합형플라즈마처리장치에있어서, 외측/내측전력분배비를조절하기위해서설치되는가변콘덴서의플라즈마밀도분포특성또는프로세스특성의면내프로파일의제어에대한조정노브로서의기능을향상시킨다. [해결수단] 이플라즈마처리장치에서는, 외측/내측전력분배비의조절에이용하는가변콘덴서의바리콘스텝선택범위를공진영역(RE)을피하면서저영역측의비공진영역(LE)과고영역측의비공진영역(HE)에걸쳐광범위하게확장함으로써, 플라즈마밀도분포나프로세스특성의면내프로파일을직경방향으로제어하기위한조정노브로서의효과를향상시킨다.

公开(公告)号：KR1020150053926A

公开(公告)日：2015-05-19

申请号：KR1020157006406

申请日：2013-09-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키하라요시히데 ,  모치즈키히로미 ,  혼다마사노부 ,  가와마타마사야 ,  고바야시켄 ,  요시다료이치

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/40 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32733 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68764

Abstract: 일실시예에서는, 피처리기체를처리하는방법을제공한다. 이방법은 (a) 처리용기내에설치된재치대상에피처리기체를재치한상태에서, 처리용기내에서수소함유가스의플라즈마를여기함으로써발생하는수소의활성종에레지스트마스크를노출하는공정과, (b) 수소의활성종에의해레지스트마스크를노출하는상기공정후에, 처리용기내에서에천트가스의플라즈마를여기하여, 하드마스크층을에칭하는공정을포함한다. 플라즈마는상부전극에플라즈마여기용의고주파전력을인가함으로써여기된다. 이방법에서는, 하드마스크층을에칭하는상기공정(b)에서의상부전극과재치대간의거리가, 수소의활성종에레지스트마스크를노출하는상기공정(a)에서의상부전극과재치대간의거리보다크게설정된다.

公开(公告)号：KR102038608B1

公开(公告)日：2019-10-30

申请号：KR1020147021411

申请日：2013-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와마타마사야 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

公开(公告)号：KR1020140068004A

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：KR1020147001328

申请日：2012-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와마타마사야 ,  혼다마사노부 ,  구보타가즈히로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831

Abstract: 플라즈마화된 처리 가스에 의해 기판을 에칭하는 플라즈마 에칭 장치에 있어서, 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 마련된, 기판을 유지하는 유지부와, 상기 처리 용기 내에 마련된, 상기 유지부와 대향하는 전극판과, 상기 유지부와 상기 전극판의 사이에 있는 공간에 처리 가스를 공급하기 위한, 상기 기판의 지름 방향에 대하여 각각 다른 위치에 배치된 복수의 공급부와, 상기 유지부 또는 상기 전극판의 적어도 한쪽에 고주파 전력을 공급하는 것에 의해, 상기 복수의 공급부에 의해 상기 공간에 공급된 처리 가스를 플라즈마화하는 고주파 전원과, 상기 복수의 공급부의 각각에 대응하여, 처리 가스의 공급 조건을 조절하는 조절 수단과, 상기 기판 위에 있어서의, 플라즈마화된 처리 가스에 포함되는 활성종의 농도 분포에 대하여, 공급된 처리 가스의 확산의 영향이 공급된 처리 가스의 흐름의 영향보다 큰 위치와, 상기 공급된 처리 가스의 흐름의 영향이 상기 공급된 처리 가스의 확산의 영향보다 큰 위치에서, 상기 공급 조건을 바꾸도록 상기 조절 수단을 제어하는 제어부를 갖는 플라즈마 에칭 장치.

公开(公告)号：KR1020130095283A

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：KR1020137010785

申请日：2011-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  사쿠마다카시 ,  하타노다츠오 ,  요코야마오사무 ,  고미아츠시 ,  야스무로치아키 ,  후쿠시마도시히코 ,  도시마히로유키 ,  가와마타마사야 ,  미즈사와야스시 ,  가토다카라

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/768 ,  C23C14/021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/541 ,  C23C14/542 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882

Abstract: 처리 용기 내에서 플라즈마에 의해 금속의 타겟으로부터 금속 이온을 발생시켜 바이어스에 의해 인입하여 오목부가 형성되어 있는 피처리체에 금속의 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 타겟으로부터 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스에 의해 피처리체에 인입하여 오목부 내에 기초막을 형성하는 기초막 형성 공정과, 금속 이온을 발생시키지 않는 상태에서 바이어스에 의해 희가스를 이온화시킴과 아울러 발생한 이온을 피처리체에 인입하여 기초막을 에칭하는 에칭 공정과, 타겟을 플라즈마 스퍼터링하여 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스 전력에 의해 피처리체를 인입하여 금속막으로 이루어지는 본막을 퇴적하면서, 그 본막을 가열 리플로우시키는 성막 리플로우 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR102147822B1

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：KR1020157006406

申请日：2013-09-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키하라요시히데 ,  모치즈키히로미 ,  혼다마사노부 ,  가와마타마사야 ,  고바야시켄 ,  요시다료이치

IPC: H01L21/027 ,  H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

公开(公告)号：KR102036950B1

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：KR1020157008544

申请日：2013-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기하라요시히데 ,  가와마타마사야 ,  하가도시오

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065