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公开(公告)号:KR100655250B1
公开(公告)日:2006-12-08
申请号:KR1020017012536
申请日:2000-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G01J5/10
CPC classification number: G01J5/0003 , G01J5/0007 , G01J5/04 , G01J5/046 , G01J5/08 , G01J5/0818 , G01J5/0862 , G01J5/0875 , G01J5/0887 , G01J2005/0048
Abstract: 본 발명은 방사식 온도계를 이용하여 웨이퍼 등의 피처리 물체의 온도 측정을 행하는 경우에, 가열용 램프에 의한 미광의 영향을 배제하는 것을 목적으로 하고 있다. 본 발명에서는, 램프(22)에 출력 제어부(28)로부터 공급되는 전력(W)과 램프(22)로부터 방사되는 빛 에너지 사이에 성립하는 관계를 이용한다. 램프(22)로부터 방사되는 빛이 포토다이오드(18)의 출력 전압에 미치는 영향을 전력(W)의 함수로서 미리 실험적으로 구하여 연산부(26)에 저장해 둔다. 연산부(26)는 출력 제어부(28)로부터 송신되는 전력(W)의 값에 기초하여 포토다이오드(18)의 출력 전압에 포함되는 램프(22)로부터의 미광의 영향분을 포토다이오드(18)의 출력값에서 감산하여 서셉터(8)의 온도를 산출한다.
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公开(公告)号:KR1020170051438A
公开(公告)日:2017-05-11
申请号:KR1020177006191
申请日:2015-08-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/26 , H01L21/324 , H01L21/683
Abstract: 복수의발광소자유닛을열원으로사용하여웨이퍼를열처리하는열처리방법은, 발광소자유닛으로부터제1 조도로웨이퍼(W)에광을조사하고, 웨이퍼(W)의반사율을구하고, 웨이퍼(W)의반사율과, 미리구해진, 제1 조도에있어서의웨이퍼의승온커브와웨이퍼의반사율의상관관계에기초하여, 발광소자유닛으로부터의광의조도를, 제1 조도로부터제2 조도로보정한다.
Abstract translation: 用于使用多个发光元件部的作为热源的热处理方法的热处理的晶片,所述发光器件从所述单元照射晶片(W)egwang第一照明,并且获得在晶片(W),晶片的反射率(W)的反射率 并且基于晶片的温度上升曲线和晶片在第一粗糙度中的反射率之间的相关性,将来自发光元件单元的光的先前获得的粗糙度从第一粗糙度校正为第二粗糙度。
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公开(公告)号:KR101413840B1
公开(公告)日:2014-06-30
申请号:KR1020127026149
申请日:2011-03-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L25/0753 , H01L33/60 , H01L33/64 , H01L2224/48091 , H01L2924/01019 , H01L2924/09701 , H01L2924/00014
Abstract: 가열 장치는, 금속제의 방열 기판(72)과, 방열 기판 상에 직접적으로 형성된 절연층(74)과, 절연층 상에 배열되어서 배선 패턴을 이루는 복수의 배선 요소(76)와, 복수의 각 배선 요소 상에 각각 마련된 복수의 LED 소자(70)와, 이웃하는 LED 소자 간을 전기적으로 직접 접속하는 금속 배선(82)을 갖는 LED 모듈(54)을 구비한다. 이 구성에 따라, LED 소자의 방열을 균일하게 또한 효율적으로 행하는 것이 가능해진다.
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公开(公告)号:KR1020120135910A
公开(公告)日:2012-12-17
申请号:KR1020127026149
申请日:2011-03-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L25/0753 , H01L33/60 , H01L33/64 , H01L2224/48091 , H01L2924/01019 , H01L2924/09701 , H01L2924/00014
Abstract: 가열 장치는, 금속제의 방열 기판(72)과, 방열 기판 상에 직접적으로 형성된 절연층(74)과, 절연층 상에 배열되어서 배선 패턴을 이루는 복수의 배선 요소(76)와, 복수의 각 배선 요소 상에 각각 마련된 복수의 LED 소자(70)와, 이웃하는 LED 소자 간을 전기적으로 직접 접속하는 금속 배선(82)을 갖는 LED 모듈(54)을 구비한다. 이 구성에 따라, LED 소자의 방열을 균일하게 또한 효율적으로 행하는 것이 가능해진다.
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公开(公告)号:KR101089929B1
公开(公告)日:2011-12-05
申请号:KR1020087011511
申请日:2006-10-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/26 , H01L21/265 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/2686 , H01L21/67115
Abstract: 피 처리체(W)를 가열하기 위한 가열 장치(62)는, 상기 피 처리체를 향해서 파장이 360∼520 nm의 범위 내의 가열용 빛을 사출하는 LED 소자(74)를 포함하는 복수의 가열광원을 가진다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼 등의 피 처리체의 표면만을 얕게, 또한 막의 종류에 관계없이 균일한 온도분포의 상태에서 고속승온 및 고속강온시킨다.
