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公开(公告)号：KR1020140097609A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020140011672
申请日：2014-01-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/68771 , C23C16/34 , C23C16/4401 , C23C16/45551 , H01L21/68764
Abstract: A film forming apparatus for forming a film on a substrate in a vacuum container includes a rotary table, a first processing gas supply unit for supplying a first processing gas, a gas nozzle for supplying a second processing gas, a nozzle cover installed to cover the gas nozzle, and a separation gas supply unit. The nozzle cover includes a ceiling wall, and an upstream side wall and a downstream side wall extended downward from each edge of upstream and downstream sides of the ceiling wall in the rotating direction of the rotary table. The inner surface of the gas nozzle in the upstream side wall is an inclined surface, and an angle (θ1) between the inner surface of the gas nozzle in the upstream side wall and a surface of the rotary table is smaller than an angle (θ2) between the inner surface of the gas nozzle in the downstream side wall and the inner surface of the gas nozzle.
Abstract translation: 用于在真空容器中的基板上形成膜的成膜装置包括旋转台，用于供应第一处理气体的第一处理气体供应单元，用于供应第二处理气体的气体喷嘴，安装成覆盖 气体喷嘴和分离气体供给单元。 喷嘴盖包括顶壁，以及从旋转台的旋转方向从顶壁的上游侧和下游侧的每个边缘向下延伸的上游侧壁和下游侧壁。 上游侧壁中的气体喷嘴的内表面是倾斜面，上游侧壁的气体喷嘴的内表面与旋转台的表面之间的角度（θ1）小于角度（θ2 ）在下游侧壁中的气体喷嘴的内表面与气体喷嘴的内表面之间。
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公开(公告)号：KR101786167B1
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：KR1020140123453
申请日：2014-09-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/677 , H01L21/205 , H01L21/683
CPC classification number: C23C16/4586 , C23C16/45521 , C23C16/45551 , C23C16/45561 , C23C16/4584 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 용기내에서서로반응하는적어도 2종류의반응가스를순서대로기판의표면에공급하는공급사이클을복수회실행함으로써, 상기기판상에반응생성물을포함하는막을형성하는기판처리장치가제공된다. 해당기판처리장치는, 상기용기내에설치되고, 표면에상기기판을적재하는오목부와상기오목부에연통하는관통구멍이형성되어있는, 회전테이블과, 상기오목부에적재된상기기판을이동탑재할때에사용하는승강핀을갖는승강기구와, 상기승강기구의작동을제어하는제어부를갖는다. 상기제어부는, 상기승강핀이상기관통구멍을통해상기기판에접촉한상태에서, 상기승강핀을연직상향으로이동시키면서, 상기승강핀을상기회전테이블의직경방향내측으로이동시킴으로써, 상기기판을상기오목부로부터반출하도록상기승강기구를제어한다.
Abstract translation: 通过执行多个供给周期要被提供给所述衬底按至少两种其与容器彼此在顺序反应的反应气体的的表面上，用于形成包含该反应产物到衬底上的膜的基板处理装置。 其中，基板处理装置包括设置在容器中并具有用于在其表面上装载基板的凹部和与凹部连通的通孔的旋转台; 以及用于控制升降机构的操作的控制单元。 其中，所述控制单元在所述升降销通过所述升降销通孔与所述基板接触的状态下使所述升降销竖直移动的同时使所述升降销在所述旋转台的径向方向上向内移动， 并且控制升降机构以从升降机构中取出。
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公开(公告)号：KR101658277B1
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：KR1020140011672
申请日：2014-01-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/68771 , C23C16/34 , C23C16/4401 , C23C16/45551 , H01L21/68764
Abstract: 진공용기내에서기판에박막을성막하기위한성막장치는회전테이블과, 제1 처리가스를공급하는제1 처리가스공급부와, 제2 처리가스를공급하는가스노즐과, 상기가스노즐을덮도록설치된노즐커버와, 분리가스공급부를구비하고, 상기노즐커버는천장벽부와, 이천장벽부에있어서의상기회전테이블의회전방향상류측및 하류측의각각의테두리부로부터하방측을향해연신되는상류측벽부및 하류측벽부를구비하고, 상기상류측벽부에있어서의상기가스노즐측의내면은경사진경사면으로서형성되고, 상기상류측벽부에있어서의상기가스노즐측의내면이상기회전테이블의표면과의이루는각도θ1이, 상기하류측벽부에있어서의상기가스노즐측의내면이상기회전테이블의표면과의이루는각도θ2보다도작아지도록구성된다.
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公开(公告)号：KR1020150032494A
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：KR1020140123453
申请日：2014-09-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/677 , H01L21/205 , H01L21/683
CPC classification number: C23C16/4586 , C23C16/45521 , C23C16/45551 , C23C16/45561 , C23C16/4584 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/67712
Abstract: 용기 내에서 서로 반응하는 적어도 2종류의 반응 가스를 순서대로 기판의 표면에 공급하는 공급 사이클을 복수회 실행함으로써, 상기 기판 상에 반응 생성물을 포함하는 막을 형성하는 기판 처리 장치가 제공된다. 해당 기판 처리 장치는, 상기 용기 내에 설치되고, 표면에 상기 기판을 적재하는 오목부와 상기 오목부에 연통하는 관통 구멍이 형성되어 있는, 회전 테이블과, 상기 오목부에 적재된 상기 기판을 이동 탑재할 때에 사용하는 승강 핀을 갖는 승강 기구와, 상기 승강 기구의 작동을 제어하는 제어부를 갖는다. 상기 제어부는, 상기 승강 핀이 상기 관통 구멍을 통해 상기 기판에 접촉한 상태에서, 상기 승강 핀을 연직 상향으로 이동시키면서, 상기 승강 핀을 상기 회전 테이블의 직경 방향 내측으로 이동시킴으로써, 상기 기판을 상기 오목부로부터 반출하도록 상기 승강 기구를 제어한다.
Abstract translation: 提供了一种基板处理装置，其通过多次重复供给循环，将基板上包含反应产物的膜沉积在基板的表面上，使供给周期顺序地供给至少两种反应气体，在容器内彼此反应。 基板处理装置包括设置在容器中的转台，具有用于容纳形成在其表面上的基板的凹部和形成在凹部中的通孔; 提升机构，包括当转印放置在所述凹部上的所述基板时使用的升降销; 以及控制部，其构造成控制所述提升机构。 控制部通过使提升销沿垂直方向向上移动，并且在转台的径向向内移动提升销，同时通过通孔与基板接触，来控制提升机构将基板搬出凹部 。
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