公开(公告)号：KR1020170051438A

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：KR1020177006191

申请日：2015-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토오마사토시 ,  스즈키도모히로 ,  다나카스미 ,  오오야가즈히로 ,  혼다도모키

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/683

Abstract: 복수의발광소자유닛을열원으로사용하여웨이퍼를열처리하는열처리방법은, 발광소자유닛으로부터제1 조도로웨이퍼(W)에광을조사하고, 웨이퍼(W)의반사율을구하고, 웨이퍼(W)의반사율과, 미리구해진, 제1 조도에있어서의웨이퍼의승온커브와웨이퍼의반사율의상관관계에기초하여, 발광소자유닛으로부터의광의조도를, 제1 조도로부터제2 조도로보정한다.

Abstract translation: 用于使用多个发光元件部的作为热源的热处理方法的热处理的晶片，所述发光器件从所述单元照射晶片（W）egwang第一照明，并且获得在晶片（W），晶片的反射率（W）的反射率 并且基于晶片的温度上升曲线和晶片在第一粗糙度中的反射率之间的相关性，将来自发光元件单元的光的先前获得的粗糙度从第一粗糙度校正为第二粗糙度。

公开(公告)号：KR102225424B1

公开(公告)日：2021-03-08

申请号：KR1020177006191

申请日：2015-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토오마사토시 ,  스즈키도모히로 ,  다나카스미 ,  오오야가즈히로 ,  혼다도모키

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/683

Abstract: 복수의발광소자유닛을열원으로사용하여웨이퍼를열처리하는열처리방법은, 발광소자유닛으로부터제1 조도로웨이퍼(W)에광을조사하고, 웨이퍼(W)의반사율을구하고, 웨이퍼(W)의반사율과, 미리구해진, 제1 조도에있어서의웨이퍼의승온커브와웨이퍼의반사율의상관관계에기초하여, 발광소자유닛으로부터의광의조도를, 제1 조도로부터제2 조도로보정한다.

公开(公告)号：KR101732216B1

公开(公告)日：2017-05-02

申请号：KR1020130114315

申请日：2013-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키도모히로 ,  혼다도모키 ,  오오야가즈히로

IPC: G01J5/02

Abstract: 광원을열원으로하는열처리장치에있어서, 종래의비접촉온도측정으로서는정확한온도를측정하기어렵던대상물및 온도대역에있어서정확한온도측정을행한다. 온도측정기구는, 복수의발광소자유닛(30)과웨이퍼(W) 사이에배치되며발광소자유닛(30)으로부터의조도 u를측정하는조도모니터(50)와, 온도센서(20a)와, 조도 u와온도센서(20a)에의해모의적으로측정된모의온도 Tc에기초해서, 웨이퍼(W)의실제온도 P를추정하는연산부(152)를갖고있다. 연산부(152)에있어서의웨이퍼(W)의실제온도 P의추정은, 미리구해진, 조도 u와상기조도 u에있어서추정되는웨이퍼(W)의온도 y의상관관계인제 1 상관관계와, 미리구해진, 온도센서(20a)에의해모의적으로측정된모의온도 Tc와조도 u에있어서추정되는웨이퍼(W)의온도 y의상관관계인제 2 상관관계에기초해서행해진다.

Abstract translation: 在使用光源作为热源的热处理设备中，在传统的非接触式温度测量中难以测量准确温度的物体和温度带中执行准确的温度测量。 温度测量机构包括设置在多个发光元件单元30和晶片W之间并用于测量来自发光元件单元30的照度u的照度监视器50，温度传感器20a， 以及根据由温度传感器20a测量的模拟温度Tc和由温度传感器20a模拟的模拟温度Tc来估计晶片W的实际温度P的操作单元152。 计算单元152中的晶片W的实际温度P的估计是基于在粗糙度u中估计的晶片W的温度y和基础晶片W的相位之间的相关性来执行的， 由温度传感器20a模拟的模拟温度Tc与在粗糙度u处估计的晶片W的温度y之间的相关性。

公开(公告)号：KR1020140042705A

公开(公告)日：2014-04-07

申请号：KR1020130114315

申请日：2013-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키도모히로 ,  혼다도모키 ,  오오야가즈히로

IPC: G01J5/02

CPC classification number: G01J5/0285 ,  G01J3/457 ,  G01J5/061

Abstract: A heat treatment device using a light source as a heat source performs accurate temperature measurement for a temperature band and an object which are difficult to measure the temperature with an existing temperature measuring method. A temperature measuring tool includes an illuminance monitor (50) measuring illuminance u from a light emitting element unit (30) and placed between a wafer (W) and the light emitting element unit (30), a temperature sensor (20a), and a calculating part (152) estimating the actual temperature P of the wafer (W) based on the simulation temperature Tc simulated by illuminance u and the temperature sensor (20a). The estimation of the actual temperature P of the wafer (W) in the calculating part (152) is performed on the basis of a previously calculated first correlation between the illuminance u and estimated temperature y of the wafer (W) estimated with the illuminance u and a previously calculated second correlation between the simulation temperature Tc simulated by the temperature sensor (20a) and the estimated temperature y of the wafer (W) estimated with the illuminance u.

Abstract translation: 使用光源作为热源的热处理装置利用现有的温度测量方法对难以测量温度的温度带和物体进行精确的温度测量。 一种温度测量工具，包括：测量来自发光元件单元（30）的照度u并放置在晶片（W）和发光元件单元（30）之间的照度监视器（50），温度传感器（20a）和 计算部（152）基于由照度u和温度传感器（20a）模拟的模拟温度Tc来估计晶片（W）的实际温度P. 基于先前计算出的用照度u估计的晶片（W）的照度u和估计温度y之间的第一相关性来执行计算部（152）中的晶片（W）的实际温度P的估计， 以及由温度传感器（20a）模拟的模拟温度Tc与用照度u估计的晶片（W）的估计温度y之间的先前计算的第二相关。