반도체, 웨이퍼, 가열장치, 열처리 장치-
公开(公告)号:KR101168827B1
公开(公告)日:2012-07-25
申请号:KR1020117016768
申请日:2008-09-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L25/0753 , H01L33/54 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: Disclosed is an annealing device that includes a processing chamber into which a wafer is received, a heating source having a plurality of light emitting diodes (LEDs) for emitting a light toward the wafer, which faces the surface of the wafer, and a light transmissive member provided corresponding to the heating source, into which the light from the light emitting elements is transmitted. The heating source has the light emitting elements attached on a support toward the wafer. Each of the light emitting elements is individually covered with a lens layer made of a transparent resin.
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公开(公告)号:KR101059314B1
公开(公告)日:2011-08-24
申请号:KR1020097004654
申请日:2007-08-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/26
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/67109 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: Provided is an annealing apparatus, which is free from a problem of reduced light energy efficiency resulted by the reduction of light emission amount due to a heat generation and capable of maintaining stable performance. The apparatus includes: a processing chamber 1 for accommodating a wafer W; heating sources 17a and 17b including LEDs 33 and facing the surface of the wafer W to irradiate light on the wafer W; light-transmitting members 18a and 18b arranged in alignment with the heating sources 17a and 17b to transmit the light emitted from the LEDs 33; cooling members 4a and 4b supporting the light-transmitting members 18a and 18b at opposite side to the processing chamber 1 to make direct contact with the heating sources 17a and 17b and made of a material of high thermal conductivity; and a cooling mechanism for cooling the cooling members 4a and 4b with a coolant.
Abstract translation: 本发明提供一种退火装置,其不存在因发热引起的发光量减少而导致的光能量利用率降低,能够维持稳定的性能的问题。 该装置包括:用于容纳晶片W的处理室1; 加热源17a和17b,其包括LED33并面向晶片W的表面以向晶片W上照射光; 透光构件18a和18b,其与加热源17a和17b对齐地布置以透射从LED 33发射的光; 在处理容器1的相反侧支撑透光部件18a和18b以便与加热源17a和17b直接接触并由高热导率材料制成的冷却部件4a和4b; 以及用冷却剂冷却冷却构件4a和4b的冷却机构。
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公开(公告)号:KR1020110089886A
公开(公告)日:2011-08-09
申请号:KR1020117016768
申请日:2008-09-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L25/0753 , H01L33/54 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: Disclosed is an annealing device that includes a processing chamber into which a wafer is received, a heating source having a plurality of light emitting diodes (LEDs) for emitting a light toward the wafer, which faces the surface of the wafer, and a light transmissive member provided corresponding to the heating source, into which the light from the light emitting elements is transmitted. The heating source has the light emitting elements attached on a support toward the wafer. Each of the light emitting elements is individually covered with a lens layer made of a transparent resin.
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公开(公告)号:KR1020110009187A
公开(公告)日:2011-01-27
申请号:KR1020107026632
申请日:2009-06-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/268 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115
Abstract: 본 발명은 피처리체에 대하여 어닐링 처리를 시행하는 어닐링 장치에 있어서, 상기 피처리체가 수용되는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에서 상기 피처리체를 지지하는 지지 수단과, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 수단과, 상기 처리 용기 내의 분위기를 배기하는 배기 수단과, 상기 피처리체의 이면 전체를 향하여 가열광을 조사하는 복수의 레이저 소자를 갖는 이면측 가열 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 어닐링 장치이다.
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公开(公告)号:KR1020100041817A
公开(公告)日:2010-04-22
申请号:KR1020107002723
申请日:2008-09-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L25/0753 , H01L33/54 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: An annealing apparatus is provided with a processing chamber (1) wherein a wafer (W) is stored; heating sources (17a, 17b) which are arranged to face the surface of the wafer (W) and have a plurality of LEDs (33) for irradiating the wafer (W) with light; and light transmitting members (18a, 18b), which are arranged corresponding to the heating sources (17a, 17b) and transmit light emitted from the light emitting element (33). The heat sources (17a, 17b) are constituted by attaching a plurality of the light emitting elements (33) on a supporting body (32) to face the wafer (W), and each of the light emitting elements is separately covered with a lens layer (20) composed of a transparent resin.
Abstract translation: 退火装置设有处理室(1),其中晶片(W)被储存; 所述加热源(17a,17b)配置成与所述晶片(W)的表面相对配置并且具有用于用光照射所述晶片(W)的多个LED(33) 以及对应于加热源(17a,17b)布置并透射从发光元件(33)发射的光的透光构件(18a,18b)。 热源(17a,17b)通过将多个发光元件(33)附着在支撑体(32)上以面对晶片(W)而构成,并且每个发光元件分别被透镜覆盖 层(20)由透明树脂构成。
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