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公开(公告)号：KR101324589B1
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：KR1020127010099
申请日：2010-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/68735 , H01L21/6875
Abstract: 랩핑 가공에 의해 접촉면의 평활성을 유지하고, 그리고 접촉면을 대략 오목 형상으로 함으로써, 반도체 웨이퍼를 안정적으로 보유지지(holding)할 수 있는 시료대 및 당해 시료대를 구비한 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리가 행해질 반도체 웨이퍼(W)를 보유지지하는 시료대(2)에 있어서, 랩핑 가공이 행해져 있고, 반도체 웨이퍼(W)가 면접촉하는 접촉면을 갖고, 당해 접촉면에 면접촉한 반도체 웨이퍼(W)를 흡착하는 흡착판과, 당해 흡착판의 비접촉면이 접착된 오목면을 갖는 지지 기판을 구비하고, 상기 오목면의 대략 중앙부의 깊이와, 당해 중앙부로부터 이격된 이격 부위의 깊이와의 차이는, 당해 중앙부에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와, 상기 이격 부위에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와의 차이보다도 크게 구성한다. 또한, 시료대(2)를 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020120109419A
公开(公告)日：2012-10-08
申请号：KR1020120030392
申请日：2012-03-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32651
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to reduce pressure loss within a gas pipe without an increase in manufacturing costs of the gas pipe. CONSTITUTION: A gas supply part(14) supplies process gas to the inside of a process container(12). A microwave generator(16) generates microwaves. An antenna(18) introduces the microwaves for exciting plasma within the process container. A coaxial waveguide(20) is installed between the microwave generator and the antenna. A holding part(22) is placed to face the antenna in an extension direction of a central axis line of the coaxial waveguide. The holding part is provided in order to preserve processed gas. A dielectric window(24) is installed between the antenna and the holding part. The dielectric window transmits the microwaves from the antenna inside the process container. A dielectric rod(26) is placed between the holding part and the dielectric window along the central axis line. [Reference numerals] (AA,BB) Gas
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，以减少气体管道内的压力损失，而不增加气体管道的制造成本。 构成：气体供应部分（14）将处理气体供应到处理容器（12）的内部。 微波发生器（16）产生微波。 天线（18）在处理容器内引入用于激发等离子体的微波。 同轴波导（20）安装在微波发生器和天线之间。 保持部（22）被放置成在同轴波导的中心轴线的延伸方向上面对天线。 提供保持部件以便保留加工气体。 电介质窗（24）安装在天线和保持部之间。 电介质窗口从处理容器内的天线传送微波。 介电棒（26）沿着中心轴线放置在保持部分和电介质窗口之间。 （附图标记）（AA，BB）气体
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3.发明授权플라즈마 처리 장치용 유전체창, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치용 유전체창의 장착 방법 有权用于等离子体处理装置等离子体处理装置的电介质窗和用于连接等离子体处理装置的电介质窗的方法
公开(公告)号：KR101565432B1
公开(公告)日：2015-11-03
申请号：KR1020127025459
申请日：2011-03-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J23/36 , H01J9/44 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 플라즈마처리장치용유전체창(41) 중, 플라즈마를생성하는측의면의직경방향외측영역에는, 환상으로연장되고, 유전체창(41)의판 두께방향내방측을향해테이퍼형상으로오목한제 1 유전체창오목부(47)가형성되어있다. 제 1 유전체창오목부(47)와유전체창(41)의중심사이에는, 플라즈마를생성하는측의면으로부터유전체창(41)의판 두께방향내방측을향해오목한복수의제 2 유전체창오목부(53a ~ 53g)가형성되어있다. 복수의제 2 유전체창오목부(53a ~ 53g)는, 유전체창(41)의직경방향의중심(56)을중심으로서회전대칭성을가지도록, 각각둘레방향으로간격을두고배치되어있다.
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公开(公告)号：KR101362914B1
公开(公告)日：2014-02-14
申请号：KR1020120073543
申请日：2012-07-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32238
Abstract: 기판 표면 처리량의 면내 균일성도 개선할 수 있는 안테나, 유전체창, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법을 제공한다. 이 안테나는 유전체창(16)과, 유전체창(16)의 일방면에 설치된 슬롯판(20)을 구비하고 있다. 유전체창(16)의 타방면은, 환상의 제 1 오목부로 둘러싸인 평탄면(146)과, 평탄면(146)의 중심 위치를 둘러싸도록, 평탄면(146) 내에 형성된 복수의 제 2 오목부(153)를 가지고 있다. 상기 슬롯판의 주 표면과 수직인 방향에서 봤을 경우, 슬롯판(20)에서의 각각의 슬롯(133) 내에 각각의 제 2 오목부(153)의 중심 위치가 중첩되어 위치하고 있다.
