公开(公告)号：KR100605799B1

公开(公告)日：2006-07-31

申请号：KR1019990043599

申请日：1999-10-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카세와타루 ,  하세이마사아키

IPC: H01L21/324

CPC classification number: C23C14/083 ,  C23C16/56

Abstract: 반도체 웨이퍼(W) 상에 퇴적된 산화 탄탈의 개질 처리 및 결정화 처리를 실행하기 위해서, 열처리 장치(22)가 사용된다. 열처리 장치(22)는 히터(44)를 내장하는 탑재대(36)를 갖는다. 탑재대(36)의 하측에는, 탑재대의 하면(36A)의 주변부를 따라 대향하는 대향면(64)을 갖는 박판(68)으로 이루어지는 열 보상 부재(66)가 배치된다. 대향면(64)은 Rmax가 25㎛ 이하의 표면 거칠기를 갖는 경면(鏡面)으로 형성된다. 경면형상의 대향면(64)에 의해 열선이나 복사열이 반사됨으로써, 탑재대(36)의 주변부에 대하여 열선이나 복사열이 공급되어, 동일 주변부의 온도 보상이 실행된다.

公开(公告)号：KR1020010007193A

公开(公告)日：2001-01-26

申请号：KR1020000030293

申请日：2000-06-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세이마사아키 ,  이시카와겐지 ,  샤오쇼우-퀴안 ,  나카노데츠야

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67115 ,  C01B13/10 ,  C30B33/005

Abstract: PURPOSE: To enable easy measurement of a light quantity of an ultraviolet lamp without exposing the interior of a processing container to atmosphere. CONSTITUTION: The oxidizing apparatus includes a processing container 1, a gas inlet pipe 6 for introducing an ozone gas into the container 1, an ultraviolet transmission window 10 provided to the container 1, a lamp house 20 provided outside the window 10, and an ultraviolet lamp 21 disposed within the lamp house 20. A space for sensor insertion is secured between the lamp 21 within the house 20 and the window 10, and a light quantity sensor 30 is externally inserted into the space 31 to measure a light quantity of the ultraviolet lamp.

Abstract translation: 目的：使紫外灯的光量易于测量，而不会使处理容器的内部暴露在大气中。 构成：氧化装置包括处理容器1，用于将臭氧气体引入容器1中的气体导入管6，设置在容器1上的紫外线透射窗10，设置在窗户10外部的灯室20和紫外线 灯21设置在灯室20内。用于传感器插入的空间被固定在房屋20内的灯21和窗户10之间，光量传感器30被外部插入空间31中以测量紫外线的光量 灯。

公开(公告)号：KR1020000028954A

公开(公告)日：2000-05-25

申请号：KR1019990043599

申请日：1999-10-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카세와타루 ,  하세이마사아키

IPC: H01L21/324

CPC classification number: C23C14/083 ,  C23C16/56

Abstract: PURPOSE: A heat treatment apparatus for a semiconductor treatment system is provided to realize the high uniformity of temperature in a non-processed substrate by simply changing the structure. CONSTITUTION: Gas is sprayed toward the inside from spraying holes(80B) of inner pipes(76) in the center and radiated in a vertical lower direction from the inner pipes of a shower head. Flows(G1) of the gas sprayed toward the center are collided each other for being changed to a flow(G2) toward the vertical lower direction to be fed to the center of a wafer(W). The gas in the flow is joined with the gas injected in the vertical lower direction from spraying holes(80A) to be flowed into the outer circumference of the wafer. A ring-shaped seal plate(97) completely seals between a loading stand(36) and a rectifying plate(96). All of the gas reaching the circumference of the wafer flows into the lower area through penetrating holes(96A) of the rectifying plate. Therefore, an area(RB) having the high flow speed of the processed gas is not generated. Also, the uniformity in the area is remarkably improved by raising the improved shower head and the seal plate.

Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体处理系统的热处理装置，通过简单地改变结构来实现未处理衬底中的高的均匀度。 构成：从中心的内管（76）的喷孔（80B）向内侧喷射气体，并从淋浴喷头的内管向下下方向辐射。 朝向中心喷射的气体的流量（G1）相互碰撞，以朝向垂直下方向的流动（G2）变化以供给到晶片（W）的中心。 流体中的气体与从喷射孔（80A）沿垂直下方向注入的气体接合，流入晶片的外周。 环形密封板（97）在装载架（36）和整流板（96）之间完全密封。 所有到达圆周的气体都通过整流板的穿孔（96A）流入下部区域。 因此，不产生具有处理气体的高流速的区域（RB）。 此外，通过提高改进的花洒头和密封板，该区域的均匀性显着提高。

公开(公告)号：KR1019940016468A

公开(公告)日：1994-07-23

申请号：KR1019930027317

申请日：1993-12-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 오카세와타루 ,  하세이마사아키

IPC: H01L21/22

Abstract: 반도체 처리장치는, 피처리체가 내부에 수용되는 반응용기와, 반응용기에 프로세스 가스를 반입하는 가스도입경로와, 반응용기로부터 배기가스를 상기 반응용기의 외부에 반출하는 가스배기경로를 구비한다.
가스도입경로는 절연성, 내열성 및 가요성의 사불화에틸렌수지로 이루어지는 내층과, 내층의 외주면상에 설치된 도전성수지로 이루어진 발열층과, 발열층의 외주면상에 설치된 사불화에틸렌수지로 이루어지는 외층으로 이루어지는 가스반송 파이프에 의하여 구성되어 있다.
도전성수지는 도전성카본, 및 사불화에틸렌수지의 복합재료이다. 발열층의 도전성수지에 전기를 도통시킴으로써 발열층을 발열시켜서 가스 반송 파이프의 내부를 그 전체둘레에 걸쳐서 균일하게 가열한다.

公开(公告)号：KR100657113B1

公开(公告)日：2006-12-15

申请号：KR1020000030293

申请日：2000-06-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세이마사아키 ,  이시카와겐지 ,  샤오쇼우-퀴안 ,  나카노데츠야

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67115 ,  C01B13/10 ,  C30B33/005

Abstract: 반도체 처리 시스템의 오존 처리 장치는 기밀 처리실(1)과, 자외선 투과 창문(10)을 거쳐서 처리실과 구획된 램프실(20)을 갖는다. 램프실(20)내에는, 창문(10)을 따라 배열된 복수의 자외선 램프(21)가 배치된다. 램프실(20)내에 있어서 창문(10)과 램프(21) 사이에 측정 공간(31)이 규정된다. 램프실(20)에는 측정 유닛(50)을 장착하기 위한 장착부(29)가 형성된다. 측정 유닛(50)은 측정 공간(31)에 대하여 삽입되는 램프(21)의 광량을 측정하기 위한 센서(30)를 구비한다. 센서(30)는 램프(21)의 배열 방향을 따라서 이동 가능하다.

公开(公告)号：KR100257305B1

公开(公告)日：2000-05-15

申请号：KR1019930028339

申请日：1993-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카세와타루 ,  하세이마사아키

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412

Abstract: 반응용기내를 제 1 진공 펌프로 상시 진공흡인 하면서, 반응가스 공급배관 내에 유량 제어장치(MFC)의 상류측(반응 가스봄베측)으로 부터 불활성가스를 도입해서 배관내의 반응가스를 치환한다. 그 후, MFC의 하류측의 유로를 차단하여 상류측으로부터 배관내를 바이패스 배관을 통해서 진공흡인하여 소정의 진공도로 한다. 이에 의하여, 가스 치환효율을 향사시킬 수가 있고, MFC가 저항이 되는 일 없이 급속하게 진공흡인 할 수가 있다. 상기의 불활성가스 도입과 진공흡인의 싸이클을 10회 이상 반복한다.

