公开(公告)号：KR1020170051438A

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：KR1020177006191

申请日：2015-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토오마사토시 ,  스즈키도모히로 ,  다나카스미 ,  오오야가즈히로 ,  혼다도모키

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/683

Abstract: 복수의발광소자유닛을열원으로사용하여웨이퍼를열처리하는열처리방법은, 발광소자유닛으로부터제1 조도로웨이퍼(W)에광을조사하고, 웨이퍼(W)의반사율을구하고, 웨이퍼(W)의반사율과, 미리구해진, 제1 조도에있어서의웨이퍼의승온커브와웨이퍼의반사율의상관관계에기초하여, 발광소자유닛으로부터의광의조도를, 제1 조도로부터제2 조도로보정한다.

Abstract translation: 用于使用多个发光元件部的作为热源的热处理方法的热处理的晶片，所述发光器件从所述单元照射晶片（W）egwang第一照明，并且获得在晶片（W），晶片的反射率（W）的反射率 并且基于晶片的温度上升曲线和晶片在第一粗糙度中的反射率之间的相关性，将来自发光元件单元的光的先前获得的粗糙度从第一粗糙度校正为第二粗糙度。

公开(公告)号：KR102225424B1

公开(公告)日：2021-03-08

申请号：KR1020177006191

申请日：2015-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토오마사토시 ,  스즈키도모히로 ,  다나카스미 ,  오오야가즈히로 ,  혼다도모키

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/683

Abstract: 복수의발광소자유닛을열원으로사용하여웨이퍼를열처리하는열처리방법은, 발광소자유닛으로부터제1 조도로웨이퍼(W)에광을조사하고, 웨이퍼(W)의반사율을구하고, 웨이퍼(W)의반사율과, 미리구해진, 제1 조도에있어서의웨이퍼의승온커브와웨이퍼의반사율의상관관계에기초하여, 발광소자유닛으로부터의광의조도를, 제1 조도로부터제2 조도로보정한다.