公开(公告)号：KR100888312B1

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：KR1020040067672

申请日：2004-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈끼게이스께 ,  이께우찌도시유끼 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C8/16 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

Abstract: 본 발명의 과제는 매우 막 두께가 얇은 산화막을, 촉매 등을 이용하는 일 없이 막 두께 제어성이 좋은 상태에서 성막할 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다.
진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(4) 내에 수소와 산소를 도입하여 양 가스를 연소시킴으로써 수증기를 발생시키고, 상기 수증기에 의해 피처리체의 표면을 산화 처리하도록 한 산화 방법에 있어서, 상기 처리 용기 내의 프로세스 압력을 2000 Pa(15 Torr) 이상이 되도록 설정한다. 이에 의해, 산화에 기여하는 산화종을 수소나 산소의 활성종으로부터 수증기로 이행시켜 두께가 매우 얇은, 예를 들어 2 ㎚ 정도의 박막을 형성하는 경우라도 그 막 두께의 제어성을 향상시킨다.
열처리 장치, 처리 용기, 가열 히터, 피처리체, 수소 도입 노즐, 산소 도입 노즐

公开(公告)号：KR100870608B1

公开(公告)日：2008-11-25

申请号：KR1020040067671

申请日：2004-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지따다께히꼬 ,  다무라아끼따께 ,  스즈끼게이스께 ,  하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46

Abstract: 본 발명의 과제는 피처리체에의 파티클의 부착을 억제할 수 있는 열처리 방법 및 열처리 장치를 제공하는 것이다.
열처리 장치(1)의 제어부(100)는 복수매의 반도체 웨이퍼(W)를 소정 피치 간격으로 보유 지지한 웨이퍼 보트(11)를 반응관(2) 내에 반입한다. 반도체 웨이퍼(W)가 보유 지지된 웨이퍼 보트(11)를 반응관(2) 내에 반입하면 반응관(2) 내를 반도체 웨이퍼(W) 또는 웨이퍼 보트(11)의 치핑이 반응관(2) 밖으로 배출되지 않는 압력까지 일단 감압한 후, 치핑을 반응관(2) 밖으로 배출 가능한 압력으로 유지한 상태에서 반응관(2) 내를 소정의 온도로 승온한다.
열처리 장치, 웨이퍼 보트, 반응관, 반도체 웨이퍼

Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种能够抑制粒子附着于被处理物的热处理方法及热处理装置。

公开(公告)号：KR1020060041970A

公开(公告)日：2006-05-12

申请号：KR1020050012519

申请日：2005-02-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈끼게이스께 ,  이께우찌도시유끼 ,  우메자와고오따

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67757

Abstract: 본 발명의 과제는 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 높게 유지하는 것이 가능한 피처리체의 산화 방법을 제공하는 것이다.
소정의 길이를 갖는 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(22) 내에 피처리체(W)를 복수매 수용하고, 상기 처리 용기 내에 산화성 가스와 환원성 가스를 공급하여 상기 양 가스를 반응시킴으로써 발생한 산소 활성종과 수산기 활성종을 갖는 분위기 중에서 상기 피처리체의 표면을 산화하도록 한 피처리체의 산화 방법에 있어서, 상기 산화성 가스를 상기 처리 용기의 길이 방향의 일단부측으로부터 공급하고, 상기 환원성 가스를 상기 처리 용기의 길이 방향의 다른 위치에 설치한 복수의 가스 분사구로부터 공급할 수 있게 하는 동시에, 상기 처리 용기 내의 상기 피처리체의 수용 매수와 수용 위치에 따라서 상기 가스 분사구 중 어느 하나를 선택하고, 상기 선택된 가스 분사구로부터 환원성 가스를 공급한다. 이에 의해, 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 높게 유지한다.
산화 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 가열 수단, 가스 분사구

公开(公告)号：KR1020050044851A

公开(公告)日：2005-05-13

申请号：KR1020047006489

申请日：2003-09-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네까와쯔까사 ,  스즈끼게이스께

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/76232

Abstract: A method for processing a semiconductor substrate comprises a step wherein a trench (16) is formed in the surface of a substrate (W) by etching the substrate (W) and a step wherein a corner portion (10) of the substrate which is at the entrance of the trench (16) is rounded off by heating the substrate (W). The step of rounding off the corner portion (10) includes a first heat treatment conducted in a hydrogen gas atmosphere wherein the process temperature (T) is 850 °C

