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公开(公告)号：KR1020110009187A
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：KR1020107026632
申请日：2009-06-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/268 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115
Abstract: 본 발명은 피처리체에 대하여 어닐링 처리를 시행하는 어닐링 장치에 있어서, 상기 피처리체가 수용되는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에서 상기 피처리체를 지지하는 지지 수단과, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 수단과, 상기 처리 용기 내의 분위기를 배기하는 배기 수단과, 상기 피처리체의 이면 전체를 향하여 가열광을 조사하는 복수의 레이저 소자를 갖는 이면측 가열 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 어닐링 장치이다.
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公开(公告)号：KR1020170051438A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020177006191
申请日：2015-08-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/26 , H01L21/324 , H01L21/683
Abstract: 복수의발광소자유닛을열원으로사용하여웨이퍼를열처리하는열처리방법은, 발광소자유닛으로부터제1 조도로웨이퍼(W)에광을조사하고, 웨이퍼(W)의반사율을구하고, 웨이퍼(W)의반사율과, 미리구해진, 제1 조도에있어서의웨이퍼의승온커브와웨이퍼의반사율의상관관계에기초하여, 발광소자유닛으로부터의광의조도를, 제1 조도로부터제2 조도로보정한다.
Abstract translation: 用于使用多个发光元件部的作为热源的热处理方法的热处理的晶片，所述发光器件从所述单元照射晶片（W）egwang第一照明，并且获得在晶片（W），晶片的反射率（W）的反射率 并且基于晶片的温度上升曲线和晶片在第一粗糙度中的反射率之间的相关性，将来自发光元件单元的光的先前获得的粗糙度从第一粗糙度校正为第二粗糙度。
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3.发明公开
公开(公告)号：KR1020120074198A
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：KR1020110109178
申请日：2011-10-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/67028 , H01L21/67051
Abstract: PURPOSE: An apparatus and method for processing a liquid, and a recording medium for performing a program thereof are provided to reducing process time by preventing treatment solution from remaining on a substrate. CONSTITUTION: A substrate holding unit(40) holds a substrate. A treatment solution supply unit(70) supplies treatment solution to the substrate held by the substrate holding unit. A rinsing liquid supply unit(80) supplies rising liquid to the substrate. A light emitting element(112) emits light to a surface of the substrate. A control unit(200) controls the substrate holding unit, the treatment solution apply unit, the rinsing liquid supply unit and the light emitting unit.
Abstract translation: 目的：提供一种用于处理液体的装置和方法以及用于执行其程序的记录介质，以通过防止处理溶液残留在基板上来缩短处理时间。 构成：基板保持单元（40）保持基板。 处理溶液供给单元（70）将处理液供给到由基板保持单元保持的基板。 冲洗液供给单元（80）将上升的液体供给到基板。 发光元件（112）向衬底的表面发光。 控制单元（200）控制基板保持单元，处理溶液施加单元，冲洗液体供应单元和发光单元。
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公开(公告)号：KR102225424B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020177006191
申请日：2015-08-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/26 , H01L21/324 , H01L21/683
Abstract: 복수의발광소자유닛을열원으로사용하여웨이퍼를열처리하는열처리방법은, 발광소자유닛으로부터제1 조도로웨이퍼(W)에광을조사하고, 웨이퍼(W)의반사율을구하고, 웨이퍼(W)의반사율과, 미리구해진, 제1 조도에있어서의웨이퍼의승온커브와웨이퍼의반사율의상관관계에기초하여, 발광소자유닛으로부터의광의조도를, 제1 조도로부터제2 조도로보정한다.
