온도 측정 시스템
    1.
    发明授权
    온도 측정 시스템 有权
    温度测量系统

    公开(公告)号:KR100655250B1

    公开(公告)日:2006-12-08

    申请号:KR1020017012536

    申请日:2000-03-30

    Abstract: 본 발명은 방사식 온도계를 이용하여 웨이퍼 등의 피처리 물체의 온도 측정을 행하는 경우에, 가열용 램프에 의한 미광의 영향을 배제하는 것을 목적으로 하고 있다. 본 발명에서는, 램프(22)에 출력 제어부(28)로부터 공급되는 전력(W)과 램프(22)로부터 방사되는 빛 에너지 사이에 성립하는 관계를 이용한다. 램프(22)로부터 방사되는 빛이 포토다이오드(18)의 출력 전압에 미치는 영향을 전력(W)의 함수로서 미리 실험적으로 구하여 연산부(26)에 저장해 둔다. 연산부(26)는 출력 제어부(28)로부터 송신되는 전력(W)의 값에 기초하여 포토다이오드(18)의 출력 전압에 포함되는 램프(22)로부터의 미광의 영향분을 포토다이오드(18)의 출력값에서 감산하여 서셉터(8)의 온도를 산출한다.

    열처리 방법 및 열처리 장치
    2.
    发明公开
    열처리 방법 및 열처리 장치 审中-实审
    热处理方法和热处理设备

    公开(公告)号:KR1020170051438A

    公开(公告)日:2017-05-11

    申请号:KR1020177006191

    申请日:2015-08-31

    Abstract: 복수의발광소자유닛을열원으로사용하여웨이퍼를열처리하는열처리방법은, 발광소자유닛으로부터제1 조도로웨이퍼(W)에광을조사하고, 웨이퍼(W)의반사율을구하고, 웨이퍼(W)의반사율과, 미리구해진, 제1 조도에있어서의웨이퍼의승온커브와웨이퍼의반사율의상관관계에기초하여, 발광소자유닛으로부터의광의조도를, 제1 조도로부터제2 조도로보정한다.

    Abstract translation: 用于使用多个发光元件部的作为热源的热处理方法的热处理的晶片,所述发光器件从所述单元照射晶片(W)egwang第一照明,并且获得在晶片(W),晶片的反射率(W)的反射率 并且基于晶片的温度上升曲线和晶片在第一粗糙度中的反射率之间的相关性,将来自发光元件单元的光的先前获得的粗糙度从第一粗糙度校正为第二粗糙度。

    어닐 장치
    7.
    发明授权
    어닐 장치 有权
    어닐장치

    公开(公告)号:KR101059314B1

    公开(公告)日:2011-08-24

    申请号:KR1020097004654

    申请日:2007-08-31

    Abstract: Provided is an annealing apparatus, which is free from a problem of reduced light energy efficiency resulted by the reduction of light emission amount due to a heat generation and capable of maintaining stable performance. The apparatus includes: a processing chamber 1 for accommodating a wafer W; heating sources 17a and 17b including LEDs 33 and facing the surface of the wafer W to irradiate light on the wafer W; light-transmitting members 18a and 18b arranged in alignment with the heating sources 17a and 17b to transmit the light emitted from the LEDs 33; cooling members 4a and 4b supporting the light-transmitting members 18a and 18b at opposite side to the processing chamber 1 to make direct contact with the heating sources 17a and 17b and made of a material of high thermal conductivity; and a cooling mechanism for cooling the cooling members 4a and 4b with a coolant.

    Abstract translation: 本发明提供一种退火装置,其不存在因发热引起的发光量减少而导致的光能量利用率降低,能够维持稳定的性能的问题。 该装置包括:用于容纳晶片W的处理室1; 加热源17a和17b,其包括LED33并面向晶片W的表面以向晶片W上照射光; 透光构件18a和18b,其与加热源17a和17b对齐地布置以透射从LED 33发射的光; 在处理容器1的相反侧支撑透光部件18a和18b以便与加热源17a和17b直接接触并由高热导率材料制成的冷却部件4a和4b; 以及用冷却剂冷却冷却构件4a和4b的冷却机构。

    어닐링 장치
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1020110009187A

    公开(公告)日:2011-01-27

    申请号:KR1020107026632

    申请日:2009-06-24

    CPC classification number: H01L21/67115

    Abstract: 본 발명은 피처리체에 대하여 어닐링 처리를 시행하는 어닐링 장치에 있어서, 상기 피처리체가 수용되는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에서 상기 피처리체를 지지하는 지지 수단과, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 수단과, 상기 처리 용기 내의 분위기를 배기하는 배기 수단과, 상기 피처리체의 이면 전체를 향하여 가열광을 조사하는 복수의 레이저 소자를 갖는 이면측 가열 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 어닐링 장치이다.

    어닐링 장치
    10.
    发明公开
    어닐링 장치 无效
    退火装置

    公开(公告)号:KR1020100041817A

    公开(公告)日:2010-04-22

    申请号:KR1020107002723

    申请日:2008-09-25

    Abstract: An annealing apparatus is provided with a processing chamber (1) wherein a wafer (W) is stored; heating sources (17a, 17b) which are arranged to face the surface of the wafer (W) and have a plurality of LEDs (33) for irradiating the wafer (W) with light; and light transmitting members (18a, 18b), which are arranged corresponding to the heating sources (17a, 17b) and transmit light emitted from the light emitting element (33). The heat sources (17a, 17b) are constituted by attaching a plurality of the light emitting elements (33) on a supporting body (32) to face the wafer (W), and each of the light emitting elements is separately covered with a lens layer (20) composed of a transparent resin.

    Abstract translation: 退火装置设有处理室(1),其中晶片(W)被储存; 所述加热源(17a,17b)配置成与所述晶片(W)的表面相对配置并且具有用于用光照射所述晶片(W)的多个LED(33) 以及对应于加热源(17a,17b)布置并透射从发光元件(33)发射的光的透光构件(18a,18b)。 热源(17a,17b)通过将多个发光元件(33)附着在支撑体(32)上以面对晶片(W)而构成,并且每个发光元件分别被透镜覆盖 层(20)由透明树脂构成。

Patent Agency Ranking