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公开(公告)号：KR102241266B1
公开(公告)日：2021-04-15
申请号：KR1020180020530
申请日：2018-02-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 본발명은간소한프로세스및 장치에의해실현가능한보텀업성이높은질화막의매립성막을행할수 있는성막방법및 성막장치를제공하는것을목적으로한다. 기판의표면에형성되어있는오목부패턴에저면측으로부터질화막을매립하는성막방법이며, 상기기판의표면및 상기오목부패턴의상부에플라스마에의해활성화된염소가스를공급하여흡착시켜, 흡착저해기를형성하는공정과, 상기오목부패턴을포함하는상기기판의표면에실리콘또는금속과염소를함유하는원료가스를공급하고, 상기흡착저해기가형성되어있지않은상기오목부패턴내의하부영역에상기원료가스를흡착시키는공정과, 상기오목부패턴을포함하는상기기판의표면에질화가스를공급하고, 상기오목부패턴내의하부영역에상기원료가스와의반응에의해생성된질화막의분자층을퇴적시키는공정을갖는다.
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公开(公告)号：KR102117740B1
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：KR1020170087072
申请日：2017-07-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
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公开(公告)号：KR1020170000351A
公开(公告)日：2017-01-02
申请号：KR1020160077823
申请日：2016-06-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/76802 , C23C16/045 , C23C16/402 , C23C16/45534 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/68714 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/76831 , H01L21/76898
Abstract: 기판 W의표면에형성된오목부에실리콘함유막을충전하는실리콘함유막의성막방법이며, 상기기판에실리콘함유가스를공급하여, 상기오목부내에상기실리콘함유가스를흡착시키는제1 실리콘흡착공정과, 상기기판에에칭가스를공급하여, 상기오목부내에흡착된상기실리콘함유가스의실리콘성분의일부를에칭하는실리콘에칭공정과, 상기기판에상기실리콘성분과반응하는반응가스를공급하여, 에칭후에상기오목부내에흡착된채로잔류한상기실리콘성분과반응시켜반응생성물을생성하여, 상기오목부내에실리콘함유막을퇴적시키는제1 실리콘함유막퇴적공정을포함하는제1 성막사이클을포함한다.
Abstract translation: 用于沉积含硅膜的方法是通过使含硅气体通过将含硅气体供给到衬底而吸附在形成在衬底的第二表面的凹陷的第一表面上的方式进行的。 通过向基板供给蚀刻气体来部分地蚀刻吸附在凹陷的第一表面上的含硅气体中所含的硅成分。 通过向基板供给与硅组分反应的反应气体，从而在凹陷中沉积含硅膜，以通过使反应气体与残留在凹陷中的硅组分反应而产生反应产物而不进行蚀刻。
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公开(公告)号：KR102010122B1
公开(公告)日：2019-08-12
申请号：KR1020160077823
申请日：2016-06-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/687
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公开(公告)号：KR1020150001640A
公开(公告)日：2015-01-06
申请号：KR1020140076618
申请日：2014-06-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/45536 , C23C16/45557 , H01J37/321 , H01J37/32449 , H01J37/32623 , H01J37/32651 , H01J37/32715 , H01J37/32779 , H01J37/32816 , H01L21/02274 , C23C16/50 , H01L21/0228
Abstract: 진공 용기 내에서 기판에 대해 박막을 형성하는 성막 방법으로, 가스를 플라즈마화하여 얻어진, 상기 박막의 품질에 관여하는 활성종을 기판에 공급하는 공정을 포함하고, 기판에 제1 막을 성막하는 제1 공정과, 가스를 플라즈마화하여 얻어진, 상기 박막의 품질에 관여하는 활성종을, 제어 파라미터를 조정함으로써, 단위 막 두께당 활성종의 공급량이 상기 제1 공정에 있어서의 단위 막 두께당 활성종의 제1 공급량보다도 많아지도록 기판에 공급하는 공정을 포함하고, 상기 제1 막 상에 당해 제1 막과 동일한 종별의 막인 제2 막을 성막하는 제2 공정을 구비하였다.
Abstract translation: 本发明涉及一种膜沉积方法，一种存储介质和一种成膜装置。 薄膜沉积方法是在真空室内的基板上沉积薄膜的方法。 该方法包括：将第一膜沉积在基板上的第一工艺，第一工艺包括提供通过将气体改变为等离子体获得的活性物质的过程，并且与薄膜的质量相关; 以及在第一膜上沉积与第一膜相同类型的第二膜的第二工艺，第二工艺包括向基板供应活性物质的过程，使得每个活性物质的供应量 通过调整受控参数，单位膜厚度大于第一工序中单位膜厚度的活性物质的第一供给量。
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公开(公告)号：KR101885411B1
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：KR1020150019333
申请日：2015-02-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/314
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/345 , C23C16/45519 , C23C16/45538 , C23C16/45551 , C23C16/507 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 기판에처리가스를공급하는공정과, 상기기판에분리가스를공급하는공정과, 상기기판에제1 플라즈마발생수단과상기회전테이블사이의거리가제1 거리인상태에서제1 플라즈마처리용가스를공급하는공정과, 상기기판에제2 플라즈마발생수단과상기회전테이블사이의거리가상기제1 거리보다작은제2 거리인상태에서제2 플라즈마처리용가스를공급하는공정과, 상기기판에상기분리가스를공급하는공정을갖는기판처리방법.
