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公开(公告)号：KR101852310B1
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：KR1020170160011
申请日：2017-11-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32183 , H01J37/32651 , H01J2237/334
Abstract: 플라즈마처리장치는제 1 및제 2 안테나소자를구비한고주파안테나를포함한다. 제 1 안테나소자의일단부는접지되고, 타단부는고주파전원에접속된다. 제 2 안테나소자의일단부는개방단이고, 또한타단부는제 1 안테나소자의일단부및 타단부의한쪽에접속되고, 제 2 안테나소자의선로길이는 ((λ/4) + nλ/2)(λ는진공중의고주파의파장이며, n는자연수)에단축율을곱한값이다. 고주파전원으로부터고주파안테나측을보았을때의회로는, 고주파전력의주파수를변경했을때에, 임피던스조정부의조정에의해 2개의공진주파수가나타나도록구성되어있다.
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公开(公告)号：KR1020160053824A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020150154648
申请日：2015-11-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H05H1/46 , H01L21/683
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32183 , H01J37/32651
Abstract: 본발명은, 피처리기판에대해플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치에있어서, 플라즈마밀도의면내분포를조정할수 있는기술을제공한다. 처리용기(1) 내의탑재대(21) 상에탑재된피처리기판 W에대해, 처리가스를플라즈마화하여플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치는유도결합에의해서처리가스를플라즈마화하는플라즈마발생부를구비한다. 플라즈마발생부의제 1 고주파안테나(541)는유전체창(53)을개재하여처리용기(10)에인접하여배치되는소용돌이코일로이루어진다. 제 2 고주파안테나(542)는제 1 고주파안테나(541)의외주측또는내주측에배치되는소용돌이코일로이루어진다. 또한, 임피던스조정부(62~64)는고주파전원(61)에서보았을때의회로의공진주파수를조정하고, 당해회로는고주파의주파수를바꾸어갈 때에, 2개의공진주파수가나타나도록구성되어있다.
Abstract translation: 本发明在等离子体处理装置中，对待处理的基板进行等离子体处理，提供能够调整等离子体密度的面内分布的技术。 对处理容器（1）中的安装台（21）上进行等离子体处理的等离子体处理装置，通过将处理气体制成等离子体，对等待处理的基板W进行等离子体处理，其特征在于，包括： 通过电感耦合进入等离子体。 等离子体产生部分的第一高频天线（541）由与处理容器（10）相邻布置的螺旋线圈组成，介电窗口（53）介于其间。 第二高频天线（542）由布置在第一高频天线（541）的外周侧或内周侧的螺旋线圈构成。 此外，当从高频功率（61）看时，阻抗调节部件（62-64）调节电路的谐振频率。 相应的电路配置为在改变高频波频率时显示两个共振频率。
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公开(公告)号：KR1020160053808A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020150154193
申请日：2015-11-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32183 , H01J37/32651 , H01J2237/334
Abstract: 플라즈마처리장치는제 1 및제 2 안테나소자를구비한고주파안테나를포함한다. 제 1 안테나소자의일단부는접지되고, 타단부는고주파전원에접속된다. 제 2 안테나소자의일단부는개방단이고, 또한타단부는제 1 안테나소자의일단부및 타단부의한쪽에접속되고, 제 2 안테나소자의선로길이는 ((λ/4) + nλ/2)(λ는진공중의고주파의파장이며, n는자연수)에단축율을곱한값이다. 고주파전원으로부터고주파안테나측을보았을때의회로는, 고주파전력의주파수를변경했을때에, 임피던스조정부의조정에의해 2개의공진주파수가나타나도록구성되어있다.
Abstract translation: 等离子体处理装置包括具有第一和第二天线元件的高频天线。 第一天线元件的一端接地，另一端与高频电源连接。 第二天线元件的一端是开放端，其另一端连接到第一天线元件的一端和另一端中的任一端，第二天线元件的线长度具有通过将第 （λ/ 4）+nλ/ 2）缩短比（λ是真空中高频波长，n是自然数）。 从高频电源向高频天线观察的电路被配置为通过调整阻抗调整单元来产生高频功率的频率改变两个谐振频率。
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公开(公告)号：KR1020080087716A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：KR1020080027562
申请日：2008-03-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/6831 , H01J37/3244 , H01J37/32642 , H01L21/67069 , H01L21/67109
Abstract: A substrate processing apparatus and a substrate process method are provided to control rapidly temperature of components of a process chamber by injecting a temperature-controlled gas. A substrate processing apparatus(10) includes a process chamber in which a substrate is loaded. The substrate processing apparatus processes the substrate by performing a plasma process using plasma. The substrate processing apparatus includes an injection unit for injecting a temperature-controlled gas toward at least a part of components of the process chamber facing the plasma. The injection unit includes a nozzle(39) for injecting the temperature-controlled gas. The injection unit includes a temperature measurement device(43) for measuring the temperature of the components of the process chamber.
