公开(公告)号：KR101217393B1

公开(公告)日：2012-12-31

申请号：KR1020100040860

申请日：2010-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  고아쿠츠마사토 ,  누노시게유

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

Abstract: 본발명은피처리체의표면에형성되어있는오목부의내경이나폭이작아도, 박막의성막시의스텝커버리지를향상시키는것이가능한성막방법을제공하는것을과제로한다. 진공배기가가능하게이루어진처리용기(22) 내에오목부(6)를갖는절연층(4)이표면에형성된피처리체(W)를수용하고, 처리용기내에티탄을함유하는원료가스와환원가스를공급하여플라즈마 CVD법에의해가스를반응시켜피처리체에대하여티탄을함유하는박막을형성하는성막방법에있어서, 반응이원료가스의반응율속의반응상태가되도록원료가스와환원가스의각 유량을설정하도록구성한다. 이것에의해, 피처리체의표면에형성되어있는오목부의내경이나폭이작아지거나, 오목부의애스펙트비가커져도, 박막의성막시의스텝커버리지를향상시키는것이가능해진다.

公开(公告)号：KR101775203B1

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：KR1020140081847

申请日：2014-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/56 ,  H01L21/32051 ,  H01L28/00

Abstract: 본발명에따르면성막방법이제공된다. 상기성막방법에서는, 챔버내에서기판상에서로반응하는제1 처리가스와제2 처리가스를순차공급함과함께, 상기제1 처리가스와제2 처리가스를 1회씩상기기판상에공급하는단계를 1 사이클로하고, 상기 1 사이클을반복함으로써상기기판상에상기복수의가스의반응생성물의원자층또는분자층을퇴적시켜성막한다. 상기사이클의사이클시간이 0.5초이하로설정된다.

公开(公告)号：KR1020100121418A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：KR1020100040860

申请日：2010-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  고아쿠츠마사토 ,  누노시게유

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/06 ,  C23C16/455 ,  C23C16/509

Abstract: PURPOSE: A film depositing method and a plasma film apparatus are provided to exhale the air inside the treatment container to be vacuum from periphery by including a pressure control valve and a vacuum pump. CONSTITUTION: A bottom part(24) of the treatment basin(22) is formed with an exhaust pipe(26) for discharging the air within the container. The exhaust pipe is connected with a vacuum exhausting system(28). The vacuum exhausting system comprises a ventilating passage(29) connected to the exhaust pipe.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜沉积方法和等离子体薄膜装置，用于通过包括压力控制阀和真空泵从周围喷出处理容器内的空气以使其成为真空。 构成：处理池（22）的底部（24）形成有用于排出容器内的空气的排气管（26）。 排气管与真空排气系统（28）连接。 真空排气系统包括连接到排气管的通风通道（29）。

公开(公告)号：KR101804003B1

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：KR1020140091765

申请日：2014-07-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키히로코 ,  와무라유 ,  고아쿠츠마사토

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76856

Abstract: 기판을처리실내에반입하여상기기판상에질화막을성막하는성막처리를행하여, 상기성막처리가종료된후 상기기판을상기처리실내로부터반출할때까지를 1운전으로하고, 상기 1운전을복수회반복하여복수매의상기기판을계속적으로성막처리하는성막방법이제공된다. 상기성막방법에서는상기 1운전이소정횟수연속적으로행해지고, 상기처리실내에산화가스를공급하여상기처리실내가산화된다.

公开(公告)号：KR1020150004286A

公开(公告)日：2015-01-12

申请号：KR1020140081847

申请日：2014-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/56 ,  H01L21/32051 ,  H01L28/00 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/205 ,  H01L2924/01002

Abstract: 본 발명에 따르면 성막 방법이 제공된다. 상기 성막 방법에서는, 챔버 내에서 기판 상에 서로 반응하는 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 순차 공급함과 함께, 상기 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 1회씩 상기 기판 상에 공급하는 단계를 1 사이클로 하고, 상기 1 사이클을 반복함으로써 상기 기판 상에 상기 복수의 가스의 반응 생성물의 원자층 또는 분자층을 퇴적시켜 성막한다. 상기 사이클의 사이클 시간이 0.5초 이하로 설정된다.

