公开(公告)号：KR102109226B1

公开(公告)日：2020-05-11

申请号：KR1020157006043

申请日：2013-09-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  도미타유고 ,  미하라나오키 ,  다카하시가즈키 ,  아이타미치타카 ,  요시카와준 ,  센다다카히로 ,  사토요시야스 ,  가토가즈유키 ,  스도우겐지 ,  미즈스기히토시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

公开(公告)号：KR101772723B1

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：KR1020127034251

申请日：2011-06-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  요시카와와타루 ,  세오야스히로 ,  가토가즈유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32136

Abstract: 공통가스원(41)로부터공급되는공통가스를플로우스플리터(44)에의해 2계통으로분기시키고, 2계통으로분기된공통가스를처리용기(2)의유전체창(16)의중앙에마련되는중앙도입구(58)(55), 및기판(W)의상방에둘레방향으로배열되는복수의주변도입구(62)에도입한다. 2계통으로분기시킨공통가스의어느한쪽에첨가가스를첨가한다. 처리용기(2)내에도입된공통가스및 첨가가스를기판(W)의하방의배기구(11a)로부터배기하고, 처리용기(2)내를소정의압력으로감압한다. 다수의슬롯(21)을갖는슬롯안테나(20)를이용하여처리용기(2)내에마이크로파를도입하고, 복수의주변도입구(62)가마련되는영역의전자온도를중앙도입구(58)(55)가마련되는영역의전자온도보다낮게한다.

公开(公告)号：KR1020150064020A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：KR1020157006043

申请日：2013-09-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  도미타유고 ,  미하라나오키 ,  다카하시가즈키 ,  아이타미치타카 ,  요시카와준 ,  센다다카히로 ,  사토요시야스 ,  가토가즈유키 ,  스도우겐지 ,  미즈스기히토시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/66795

Abstract: 일실시형태의플라즈마처리장치에서는, 안테나로부터유전체창을통해마이크로파의에너지가처리용기내에도입된다. 이플라즈마처리장치는중앙도입부및 주변도입부를갖춘다. 중앙도입부의중앙도입구는, 기판을탑재하는탑재대의탑재영역의중앙을향해서개구되어, 유전체창의바로아래에가스를분사한다. 주변도입부의복수의주변도입구는, 중앙도입구보다도아래쪽이면서탑재대의위쪽에있어서원주방향을따라서배열되어있고, 탑재영역의가장자리를향해가스를분사한다. 중앙도입부에는, 반응성가스및 희가스의소스를포함하는복수의제1 가스소스가복수의제1 유량제어유닛을통해접속되어있다. 주변도입부에는, 반응성가스및 희가스의소스를포함하는복수의제2 가스소스가복수의제2 유량제어유닛을통해접속되어있다.

Abstract translation: 在等离子体处理设备的一个实施例中，微波的能量通过电介质窗口从天线引入到处理容器中。 该等离子体处理装置具有中心引入部分和外围引入部分。 中央引导部的中央引导开口朝向安装基板的安装台的安装区域的中央开口，并且将气体直接喷射到电介质窗的下方。 周边引导部的多个周缘引导槽在中央引导开口的下方沿着周向配置在载置台的上侧，并朝向安装区域的边缘喷射气体。 包括反应气体源和稀有气体的多个第一气源通过多个第一流量控制单元连接到中心入口。 包括反应气体源和稀有气体的多个第二气体源通过多个第二流量控制单元连接到外围引入部分。

公开(公告)号：KR1020130114607A

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：KR1020127034251

申请日：2011-06-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  요시카와와타루 ,  세오야스히로 ,  가토가즈유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32136 ,  H05H1/46

Abstract: 공통 가스원(41)로부터 공급되는 공통 가스를 플로우 스플리터(44)에 의해 2계통으로 분기시키고, 2계통으로 분기된 공통 가스를 처리 용기(2)의 유전체 창(16)의 중앙에 마련되는 중앙 도입구(58)(55), 및 기판(W)의 상방에 둘레방향으로 배열되는 복수의 주변 도입구(62)에 도입한다. 2계통으로 분기시킨 공통 가스의 어느 한쪽에 첨가 가스를 첨가한다. 처리 용기(2)내에 도입된 공통 가스 및 첨가 가스를 기판(W)의 하방의 배기구(11a)로부터 배기하고, 처리 용기(2)내를 소정의 압력으로 감압한다. 다수의 슬롯(21)을 갖는 슬롯 안테나(20)를 이용하여 처리 용기(2)내에 마이크로파를 도입하고, 복수의 주변 도입구(62)가 마련되는 영역의 전자 온도를 중앙 도입구(58)(55)가 마련되는 영역의 전자 온도보다 낮게 한다.