公开(公告)号：KR101775203B1

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：KR1020140081847

申请日：2014-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/56 ,  H01L21/32051 ,  H01L28/00

Abstract: 본발명에따르면성막방법이제공된다. 상기성막방법에서는, 챔버내에서기판상에서로반응하는제1 처리가스와제2 처리가스를순차공급함과함께, 상기제1 처리가스와제2 처리가스를 1회씩상기기판상에공급하는단계를 1 사이클로하고, 상기 1 사이클을반복함으로써상기기판상에상기복수의가스의반응생성물의원자층또는분자층을퇴적시켜성막한다. 상기사이클의사이클시간이 0.5초이하로설정된다.

公开(公告)号：KR101658277B1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：KR1020140011672

申请日：2014-01-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  사토가오루 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/68771 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/68764

Abstract: 진공용기내에서기판에박막을성막하기위한성막장치는회전테이블과, 제1 처리가스를공급하는제1 처리가스공급부와, 제2 처리가스를공급하는가스노즐과, 상기가스노즐을덮도록설치된노즐커버와, 분리가스공급부를구비하고, 상기노즐커버는천장벽부와, 이천장벽부에있어서의상기회전테이블의회전방향상류측및 하류측의각각의테두리부로부터하방측을향해연신되는상류측벽부및 하류측벽부를구비하고, 상기상류측벽부에있어서의상기가스노즐측의내면은경사진경사면으로서형성되고, 상기상류측벽부에있어서의상기가스노즐측의내면이상기회전테이블의표면과의이루는각도θ1이, 상기하류측벽부에있어서의상기가스노즐측의내면이상기회전테이블의표면과의이루는각도θ2보다도작아지도록구성된다.

公开(公告)号：KR1020140083884A

公开(公告)日：2014-07-04

申请号：KR1020130159966

申请日：2013-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/687 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76841

Abstract: A method of forming a layer forms a layer using an atomic layer deposition (ALD) method by rotating a rotation table, which is provided in a chamber and is able to load a substrate (W) on a substrate loading part, so that a substrate passes through a first treatment region and a second treatment region, which supply different types of gas reacting with each other. The method includes a coating step of forming a layer on the rotation table while the substrate loading part is at a predetermined temperature by rotating the rotation table without loading the substrate on the substrate loading part; and a processing step of forming the layer on the substrate while the substrate loading part or the substrate is below the predetermined temperature by rotating the rotation table having the substrate loaded on the substrate loading part.

Abstract translation: 使用原子层沉积（ALD）方法形成层的方法通过旋转设置在室中的旋转台，并且能够将基板（W）加载在基板装载部上，从而使基板 通过第一处理区域和第二处理区域，其提供不同类型的气体彼此反应。 该方法包括：涂覆步骤，通过旋转旋转台而在衬底装载部分上加载衬底而在衬底装载部分处于预定温度的同时在旋转台上形成层; 以及处理步骤，通过旋转具有装载在基板装载部上的基板的旋转台，在基板装载部或基板低于预定温度的同时，在基板上形成该层。

公开(公告)号：KR101917414B1

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：KR1020150160348

申请日：2015-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와무라유 ,  하야세후미아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  사사키히로코 ,  사사키유

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/45591 ,  C23C16/45578

Abstract: 유체를공급하기위한노즐이며, 내부에관로가형성되고, 상기관로의길이방향을따라복수의유체토출구멍이형성된유체토출면을갖는관상부와, 상기관로내에상기길이방향을따라연장되어설치되고, 상기관로를, 상기유체토출면을포함하는제1 영역과상기유체토출면을포함하지않는제2 영역으로구획하고, 상기길이방향에있어서상기복수의유체토출구멍보다도적은수의분산구멍이형성된구획판과, 상기제2 영역에연통하는유체도입로를갖는다.

公开(公告)号：KR101804003B1

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：KR1020140091765

申请日：2014-07-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키히로코 ,  와무라유 ,  고아쿠츠마사토

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76856

Abstract: 기판을처리실내에반입하여상기기판상에질화막을성막하는성막처리를행하여, 상기성막처리가종료된후 상기기판을상기처리실내로부터반출할때까지를 1운전으로하고, 상기 1운전을복수회반복하여복수매의상기기판을계속적으로성막처리하는성막방법이제공된다. 상기성막방법에서는상기 1운전이소정횟수연속적으로행해지고, 상기처리실내에산화가스를공급하여상기처리실내가산화된다.

公开(公告)号：KR1020150004286A

公开(公告)日：2015-01-12

申请号：KR1020140081847

申请日：2014-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/56 ,  H01L21/32051 ,  H01L28/00 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/205 ,  H01L2924/01002

Abstract: 본 발명에 따르면 성막 방법이 제공된다. 상기 성막 방법에서는, 챔버 내에서 기판 상에 서로 반응하는 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 순차 공급함과 함께, 상기 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 1회씩 상기 기판 상에 공급하는 단계를 1 사이클로 하고, 상기 1 사이클을 반복함으로써 상기 기판 상에 상기 복수의 가스의 반응 생성물의 원자층 또는 분자층을 퇴적시켜 성막한다. 상기 사이클의 사이클 시간이 0.5초 이하로 설정된다.