Abstract translation: 一种用于处理半导体衬底的方法包括以下步骤：通过蚀刻衬底（W）在衬底（W）的表面中形成沟槽（16），并且其中衬底的角部（10）处于 通过加热衬底（W）使沟槽（16）的入口被倒圆。 舍入角部（10）的步骤包括在氢气气氛中进行的第一热处理，其中工艺温度（T）为850℃

公开(公告)号：KR101014062B1

公开(公告)日：2011-02-14

申请号：KR1020040081554

申请日：2004-10-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  엔도오아쯔시 ,  스즈끼다이스께 ,  스즈끼게이스께

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3105

Abstract: 본 발명의 과제는 이음매가 없고, 게다가 에칭 내성을 향상시킬 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다.
피처리체(W)의 표면에 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 상기 피처리체의 표면에 SiO
2 막을 형성하는 SiO
2 막 형성 공정과, 상기 SiO
2 막의 막질을 개선하기 위해 상기 SiO
2 막을 산소 활성종과 수산기 활성종을 주체로 하는 분위기 속에서 어닐링 처리하는 개질 공정을 갖는다. 이와 같이, 피처리체의 표면에 형성된 SiO
2 막을 산소 활성종과 수산기 활성종을 주체로 하는 분위기 속에서 어닐링 처리함으로써 개질을 행하였으므로, SiO
2 막 중에 이음매가 없고, 게다가 그 에칭 내성을 향상시킬 수 있다.
성막 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 가열 수단, 반도체 웨이퍼

公开(公告)号：KR100888539B1

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：KR1020050012519

申请日：2005-02-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈끼게이스께 ,  이께우찌도시유끼 ,  우메자와고오따

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67757

Abstract: 본 발명의 과제는 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 높게 유지하는 것이 가능한 피처리체의 산화 방법을 제공하는 것이다.
소정의 길이를 갖는 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(22) 내에 피처리체(W)를 복수매 수용하고, 상기 처리 용기 내에 산화성 가스와 환원성 가스를 공급하여 상기 양 가스를 반응시킴으로써 발생한 산소 활성종과 수산기 활성종을 갖는 분위기 중에서 상기 피처리체의 표면을 산화하도록 한 피처리체의 산화 방법에 있어서, 상기 산화성 가스를 상기 처리 용기의 길이 방향의 일단부측으로부터 공급하고, 상기 환원성 가스를 상기 처리 용기의 길이 방향의 다른 위치에 설치한 복수의 가스 분사구로부터 공급할 수 있게 하는 동시에, 상기 처리 용기 내의 상기 피처리체의 수용 매수와 수용 위치에 따라서 상기 가스 분사구 중 어느 하나를 선택하고, 상기 선택된 가스 분사구로부터 환원성 가스를 공급한다. 이에 의해, 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 높게 유지한다.
산화 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 가열 수단, 가스 분사구

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种氧化待加工物体的方法，该方法能够保持各层之间的膜厚度的高度均匀性。

公开(公告)号：KR1020060083831A

公开(公告)日：2006-07-21

申请号：KR1020050018908

申请日：2005-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈끼게이스께 ,  이께우찌도시유끼 ,  우메자와고오따

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02271 ,  H01L21/22

Abstract: 본 발명의 과제는 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 높게 유지하는 것이 가능한 피처리체의 산화 방법, 산화 장치 및 이를 제어하는 프로그램을 기억하는 기억 매체를 제공하는 것이다.
소정의 길이를 갖는 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(22) 내에 피처리체(W)를 복수매 수용하고, 상기 처리 용기 내에 산화성 가스와 환원성 가스를 공급하여 상기 양 가스를 반응시킴으로써 발생한 산소 활성종과 수산기 활성종을 갖는 분위기 중에서 상기 피처리체의 표면을 산화하도록 한 피처리체의 산화 방법에 있어서, 상기 산화성 가스를 상기 처리 용기의 길이 방향의 일단부측으로부터 공급하고, 상기 환원성 가스를 상기 처리 용기의 길이 방향의 다른 위치에 설치한 복수의 가스 분사구로부터 공급할 수 있게 하는 동시에, 상기 처리 용기 내의 상기 피처리체의 수용 매수와 수용 위치에 따라서 상기 가스 분사구 중 어느 하나를 선택하고, 상기 선택된 가스 분사구로부터 환원성 가스를 공급한다. 이에 의해, 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 높게 유지한다.
산화 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 가열 수단, 가스 분사구