Abstract translation: 提供了一种沉积薄膜的方法。 在该方法中，顺序地供给彼此反应的第一处理气体和第二处理气体，其中将基板一次供给第一处理气体和第二处理的步骤定义为一个循环，使得 沉积多个气体的反应产物的原子层或分子层，并通过重复该一个循环在衬底上形成层。 循环的循环时间设定为等于或小于0.5秒。

公开(公告)号：KR1020140081701A

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：KR1020130158152

申请日：2013-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케가와히로아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  고아쿠츠마사토 ,  오가와준

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: The present invention relates to a method for forming a layer by using a layer forming apparatus having a rotating table capable of loading a plurality of substrates thereon, a first gas supply unit, and a second gas supply unit. The method includes: a first process of rotating the rotating table by supplying an oxide gas from the first and second gas supply units; a second process of supplying a first reaction gas including a first element from the first gas supply unit, rotating the rotating table by supplying the oxide gas from the second gas supply unit, and forming a first oxide layer including the first element on the substrate; a third process of rotating the rotating table by supplying the oxide gas from the first and second gas supply units; and a fourth process of supplying a second reaction gas including a second element from the first gas supply unit, rotating the rotating table by supplying the oxide gas from the second gas supply unit, and forming a second oxide layer including the second element on the substrate.

Abstract translation: 本发明涉及一种通过使用具有能够在其上装载多个基板的旋转台的层形成装置，第一气体供应单元和第二气体供应单元来形成层的方法。 该方法包括：通过从第一和第二气体供应单元提供氧化物气体来旋转旋转台的第一过程; 从第一气体供应单元供应包括第一元件的第一反应气体的第二过程，通过从第二气体供应单元提供氧化物气体旋转旋转台，以及在基板上形成包括第一元素的第一氧化物层; 通过从第一和第二气体供应单元供应氧化物气体来旋转旋转台的第三过程; 以及从第一气体供给单元供给包括第二元件的第二反应气体的第四工序，通过从第二气体供给单元供给氧化物气体来旋转旋转台，在基板上形成包含第二元素的第二氧化物层 。

公开(公告)号：KR101658277B1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：KR1020140011672

申请日：2014-01-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  사토가오루 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/68771 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/68764

Abstract: 진공용기내에서기판에박막을성막하기위한성막장치는회전테이블과, 제1 처리가스를공급하는제1 처리가스공급부와, 제2 처리가스를공급하는가스노즐과, 상기가스노즐을덮도록설치된노즐커버와, 분리가스공급부를구비하고, 상기노즐커버는천장벽부와, 이천장벽부에있어서의상기회전테이블의회전방향상류측및 하류측의각각의테두리부로부터하방측을향해연신되는상류측벽부및 하류측벽부를구비하고, 상기상류측벽부에있어서의상기가스노즐측의내면은경사진경사면으로서형성되고, 상기상류측벽부에있어서의상기가스노즐측의내면이상기회전테이블의표면과의이루는각도θ1이, 상기하류측벽부에있어서의상기가스노즐측의내면이상기회전테이블의표면과의이루는각도θ2보다도작아지도록구성된다.

公开(公告)号：KR1020140083884A

公开(公告)日：2014-07-04

申请号：KR1020130159966

申请日：2013-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/687 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76841

Abstract: A method of forming a layer forms a layer using an atomic layer deposition (ALD) method by rotating a rotation table, which is provided in a chamber and is able to load a substrate (W) on a substrate loading part, so that a substrate passes through a first treatment region and a second treatment region, which supply different types of gas reacting with each other. The method includes a coating step of forming a layer on the rotation table while the substrate loading part is at a predetermined temperature by rotating the rotation table without loading the substrate on the substrate loading part; and a processing step of forming the layer on the substrate while the substrate loading part or the substrate is below the predetermined temperature by rotating the rotation table having the substrate loaded on the substrate loading part.