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公开(公告)号：KR101436380B1
公开(公告)日：2014-09-02
申请号：KR1020130116247
申请日：2013-09-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32651
Abstract: 피처리 기체의 중앙 부분의 처리 속도를 저감시킬 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 일 실시예의 플라즈마 처리 장치는 처리 용기, 가스 공급부, 마이크로파 발생기, 안테나, 동축 도파관, 보지부, 유전체창 및 유전체제의 원판을 구비하고 있다. 가스 공급부는 처리 용기 내로 처리 가스를 공급한다. 마이크로파 발생기는 마이크로파를 발생한다. 안테나는 플라즈마 여기용의 마이크로파를 처리 용기 내로 도입한다. 동축 도파관은 마이크로파 발생기와 안테나의 사이에 설치되어 있다. 보지부는 피처리 기체를 보지하는 것이며, 동축 도파관의 중심축선이 연장되는 방향에서 안테나와 대향 배치되어 있다. 유전체창은 안테나와 보지부의 사이에 설치되어 있고, 안테나로부터의 마이크로파를 처리 용기 내에 투과한다. 유전체제의 원판은 보지부와 유전체창의 사이의 영역에서 동축 도파관의 중심축선에 교차하는 면을 따라 설치되어 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种能够降低被处理基板的中央部的处理速度的等离子体处理装置。 的等离子体处理装置的一个实施例设置有一个处理容器，气体供给部，微波发生器，天线，同轴波导管的原板，保持部，电介质窗口和电介质。 气体供应单元将处理气体供应到处理容器中。 微波发生器产生微波。 天线将等离子体激发微波引入处理容器。 同轴波导安装在微波发生器和天线之间。 保持部保持目标气体，并且在同轴波导管的中心轴线延伸的方向上与天线相对地设置。 电介质窗口设置在天线和保持部分之间，并将微波从天线传输到处理容器中。 介质系统的盘沿着与保护和介电窗口之间的区域中的同轴波导的中心轴相交的平面定位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130114064A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：KR1020130116247
申请日：2013-09-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32651
Abstract: PURPOSE: A plasma processor is provided to reduce the processing speed of the center area in processed gas. CONSTITUTION: A plasmas processor (10) comprises a processing vessel (12), a gas supply unit (14), a micro wave generator (6), an antenna (18), a coaxial wave guide (20), a holding unit (22), and a dielectric window (24). The gas supply unit supplies processed gas to the processing vessel. The microwave generator generates a microwave. The antenna supplies the microwave for enhancing plasma to the processing vessel. The coaxial waveguide is installed between the microwave generator and the antenna. The holding unit faces to the antenna in a direction in which the center shaft line of the coaxial wave guide. The dielectric window is installed between the antenna and the holding unit and radiates the microwave from the antenna to the processing vessel. [Reference numerals] (AA,BB) Gas
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理器以降低处理气体中心区域的处理速度。 等离子体处理器（10）包括处理容器（12），气体供应单元（14），微波发生器（6），天线（18），同轴波导（20），保持单元 22）和电介质窗（24）。 气体供应单元向处理容器供应经处理的气体。 微波发生器产生微波。 天线为微波提供加强等离子体到处理容器。 同轴波导安装在微波发生器和天线之间。 保持单元沿着同轴波导管的中心轴线的方向面向天线。 电介质窗安装在天线和保持单元之间，并将微波从天线辐射到处理容器。 （附图标记）（AA，BB）气体
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公开(公告)号：KR1020120120911A
公开(公告)日：2012-11-02
申请号：KR1020120043187
申请日：2012-04-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3244