公开(公告)号：KR1019940016605A

公开(公告)日：1994-07-23

申请号：KR1019930028339

申请日：1993-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카세와타루 ,  하세이마사아키

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/304

公开(公告)号：KR100443415B1

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：KR1019980706622

申请日：1997-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카세와타루 ,  아오키가즈츠구 ,  하세이마사아키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: PCT No. PCT/JP97/00477 Sec. 371 Date Aug. 14, 1998 Sec. 102(e) Date Aug. 14, 1998 PCT Filed Feb. 21, 1997 PCT Pub. No. WO97/31389 PCT Pub. Date Aug. 28, 1997A thermal processing apparatus for a semi-conductor wafer. A holder is provided within a processing vessel on which the wafer to be processed is placed. Upper and lower heaters are provided above and below the holder in order to heat the wafer. Each of the heaters are attached within heating vessels. A gas supply head supplies a processing gas in a shower form between the upper heater and the holder. The uniformity of the surface temperature of the wafer is improved by heating the wafer from both above and below.

Abstract translation: PCT No.PCT / JP97 / 00477 Sec。 371日期1998年8月14日 102（e）日期1998年8月14日PCT申请日1997年2月21日PCT Pub。 WO97 / 31389 PCT Pub。 日期1997年8月28日用于半导体晶片的热处理设备。 在待处理的晶片放置在其上的处理容器内提供保持器。 上部和下部加热器设置在支架的上方和下方以加热晶片。 每个加热器都安装在加热容器内。 气体供应头在上部加热器和支架之间以淋浴形式供应处理气体。 通过从上方和下方加热晶片来改善晶片表面温度的均匀性。

公开(公告)号：KR1020010020883A

公开(公告)日：2001-03-15

申请号：KR1020000027737

申请日：2000-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세이마사아키 ,  고바야시쥰이치 ,  홈마겐지

IPC: H01L21/316

Abstract: PURPOSE: An oxidizing apparatus is provided to reduce an ozone exhausted from a lamp house to a heat exhaust system. CONSTITUTION: This apparatus comprises a treatment container receiving a body to be treated, treated gas-supplying means (a gas-supplying pipe) for supplying the treatment gas containing ozone to the treatment container, and a lamp house(20) provided on the treatment container via a ultraviolet-ray transmitting window in which a ultraviolet-ray lamp is received, and the ozone in the treatment container is irradiated with the ultraviolet-rays from the ultraviolet-ray lamp to be decomposed so as to oxidize the body to be treated. An inlet port(22) and an exhaust port(23) for circulating cooling air are provided on the lamp house(20), and ozone decomposing means is provided in a thermal exhaust system(50) connected to the exhaust port(23).

Abstract translation: 目的：提供一种氧化装置，用于减少从灯室排出到臭氧排放系统的臭氧。 构成：该装置包括容纳被处理体的处理容器，向处理容器供给含有臭氧的处理气体的处理气体供给装置（供气管）和设置在处理容器上的灯室（20） 容器，其中接收紫外线灯的紫外线透射窗口，并且处理容器中的臭氧被来自紫外线灯的紫外线照射以被分解以氧化待处理的身体 。 在灯室（20）上设置有用于循环冷却空气的入口（22）和排气口（23），臭氧分解装置设置在与排气口（23）连接的热排气系统（50）中。

公开(公告)号：KR1019990087225A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019980706622

申请日：1997-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카세와타루 ,  아오키가즈츠구 ,  하세이마사아키

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은, 웨이퍼 열처리장치의 처리용기(4)내의 피처리체 홀더(14)에 유지시킨 웨이퍼(W)에 대해 소정의 열처리를 실시하기 위해, 상기 피처리체 홀더(14)의 아래쪽과 위쪽에 피처리체를 가열하기 위한 하부 및 상부 가열수단(16, 26)이 배치된다. 이들 가열수단(16, 29)은 하측 및 상측 가열수단 용기(6, 8)내에 각각 장착되어 있다. 상측 가열수단 용기(8)와 피처리체 홀더(14)의 사이에는, 처리가스를 샤워형상으로 공급하는 가스공급헤드(28)가 설치된다. 웨이퍼(W)를 상하양면으로부터 가열함으로써, 웨이퍼의 면내 온도의 균일성이 향상된다.