Abstract translation: 提供了一种沉积薄膜的方法。 在该方法中，顺序地供给彼此反应的第一处理气体和第二处理气体，其中将基板一次供给第一处理气体和第二处理的步骤定义为一个循环，使得 沉积多个气体的反应产物的原子层或分子层，并通过重复该一个循环在衬底上形成层。 循环的循环时间设定为等于或小于0.5秒。

公开(公告)号：KR101649783B1

公开(公告)日：2016-08-19

申请号：KR1020130159966

申请日：2013-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/687 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76841

Abstract: 챔버내에설치되고, 기판적재부에기판(W)을적재가능한회전테이블을회전시킴으로써, 서로반응하는다른종류의가스를공급하는제1 및제2 처리영역을통과시켜, 원자퇴적(ALD)법에의해성막을행하는성막방법이며, 상기기판적재부에상기기판을적재하지않고상기회전테이블을회전시켜, 상기기판적재부를소정온도로한 상태에서상기회전테이블상에상기성막을행하는코팅공정과, 상기기판적재부에상기기판을적재하고상기회전테이블을회전시켜, 상기기판적재부또는상기기판을상기소정온도이하로한 상태에서상기기판상에상기성막을행하는프로세스공정을갖는다.

公开(公告)号：KR1020160059968A

公开(公告)日：2016-05-27

申请号：KR1020150160348

申请日：2015-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와무라유 ,  하야세후미아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  사사키히로코 ,  사사키유

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/45591 ,  C23C16/45578

Abstract: 유체를공급하기위한노즐이며, 내부에관로가형성되고, 상기관로의길이방향을따라복수의유체토출구멍이형성된유체토출면을갖는관상부와, 상기관로내에상기길이방향을따라연장되어설치되고, 상기관로를, 상기유체토출면을포함하는제1 영역과상기유체토출면을포함하지않는제2 영역으로구획하고, 상기길이방향에있어서상기복수의유체토출구멍보다도적은수의분산구멍이형성된구획판과, 상기제2 영역에연통하는유체도입로를갖는다.

Abstract translation: 设有用于供给流体的喷嘴。 喷嘴具有管状部分，其形成在管中，并且具有沿着管的长度方向形成的流体喷射孔的流体喷射表面，沿管道的长度方向延伸的分隔板，将管 进入包括流体喷射表面的第一区域和除了流体喷射表面之外的第二区域，并且具有分散孔。 分散孔的数量小于流体注入孔的数量。 因此，喷嘴可以防止原料气体的自分解并供应。

公开(公告)号：KR1020150012202A

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：KR1020140091765

申请日：2014-07-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키히로코 ,  와무라유 ,  고아쿠츠마사토

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/0228

Abstract: 기판을 처리실 내에 반입하여 상기 기판 상에 질화막을 성막하는 성막 처리를 행하여, 상기 성막 처리가 종료된 후 상기 기판을 상기 처리실 내로부터 반출할 때까지를 1운전으로 하고, 상기 1운전을 복수회 반복하여 복수매의 상기 기판을 계속적으로 성막 처리하는 성막 방법이 제공된다. 상기 성막 방법에서는 상기 1운전이 소정 횟수 연속적으로 행해지고, 상기 처리실 내에 산화 가스를 공급하여 상기 처리실 내가 산화된다.

Abstract translation: 提供了一种形成层的方法，其中一个操作被定义为将衬底运送到处理室中以在衬底上形成氮化物层，并且在衬底上形成氮化物层之后将衬底输送出处理室 完成了。 一次操作重复多次以在多个基板上连续地形成氮化物层。 在形成层的方法中，一次操作连续重复预定次数，并且通过向处理室中供应氧化气体来氧化处理室的内部。

公开(公告)号：KR1020140097609A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：KR1020140011672

申请日：2014-01-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  사토가오루 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/68771 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/68764

Abstract: A film forming apparatus for forming a film on a substrate in a vacuum container includes a rotary table, a first processing gas supply unit for supplying a first processing gas, a gas nozzle for supplying a second processing gas, a nozzle cover installed to cover the gas nozzle, and a separation gas supply unit. The nozzle cover includes a ceiling wall, and an upstream side wall and a downstream side wall extended downward from each edge of upstream and downstream sides of the ceiling wall in the rotating direction of the rotary table. The inner surface of the gas nozzle in the upstream side wall is an inclined surface, and an angle (θ1) between the inner surface of the gas nozzle in the upstream side wall and a surface of the rotary table is smaller than an angle (θ2) between the inner surface of the gas nozzle in the downstream side wall and the inner surface of the gas nozzle.

Abstract translation: 用于在真空容器中的基板上形成膜的成膜装置包括旋转台，用于供应第一处理气体的第一处理气体供应单元，用于供应第二处理气体的气体喷嘴，安装成覆盖 气体喷嘴和分离气体供给单元。 喷嘴盖包括顶壁，以及从旋转台的旋转方向从顶壁的上游侧和下游侧的每个边缘向下延伸的上游侧壁和下游侧壁。 上游侧壁中的气体喷嘴的内表面是倾斜面，上游侧壁的气体喷嘴的内表面与旋转台的表面之间的角度（θ1）小于角度（θ2 ）在下游侧壁中的气体喷嘴的内表面与气体喷嘴的内表面之间。