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公开(公告)号：KR1020170102810A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：KR1020170024488
申请日：2017-02-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/24 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/50 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32513 , H01J37/32752
Abstract: 기판(W)의표면에 Si 함유가스를공급하고, 상기기판의상기표면에상기 Si 함유가스를흡착시키는공정과, 상기기판의상기표면에질화가스를제1 플라즈마에의해활성화해서공급하고, 상기기판의상기표면상에흡착된상기 Si 함유가스를질화하고, SiN막을퇴적시키는공정과, 상기기판의상기표면에 NH및 N를소정의비율로포함하는개질가스를제2 플라즈마에의해활성화해서공급하고, 상기기판의상기표면상에퇴적한상기 SiN 질화막을개질하는공정을갖는다.
Abstract translation: 含Si气体到基板（W）的表面的供给，和含Si气体吸附到所述基板的表面，通过由氮化气体激活，以在衬底的第一等离子体的表面供给的步骤，和 以预定的速率吸附在基板和含Si气体，沉积SiN步骤的氮化物的表面上，并且进料至活化通过含有NH和N衬底的表面上的改质气体为膜上的第二等离子体 并且修改衬底表面上沉积的SiN氮化物膜。
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公开(公告)号：KR101774086B1
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：KR1020140076618
申请日：2014-06-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/45536 , C23C16/45557 , H01J37/321 , H01J37/32449 , H01J37/32623 , H01J37/32651 , H01J37/32715 , H01J37/32779 , H01J37/32816
Abstract: 진공용기내에서기판에대해박막을형성하는성막방법으로, 가스를플라즈마화하여얻어진, 상기박막의품질에관여하는활성종을기판에공급하는공정을포함하고, 기판에제1 막을성막하는제1 공정과, 가스를플라즈마화하여얻어진, 상기박막의품질에관여하는활성종을, 제어파라미터를조정함으로써, 단위막 두께당활성종의공급량이상기제1 공정에있어서의단위막 두께당활성종의제1 공급량보다도많아지도록기판에공급하는공정을포함하고, 상기제1 막상에당해제1 막과동일한종별의막인제2 막을성막하는제2 공정을구비하였다.
Abstract translation: 1。一种在真空容器中的基板上形成薄膜的方法，所述方法包括：将通过等离子体形成气体获得的与薄膜的质量有关的活性物种供应到基板， 通过调节控制参数，以便可以控制涉及通过将气体转化为等离子体而获得的薄膜质量的活性物种，从而每单位膜厚度的每单位膜厚度的活性物种的量 1提供给基板以大于第一膜的供应量;以及第二步骤，在第一膜上形成与第一膜相同种类的膜。
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公开(公告)号：KR1020170092462A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：KR1020170013593
申请日：2017-01-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/687
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , H01J37/32
Abstract: 기판의표면에형성된오목부패턴내에 SiN막을매립하는성막방법이며, 상기오목부패턴을포함하는상기기판의표면에 NH을포함하는제1 처리가스를플라즈마화해서공급하여, 상기오목부패턴을포함하는상기기판의표면에 NH기를흡착시키는질화공정과, 해당 NH기가흡착된상기오목부패턴을포함하는상기기판의표면에 N를포함하는제2 처리가스를플라즈마화해서공급하여, 상기 NH기의일부를 N기로변환하는흡착사이트제어공정과, 실리콘함유가스를상기 NH기및 상기 N기가흡착된상기오목부패턴을포함하는상기기판의표면에공급하여, 상기 NH기에선택적으로흡착시키는실리콘흡착공정을갖고, 상기질화공정, 상기흡착사이트제어공정및 상기실리콘흡착공정을주기적으로복수회반복한다.
Abstract translation: 包括以下步骤：通过等离子体将包含NH 3的第一处理气体提供给包括凹形图案的基板的表面，并提供凹形图案; 并且，将含有N的第2处理气体供给至包含凹部图案的基板的表面，该凹部图案中NH基被等离子体吸附而供给至基板的表面， 向含有NH基和其上吸附有N基的凹图案的基板表面供给含硅气体并选择性地将NH 3基吸附到NH基上的硅吸附步骤， 并且氮化处理，吸附位置控制处理和硅吸附处理周期性地重复多次。
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公开(公告)号：KR1020150094533A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：KR1020150019333
申请日：2015-02-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/314
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/345 , C23C16/45519 , C23C16/45538 , C23C16/45551 , C23C16/507 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02252 , H01L21/02315
Abstract: 기판에 처리 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 분리 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 제1 플라즈마 발생 수단과 상기 회전 테이블 사이의 거리가 제1 거리인 상태에서 제1 플라즈마 처리용 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 제2 플라즈마 발생 수단과 상기 회전 테이블 사이의 거리가 상기 제1 거리보다 작은 제2 거리인 상태에서 제2 플라즈마 처리용 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 상기 분리 가스를 공급하는 공정을 갖는 기판 처리 방법.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的基板处理方法包括：向基板提供处理气体的过程; 将分离气体供给到基板的工序; 在第一等离子体产生装置和旋转台之间的距离是第一距离的同时向基板供应第一等离子体处理气体的过程; 在第二等离子体产生装置和旋转台之间的距离比第一距离短的第二距离的情况下，向基板供给第二等离子体处理气体的过程; 以及将分离气体供给到基板的工序。
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