Abstract translation: 使用原子层沉积（ALD）方法形成层的方法通过旋转设置在室中的旋转台，并且能够将基板（W）加载在基板装载部上，从而使基板 通过第一处理区域和第二处理区域，其提供不同类型的气体彼此反应。 该方法包括：涂覆步骤，通过旋转旋转台而在衬底装载部分上加载衬底而在衬底装载部分处于预定温度的同时在旋转台上形成层; 以及处理步骤，通过旋转具有装载在基板装载部上的基板的旋转台，在基板装载部或基板低于预定温度的同时，在基板上形成该层。

公开(公告)号：KR1020130075696A

公开(公告)日：2013-07-05

申请号：KR1020120153220

申请日：2012-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로오 ,  고아쿠츠마사토

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L28/60 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: PURPOSE: A method for forming a film is provided to reduce the resistivity of titanium nitride by rotatably setting a rotary table in a vacuum container. CONSTITUTION: A vacuum container has a container body and a ceiling plate. A rotary table (2) is installed in the vacuum container. A rotary shaft (22) and a driving part (23) are formed in a case (20). The rotary shaft is mounted in the driving part. The case is mounted in the lower surface of the vacuum container. [Reference numerals] (100) Control part; (101) Memory part; (102) Medium; (AA,BB,CC,DD) N_2 gas

Abstract translation: 目的：提供一种形成膜的方法，通过将旋转台可旋转地设置在真空容器中来降低氮化钛的电阻率。 构成：真空容器具有容器主体和顶板。 旋转台（2）安装在真空容器中。 旋转轴（22）和驱动部（23）形成在壳体（20）中。 旋转轴安装在驱动部分中。 壳体安装在真空容器的下表面。 （附图标记）（100）控制部; （101）记忆部分; （102）中等; （AA，BB，CC，DD）N_2气体

公开(公告)号：KR101695511B1

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：KR1020130158152

申请日：2013-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케가와히로아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  고아쿠츠마사토 ,  오가와준

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 복수의기판을적재가능한회전테이블과, 제1 가스공급부와, 제2 가스공급부를구비하는성막장치를이용한성막방법으로서, 상기제1 및제2 가스공급부로부터산화가스를공급하여상기회전테이블을회전시키는제1 공정과, 상기제1 가스공급부로부터상기제1 원소를포함하는제1 반응가스를공급하고, 상기제2 가스공급부로부터산화가스를공급하여상기회전테이블을회전시키고, 상기기판상에상기제1 원소를포함하는제1 산화막을성막하는제2 공정과, 상기제1 및제2 가스공급부로부터상기산화가스를공급하여상기회전테이블을회전시키는제3 공정과, 상기제1 가스공급부로부터상기제2 원소를포함하는제2 반응가스를공급하고, 상기제2 가스공급부로부터상기산화가스를공급하여상기회전테이블을회전시키고, 상기기판상에상기제2 원소를포함하는제2 산화막을성막하는제4 공정을포함한다.

Abstract translation: 一种使用包括转台安装基板的设备在基板上沉积薄膜的方法，设置有气体供应部分的转盘上表面上方的第一和第二处理区域，在第一和第二处理区域之间的分离气体供应部分和 分离区域，包括通过旋转转盘第一匝来沉积第一氧化物膜，同时供应第一反应气体，来自第二气体供应部分的氧化气体和分离气体; 在从第一气体供给部分和分离气体供应部分供应分离气体的同时旋转至少一圈，并且来自第二气体供应部分的氧化气体; 并且至少第二匝旋转以沉积第二氧化物膜，同时从第一气体供应部分提供第二反应气体，来自第二气体供应部分的氧化气体和分离气体。