플라즈마 처리 방법
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101772723B1

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:KR1020127034251

    申请日:2011-06-22

    Abstract: 공통가스원(41)로부터공급되는공통가스를플로우스플리터(44)에의해 2계통으로분기시키고, 2계통으로분기된공통가스를처리용기(2)의유전체창(16)의중앙에마련되는중앙도입구(58)(55), 및기판(W)의상방에둘레방향으로배열되는복수의주변도입구(62)에도입한다. 2계통으로분기시킨공통가스의어느한쪽에첨가가스를첨가한다. 처리용기(2)내에도입된공통가스및 첨가가스를기판(W)의하방의배기구(11a)로부터배기하고, 처리용기(2)내를소정의압력으로감압한다. 다수의슬롯(21)을갖는슬롯안테나(20)를이용하여처리용기(2)내에마이크로파를도입하고, 복수의주변도입구(62)가마련되는영역의전자온도를중앙도입구(58)(55)가마련되는영역의전자온도보다낮게한다.

    플라즈마 처리 방법
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1020130114607A

    公开(公告)日:2013-10-17

    申请号:KR1020127034251

    申请日:2011-06-22

    Abstract: 공통 가스원(41)로부터 공급되는 공통 가스를 플로우 스플리터(44)에 의해 2계통으로 분기시키고, 2계통으로 분기된 공통 가스를 처리 용기(2)의 유전체 창(16)의 중앙에 마련되는 중앙 도입구(58)(55), 및 기판(W)의 상방에 둘레방향으로 배열되는 복수의 주변 도입구(62)에 도입한다. 2계통으로 분기시킨 공통 가스의 어느 한쪽에 첨가 가스를 첨가한다. 처리 용기(2)내에 도입된 공통 가스 및 첨가 가스를 기판(W)의 하방의 배기구(11a)로부터 배기하고, 처리 용기(2)내를 소정의 압력으로 감압한다. 다수의 슬롯(21)을 갖는 슬롯 안테나(20)를 이용하여 처리 용기(2)내에 마이크로파를 도입하고, 복수의 주변 도입구(62)가 마련되는 영역의 전자 온도를 중앙 도입구(58)(55)가 마련되는 영역의 전자 온도보다 낮게 한다.

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