公开(公告)号：KR1020050036733A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：KR1020040081554

申请日：2004-10-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  엔도오아쯔시 ,  스즈끼다이스께 ,  스즈끼게이스께

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3105

Abstract: 본 발명의 과제는 이음매가 없고, 게다가 에칭 내성을 향상시킬 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다.
피처리체(W)의 표면에 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 상기 피처리체의 표면에 SiO
2 막을 형성하는 SiO
2 막 형성 공정과, 상기 SiO
2 막의 막질을 개선하기 위해 상기 SiO
2 막을 산소 활성종과 수산기 활성종을 주체로 하는 분위기 속에서 어닐링 처리하는 개질 공정을 갖는다. 이와 같이, 피처리체의 표면에 형성된 SiO
2 막을 산소 활성종과 수산기 활성종을 주체로 하는 분위기 속에서 어닐링 처리함으로써 개질을 행하였으므로, SiO
2 막 중에 이음매가 없고, 게다가 그 에칭 내성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR101014062B1

公开(公告)日：2011-02-14

申请号：KR1020040081554

申请日：2004-10-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  엔도오아쯔시 ,  스즈끼다이스께 ,  스즈끼게이스께

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3105

Abstract: 본 발명의 과제는 이음매가 없고, 게다가 에칭 내성을 향상시킬 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다.
피처리체(W)의 표면에 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 상기 피처리체의 표면에 SiO
2 막을 형성하는 SiO
2 막 형성 공정과, 상기 SiO
2 막의 막질을 개선하기 위해 상기 SiO
2 막을 산소 활성종과 수산기 활성종을 주체로 하는 분위기 속에서 어닐링 처리하는 개질 공정을 갖는다. 이와 같이, 피처리체의 표면에 형성된 SiO
2 막을 산소 활성종과 수산기 활성종을 주체로 하는 분위기 속에서 어닐링 처리함으로써 개질을 행하였으므로, SiO
2 막 중에 이음매가 없고, 게다가 그 에칭 내성을 향상시킬 수 있다.
성막 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 가열 수단, 반도체 웨이퍼

公开(公告)号：KR100936554B1

公开(公告)日：2010-01-12

申请号：KR1020050126805

申请日：2005-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈끼다이스께 ,  하세가와마사유끼 ,  엔도아쯔시

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/67017

Abstract: 반도체 처리용 처리 장치는 피처리 기판을 수용하는 처리 용기와, 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급계와, 처리 용기 내를 배기하는 배기 장치와, 처리 용기를 배기 장치에 접속하는 배기 라인을 포함한다. 배기 라인 상에 개방도 가변 밸브가 배치되고, 개방도 가변 밸브보다도 상류에서 배기 라인에 불활성 가스를 도입하는 불활성 가스 라인이 접속된다. 압력 제어 기구가 배치되어, 처리 용기 내에서 처리를 행할 때 배기 장치에 의해 처리 용기를 배기하는 동시에 불활성 가스를 불활성 가스 라인으로부터 배기 라인에 도입하고 있는 상태에 있어서, 개방도 가변 밸브의 개방도 및 불활성 가스의 유량 중 적어도 한 쪽을 조정함으로써 처리 용기 내의 압력을 제어한다.
배기 장치, 반도체 처리용 처리 장치, 처리 용기, 가스 공급계, 밸브

公开(公告)号：KR1020060072058A

公开(公告)日：2006-06-27

申请号：KR1020050126805

申请日：2005-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈끼다이스께 ,  하세가와마사유끼 ,  엔도아쯔시

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/67017

Abstract: 반도체 처리용 처리 장치는 피처리 기판을 수용하는 처리 용기와, 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급계와, 처리 용기 내를 배기하는 배기 장치와, 처리 용기를 배기 장치에 접속하는 배기 라인을 포함한다. 배기 라인 상에 개방도 가변 밸브가 배치되고, 개방도 가변 밸브보다도 상류에서 배기 라인에 불활성 가스를 도입하는 불활성 가스 라인이 접속된다. 압력 제어 기구가 배치되어, 처리 용기 내에서 처리를 행할 때 배기 장치에 의해 처리 용기를 배기하는 동시에 불활성 가스를 불활성 가스 라인으로부터 배기 라인에 도입하고 있는 상태에 있어서, 개방도 가변 밸브의 개방도 및 불활성 가스의 유량 중 적어도 한 쪽을 조정함으로써 처리 용기 내의 압력을 제어한다.
배기 장치, 반도체 처리용 처리 장치, 처리 용기, 가스 공급계, 밸브