公开(公告)号：KR1020010102091A

公开(公告)日：2001-11-15

申请号：KR1020017010229

申请日：2000-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호소다게이조 ,  무라키유스케 ,  사토아츠시 ,  우시카와하루노리

IPC: H01L27/04

Abstract: 급속한 열의 질화는 질화막(19)을 실리콘으로 구성된 하위 전극(15)상에 형성하고, 산화 탄탈 유전체막(23) 또한 그위에 형성된다. 그후, 습식 산화가 실행되어 유전체막(23) 및 질화막(19)을 통해 하위 전극을 산화시켜, 산화막(17)은 하위 전극(15)과 질화막(19) 사이에 형성된다. 또한, 질화막(19)내의 니트로젠에 결합되어 있지 않은 실리콘은 산화되어, 산화막(21)의 효율적인 두께는 2 nm 또는 그 이상이 된다. 또한 산화는 유전체막(23)을 결정화시킨다. 마지막으로, 상위 전극(25)이 형성되어, 커패시터가 완성된다.

公开(公告)号：KR100564133B1

公开(公告)日：2006-03-27

申请号：KR1020017010229

申请日：2000-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호소다게이조 ,  무라키유스케 ,  사토아츠시 ,  우시카와하루노리

IPC: H01L27/04

Abstract: 실리콘으로 구성된 하부 전극(15)상에 급속 열질화에 의해 질화막(19)을 형성하고, 그 위에 산화 탄탈 유전체막(23)을 형성한다. 그 후, 습식 산화 처리를 하여 유전체막(23) 및 질화막(19)을 통하여 하부 전극을 산화시킴으로써, 하부 전극(15)과 질화막(19) 사이에 산화막(17)을 형성한다. 또한, 질화막(19)내의 질소와 결합되지 않은 실리콘을 산화시킨다. 산화막(21)의 유효 두께는 2 nm 또는 그 이상이 되도록 형성된다. 또한 산화 처리에 의해 유전체막(23)을 결정화시킨다. 마지막으로, 상부 전극(25)을 형성하여, 커패시터를 완성한다.