公开(公告)号：KR1020150094533A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：KR1020150019333

申请日：2015-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  사토준 ,  무라타마사히로 ,  오시모겐타로 ,  스가노도모코 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/314

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02315

Abstract: 기판에 처리 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 분리 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 제1 플라즈마 발생 수단과 상기 회전 테이블 사이의 거리가 제1 거리인 상태에서 제1 플라즈마 처리용 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 제2 플라즈마 발생 수단과 상기 회전 테이블 사이의 거리가 상기 제1 거리보다 작은 제2 거리인 상태에서 제2 플라즈마 처리용 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 상기 분리 가스를 공급하는 공정을 갖는 기판 처리 방법.

Abstract translation: 根据本发明的实施例的基板处理方法包括：向基板提供处理气体的过程; 将分离气体供给到基板的工序; 在第一等离子体产生装置和旋转台之间的距离是第一距离的同时向基板供应第一等离子体处理气体的过程; 在第二等离子体产生装置和旋转台之间的距离比第一距离短的第二距离的情况下，向基板供给第二等离子体处理气体的过程; 以及将分离气体供给到基板的工序。

公开(公告)号：KR101885411B1

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：KR1020150019333

申请日：2015-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  사토준 ,  무라타마사히로 ,  오시모겐타로 ,  스가노도모코 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/314

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 기판에처리가스를공급하는공정과, 상기기판에분리가스를공급하는공정과, 상기기판에제1 플라즈마발생수단과상기회전테이블사이의거리가제1 거리인상태에서제1 플라즈마처리용가스를공급하는공정과, 상기기판에제2 플라즈마발생수단과상기회전테이블사이의거리가상기제1 거리보다작은제2 거리인상태에서제2 플라즈마처리용가스를공급하는공정과, 상기기판에상기분리가스를공급하는공정을갖는기판처리방법.