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公开(公告)号：KR101580707B1
公开(公告)日：2015-12-28
申请号：KR1020110109178
申请日：2011-10-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/67028 , H01L21/67051
Abstract: 본발명은처리액에의해처리한후, 기판을린스처리할때에, 처리액이기판에잔류하는것을방지할수 있어, 처리시간을단축할수 있는액 처리방법및 액처리장치를제공하는것을목적으로한다. 기판을처리액에의해처리하는본 발명의액 처리장치(10)는, 기판을유지하는기판유지부(30, 40)와, 기판유지부(30, 40)에유지되어있는기판에처리액을공급하는처리액공급부(70)와, 기판에린스액을공급하는린스액공급부(80)와, 기판만이흡수하는파장영역의광을발광하고, 발광한광을기판에조사하는발광소자(112)를갖는다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130000340A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：KR1020120066003
申请日：2012-06-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , H05B3/0033 , H01L21/0274 , H01L21/3247
Abstract: PURPOSE: A heating treatment apparatus and a heat treating method are provided to rapidly heat a substrate by using a light emitting diode as a heating source. CONSTITUTION: A substrate(W) is horizontally supported. The substrate is heated by a heating source using a light emitting diode. Radiation light having the light emitting diode is irradiated on a substrate material. An arrangement plate(2) faces the heating source while the light emitting diode is in off state. A cooling part cools the substrate by using the arrangement plate. [Reference numerals] (a) Incoming; (A3,A2,A1) Cooling water OFF; (b) Transmitting; (BB) Cooling water ON; (c) Heating; (C1,C2,C3,C4) Elevating pin; (d) Cooling; (D1,D2) Arrangement plate; (E1,E2,E3,E4) LED module; (FF) Cooling water
Abstract translation: 目的：提供一种加热处理装置和热处理方法，通过使用发光二极管作为加热源来快速加热基板。 构成：水平支撑衬底（W）。 基板通过使用发光二极管的加热源加热。 具有发光二极管的放射线照射在基板材料上。 当发光二极管处于关闭状态时，布置板（2）面向加热源。 冷却部使用排列板冷却基板。 （附图标记）（a）传入; （A3，A2，A1）冷却水关闭; （b）传送; （BB）冷却水打开; （c）加热; （C1，C2，C3，C4）升降销; （d）冷却; （D1，D2）排列板; （E1，E2，E3，E4）LED模块; （FF）冷却水
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公开(公告)号：KR101747454B1
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：KR1020120066003
申请日：2012-06-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , H05B3/0033
Abstract: 본발명은, 피처리기판을가열처리하고, 이어서냉각하는열처리기술에있어서, 높은스루풋을얻을수 있으며, 열처리장치의전유면적이작은열처리기술을제공하는것을과제로한다. 웨이퍼(W)의가열처리를 LED 모듈(3)로부터웨이퍼(W)에그 흡수파장광인적외광을조사함으로써행하고있다. 이와같이복사에의해웨이퍼(W)를가열하고있기때문에, 웨이퍼(W)를신속하게가열할수 있다. 또한열원으로서 LED(35)를이용하고있으며, LED(35)의온도상승은작기때문에, 가열처리후의냉각처리를가열처리와동일한처리영역에서행할수 있다. 이때문에, 본열처리장치의설치면적을작게억제할수 있다. 또한가열처리영역과냉각처리영역사이의이동시간을절약할수 있기때문에, 가열처리및 그후의냉각처리를합한일련의처리시간을단축하는것이가능해져, 스루풋의향상을도모할수 있다.
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公开(公告)号：KR101732216B1
公开(公告)日：2017-05-02
申请号：KR1020130114315
申请日：2013-09-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G01J5/02
Abstract: 광원을열원으로하는열처리장치에있어서, 종래의비접촉온도측정으로서는정확한온도를측정하기어렵던대상물및 온도대역에있어서정확한온도측정을행한다. 온도측정기구는, 복수의발광소자유닛(30)과웨이퍼(W) 사이에배치되며발광소자유닛(30)으로부터의조도 u를측정하는조도모니터(50)와, 온도센서(20a)와, 조도 u와온도센서(20a)에의해모의적으로측정된모의온도 Tc에기초해서, 웨이퍼(W)의실제온도 P를추정하는연산부(152)를갖고있다. 연산부(152)에있어서의웨이퍼(W)의실제온도 P의추정은, 미리구해진, 조도 u와상기조도 u에있어서추정되는웨이퍼(W)의온도 y의상관관계인제 1 상관관계와, 미리구해진, 온도센서(20a)에의해모의적으로측정된모의온도 Tc와조도 u에있어서추정되는웨이퍼(W)의온도 y의상관관계인제 2 상관관계에기초해서행해진다.