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to efficiently suppress plasma in an injector by narrowing the width of the narrowest part of a through hole of a slit type than a debye length. CONSTITUTION: A processing container(12) forms a processing space for processing a substrate(W). A stage(14) is installed in the processing container. A microwave generator(30) includes a waveguide(32) and a mode converter(34). An antenna(18) includes a dielectric plate(18a) and a slot plate(18b). A dielectric member(16) faces the stage in an axial direction. [Reference numerals] (AA,BB) Gas
Abstract translation: 目的：提供一种等离子体处理装置，通过使狭缝型通孔的最窄部分的宽度比德拜长度变窄来有效地抑制喷射器中的等离子体。 构成：处理容器（12）形成用于处理衬底（W）的处理空间。 工作台（14）安装在处理容器中。 微波发生器（30）包括波导（32）和模式转换器（34）。 天线（18）包括电介质板（18a）和槽板（18b）。 电介质构件（16）在轴向方向上面对台阶。 （附图标记）（AA，BB）气体
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公开(公告)号：KR1020140090182A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020147012236
申请日：2012-10-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: B08B7/0035 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32862
Abstract: 일실시예의 플라즈마 처리 장치에서는, 안테나의 슬롯판에, 축선에 대하여 둘레 방향으로 배열된 슬롯이 형성되어 있다. 안테나로부터는 유전체창을 거쳐 마이크로파가 처리 공간으로 도입된다. 유전체창에는, 축선을 따라 관통홀이 형성되어 있다. 이 플라즈마 처리 장치에서의 플라즈마 처리 방법은, 안테나로부터 마이크로파를 방사시키고, 클리닝 가스 공급계로부터 클리닝 가스를 공급하여, 제 1 클리닝을 행하는 공정과, 안테나로부터 마이크로파를 방사시키고, 클리닝 가스 공급계로부터 클리닝 가스를 공급하여, 제 2 클리닝을 행하는 공정을 포함한다. 제 1 클리닝을 행하는 공정에서의 처리 공간의 제 1 압력은, 제 2 클리닝을 행하는 공정에서의 처리 공간의 제 2 압력보다 낮다.
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公开(公告)号：KR101369411B1
公开(公告)日：2014-03-04
申请号：KR1020120030392
申请日：2012-03-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32651
Abstract: 피처리 기체의 중앙 부분의 처리 속도를 저감시킬 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 일 실시예의 플라즈마 처리 장치는 처리 용기, 가스 공급부, 마이크로파 발생기, 안테나, 동축 도파관, 보지부, 유전체창 및 유전체봉을 구비하고 있다. 가스 공급부는 처리 용기 내로 처리 가스를 공급한다. 마이크로파 발생기는 마이크로파를 발생한다. 안테나는 플라즈마 여기용의 마이크로파를 처리 용기 내로 도입한다. 동축 도파관은 마이크로파 발생기와 안테나의 사이에 설치되어 있다. 보지부는 피처리 기체를 보지하는 것이며, 동축 도파관의 중심축선이 연장되는 방향에서 안테나와 대향 배치되어 있다. 유전체창은 안테나와 보지부의 사이에 설치되어 있고, 안테나로부터의 마이크로파를 처리 용기 내에 투과한다. 유전체봉은 보지부와 유전체창의 사이의 영역에서 동축 도파관의 중심축선을 따라 설치되어 있다.
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公开(公告)号：KR1020130114607A
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：KR1020127034251
申请日：2011-06-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01L21/3065 , H01L21/32136 , H05H1/46
Abstract: 공통 가스원(41)로부터 공급되는 공통 가스를 플로우 스플리터(44)에 의해 2계통으로 분기시키고, 2계통으로 분기된 공통 가스를 처리 용기(2)의 유전체 창(16)의 중앙에 마련되는 중앙 도입구(58)(55), 및 기판(W)의 상방에 둘레방향으로 배열되는 복수의 주변 도입구(62)에 도입한다. 2계통으로 분기시킨 공통 가스의 어느 한쪽에 첨가 가스를 첨가한다. 처리 용기(2)내에 도입된 공통 가스 및 첨가 가스를 기판(W)의 하방의 배기구(11a)로부터 배기하고, 처리 용기(2)내를 소정의 압력으로 감압한다. 다수의 슬롯(21)을 갖는 슬롯 안테나(20)를 이용하여 처리 용기(2)내에 마이크로파를 도입하고, 복수의 주변 도입구(62)가 마련되는 영역의 전자 온도를 중앙 도입구(58)(55)가 마련되는 영역의 전자 온도보다 낮게 한다.
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