公开(公告)号：KR1020060046489A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：KR1020050053361

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈끼게이스께 ,  아오끼기미야 ,  우메자와고오따 ,  마테스토마스빌헬름 ,  벨하우젠우베 ,  더로프노르베르트

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76235

Abstract: 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(22) 내에, 표면에 홈부(4)가 형성된 피처리체(W)를 수용하고, 상기 처리 용기 내에 산화성 가스와 환원성 가스를 공급하여 상기 양 가스를 반응시킴으로써 발생한 산소 활성종과 수산기 활성종을 갖는 분위기 중에서 상기 피처리체의 표면을 산화하도록 한 피처리체의 산화 방법에 있어서, 상기 산화시의 처리 용기 내의 온도를 900 ℃ 이하가 되도록 설정한다. 이에 의해, 트렌치(홈부)의 견부의 코너부뿐만 아니라 바닥부의 코너부도 함께 둥글게 곡면 형상으로 하여 파셋의 발생을 방지한다.
처리 용기, 홈부, 진공 펌프, 견부, 코너부

公开(公告)号：KR101018597B1

公开(公告)日：2011-03-04

申请号：KR1020050018908

申请日：2005-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈끼게이스께 ,  이께우찌도시유끼 ,  우메자와고오따

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명의 과제는 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 높게 유지하는 것이 가능한 피처리체의 산화 방법, 산화 장치 및 이를 제어하는 프로그램을 기억하는 기억 매체를 제공하는 것이다.
소정의 길이를 갖는 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(22) 내에 피처리체(W)를 복수매 수용하고, 상기 처리 용기 내에 산화성 가스와 환원성 가스를 공급하여 상기 양 가스를 반응시킴으로써 발생한 산소 활성종과 수산기 활성종을 갖는 분위기 중에서 상기 피처리체의 표면을 산화하도록 한 피처리체의 산화 방법에 있어서, 상기 산화성 가스를 상기 처리 용기의 길이 방향의 일단부측으로부터 공급하고, 상기 환원성 가스를 상기 처리 용기의 길이 방향의 다른 위치에 설치한 복수의 가스 분사구로부터 공급할 수 있게 하는 동시에, 상기 처리 용기 내의 상기 피처리체의 수용 매수와 수용 위치에 따라서 상기 가스 분사구 중 어느 하나를 선택하고, 상기 선택된 가스 분사구로부터 환원성 가스를 공급한다. 이에 의해, 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 높게 유지한다.
산화 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 가열 수단, 가스 분사구

公开(公告)号：KR100960180B1

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：KR1020047021366

申请日：2003-08-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈끼게이스께 ,  왕웬링 ,  요네까와쯔까사 ,  이께우찌도시유끼 ,  사또오도오루

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/20 ,  Y10T436/25

Abstract: 본 발명은 반응 용기내의 열처리 분위기의 복수의 구역을 복수의 가열 수단에 의해 각각 가열하는 공정과, 반응 용기내에 처리 가스를 도입하여 복수의 기판 표면에 박막을 형성하는 공정을 갖는 열처리 방법에 관한 것으로, 그 열처리 공정군이, 처리 가스의 소비량이 제품 기판보다도 적은 복수의 제1 기판을 이용하는 제1 열처리 공정과, 구역마다 박막의 막두께를 측정하는 제1 측정 공정과, 그 막두께의 각각이 목표치가 되도록, 가열 수단 각각의 온도 설정치를 설정하는 제1 설정 공정과, 처리 가스의 소비량이 제1 기판보다도 많은 복수의 제2 기판에 대하여 상기 온도 설정치를 이용하는 제2 열처리 공정과, 제2 기판의 표면에 형성된 박막의 막두께를 복수의 구역마다 측정하는 제2 측정 공정과, 복수의 가열 수단 각각의 상기 온도 설정치를 보정하는 제2 보정 공정과, 복수의 제품 기판에 대하여 상기 보정된 각 온도 설정치를 이용하여 상기 열처리 공정군을 실시하는 제3 열처리 공정을 구비하고 있다.
열처리, 반도체 웨이퍼, 산화 처리, 처리 가스, 온도 설정치, 반응 용기