Abstract translation: 在使用光源作为热源的热处理设备中，在传统的非接触式温度测量中难以测量准确温度的物体和温度带中执行准确的温度测量。 温度测量机构包括设置在多个发光元件单元30和晶片W之间并用于测量来自发光元件单元30的照度u的照度监视器50，温度传感器20a， 以及根据由温度传感器20a测量的模拟温度Tc和由温度传感器20a模拟的模拟温度Tc来估计晶片W的实际温度P的操作单元152。 计算单元152中的晶片W的实际温度P的估计是基于在粗糙度u中估计的晶片W的温度y和基础晶片W的相位之间的相关性来执行的， 由温度传感器20a模拟的模拟温度Tc与在粗糙度u处估计的晶片W的温度y之间的相关性。
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公开(公告)号：KR1020140042705A
公开(公告)日：2014-04-07
申请号：KR1020130114315
申请日：2013-09-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G01J5/02
CPC classification number: G01J5/0285 , G01J3/457 , G01J5/061
Abstract: A heat treatment device using a light source as a heat source performs accurate temperature measurement for a temperature band and an object which are difficult to measure the temperature with an existing temperature measuring method. A temperature measuring tool includes an illuminance monitor (50) measuring illuminance u from a light emitting element unit (30) and placed between a wafer (W) and the light emitting element unit (30), a temperature sensor (20a), and a calculating part (152) estimating the actual temperature P of the wafer (W) based on the simulation temperature Tc simulated by illuminance u and the temperature sensor (20a). The estimation of the actual temperature P of the wafer (W) in the calculating part (152) is performed on the basis of a previously calculated first correlation between the illuminance u and estimated temperature y of the wafer (W) estimated with the illuminance u and a previously calculated second correlation between the simulation temperature Tc simulated by the temperature sensor (20a) and the estimated temperature y of the wafer (W) estimated with the illuminance u.
Abstract translation: 使用光源作为热源的热处理装置利用现有的温度测量方法对难以测量温度的温度带和物体进行精确的温度测量。 一种温度测量工具，包括：测量来自发光元件单元（30）的照度u并放置在晶片（W）和发光元件单元（30）之间的照度监视器（50），温度传感器（20a）和 计算部（152）基于由照度u和温度传感器（20a）模拟的模拟温度Tc来估计晶片（W）的实际温度P. 基于先前计算出的用照度u估计的晶片（W）的照度u和估计温度y之间的第一相关性来执行计算部（152）中的晶片（W）的实际温度P的估计， 以及由温度传感器（20a）模拟的模拟温度Tc与用照度u估计的晶片（W）的估计温度y之间的先前计算的第二相关。
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公开(公告)号：KR101156944B1
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：KR1020107016874
申请日：2009-01-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/26
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/67115
Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 등에 대해 어닐을 실행하는 어닐 장치에 관한 것이다．본 발명에 따르면, 웨이퍼 W의 면을 향하도록 마련되며, 웨이퍼에 대하여 광을 조사하는 복수의 LED (33)을 가지는 가열원 (17a, 17b)과 발광소자 (33)로부터의 광을 투과하는 광투과부재 (18a, 18b)와, 가열원에 직접 접촉하도록 마련된 Al로 구성된 냉각부재 (4a,4b)를 가지며, 상기 가열원(17a, 17b)은 표면에 상기 복수의 발광 소자를 은 페이스트 (56)에 의해 부착된 AlN로 이루어지는 지지체(32)와, 상기 지지체(32)의 이면측에 땝납 57에 의해 접합된 Cu제의 열확산 부재를 포함하고, 이들을 유닛화하여 구성된 복수개의 발광 소자 어레이를 구비하고, 상기 발광 소자 어레이는 실리콘 그리스를 거쳐서 상기 냉각 부재에 고정되어 있는 어닐 장치가 제공된다.
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