Abstract translation: 提供基板处理装置和基板处理方法，通过注入温度控制气体来控制处理室的部件的快速温度。 衬底处理装置（10）包括其中装载衬底的处理室。 基板处理装置通过使用等离子体进行等离子体处理来处理基板。 基板处理装置包括用于朝面向等离子体的处理室的部件的至少一部分注入温度控制气体的注入单元。 注射单元包括用于喷射温度控制气体的喷嘴（39）。 注射单元包括用于测量处理室的部件的温度的温度测量装置（43）。
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公开(公告)号：KR101933077B1
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：KR1020120001771
申请日：2012-01-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
Abstract: 온도차가 큰 2 개의 부품의 간극에서 저온인 부품에 퇴적물이 부착되는 것을 방지할 수 있는 포커스 링을 제공한다. 포커스 링(25)은, 기판 처리 장치(10)의 챔버(11) 내에 배치된 웨이퍼(W)의 주연부를 둘러싸고, 내측 포커스 링(25a) 및 외측 포커스 링(25b)은 포커스 링(25)을 구성하고, 내측 포커스 링(25a)은 웨이퍼(W)에 인접하여 배치되고 또한 냉각되고, 외측 포커스 링(25b)은 내측 포커스 링(25a)을 둘러싸고 또한 냉각되지 않고, 블록 부재(25c)가 내측 포커스 링(25a) 및 외측 포커스 링(25b)의 사이에 배치된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170135742A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020170066480
申请日：2017-05-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 야마와쿠쥰
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/02
Abstract: (과제) 제전가스의플라즈마에대한내식성을갖는재료에의해구성된탑재대로부터피처리기판을상승시키는기간중에제전가스의플라즈마를형성할때에, 해당플라즈마가탑재대에주는영향을저감하는기술을제공한다. (해결수단) 플라즈마처리장치(1)는처리용기(10) 내에마련된탑재대(2)의정전척(22) 상에피처리기판(G)을유지하고, 플라즈마화된처리가스에의해플라즈마처리를실시한다. 플라즈마처리를완료한피처리기판(G)을탑재대(2)로부터상승이동시키는기간중에, 제전가스의플라즈마를이용해서피처리기판(G)의제전을실시할때에, 처리용기(10)에부착한부생성물과제전가스의플라즈마의반응성분이피처리기판(G)의하방측에진입하는것을억제하기위해서, 탑재대(2)와피처리기판(G) 사이에위치하는공간에진입억제가스를공급한다. 또한, 이탑재대(2)는제전가스의플라즈마에대한내식성을갖는재료에의해구성되어있다.
Abstract translation: 上中和气体的从上述载置台的基板的等离子体的形成（任务）是通过具有在中和气体的等离子体的耐腐蚀性的材料的时段期间增大，该技术用于减少等离子体的效果的配置与该大 提供。 等离子体处理装置1包括处理容器10，该处理容器10用于将外延衬底G保持在工作台2的工作台22上并且通过等离子体处理气体 的。 在经过等离子体处理的被处理基板G从载置台2向上方移动期间，使用放电气体的等离子体进行表面处理基板G的等离子体处理时， 为了抑制良性副产物任务相关气体的等离子体进入反应性部件基板G的下侧，向位于安装台2和擦拭基板G之间的空间供应进入抑制气体。 另外，台2由对放电气体的等离子体具有耐腐蚀性的材料制成。
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公开(公告)号：KR1020160140420A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：KR1020160063265
申请日：2016-05-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J9/42 , H01J9/24 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J9/42 , H01J9/24 , H01L21/3065
Abstract: (과제) 플라즈마처리중의이상방전의발생을검지함으로써기판의박리를신속하게검지한다. (해결수단) 기판(G)이탑재되는기판탑재면을가진탑재대(21)가챔버(20)의내부에배치된플라즈마처리장치(11)에있어서, 기판탑재면에기판(G)이탑재된상태로기판(G)에덮혀지는위치에서도전성핀(60)을기판탑재면에노출되도록탑재대(21)에배치하고, 기판(G)에대한플라즈마처리중에직류전원(63)으로부터도전성핀(60)에직류전압을인가하고, 도전성핀(60)의전위와도전성핀(60)을흐르는전류중 적어도한쪽을감시한다. 플라즈마처리장치(11)를제어하는장치콘트롤러(44)는, 도전성핀(60)의전위가변화했을때 또는도전성핀(60)을흐르는전류가변화했을때에기판(G)의박리가발생했다고판단하여플라즈마의생성을중지한다.
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公开(公告)号：KR1020160053812A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020150154315
申请日：2015-11-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32165 , H01J37/32183
Abstract: (과제) 피처리기판에대하여플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치에있어서, 플라즈마밀도의면 내분포를조정할수 있는기술을제공한다. (해결수단) 처리용기(1) 내의탑재대(21)상에탑재된피처리기판 W에대하여, 처리가스를플라즈마화하여처리를행하는플라즈마처리장치는, 유도결합에의해처리가스를플라즈마화하는플라즈마발생부를구비한다. 플라즈마발생부의제 1 고주파안테나(541)는, 양단에개방단을갖고, 고주파의주파수에대응하는공진주파수를갖는소용돌이코일로이루어지고, 그중앙부에고주파의공급점과, 콘덴서(64)를통해서접지되는접지점을구비한다. 제 2 고주파안테나(542)는, 소용돌이코일로이루어지고, 제 1 고주파안테나(541)를구성하는고주파안테나소자(541a, 541b)의사이에배치된다. 임피던스조정부(62~65)는, 양고주파안테나소자(541a, 541b)에서로상이한공진주파수를갖게한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种用于在等离子体处理装置中调整等离子体密度的面内分布的技术，该等离子体处理装置对待处理的基板进行等离子体处理。 对处理气体进行等离子体处理并使用经处理的气体处理装载在处理容器（1）中的基座（21）上的待处理基板W的等离子体处理装置包括：等离子体生成单元， 通过电感耦合将气体加工成等离子体。 等离子体发生单元的第一高频天线（541）由具有开口端和对应于高频的谐振频率的涡流线圈组成，并且在中心部分由高频的供电点和通过 冷凝器（64）。 第二高频天线（542）由涡流线圈构成，并配置在构成第一高频天线（541）的高频天线元件（541a，541b）之间。 阻抗调整单元（62-65）被配置为使得两个高频天线元件（541a，541b）彼此具有不同的谐振频率。
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公开(公告)号：KR102049146B1
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：KR1020170088761
申请日：2017-07-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/683
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公开(公告)号：KR101998520B1
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：KR1020180071244
申请日：2018-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H01L21/60
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