公开(公告)号：KR1020080005131A

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：KR1020070068003

申请日：2007-07-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도오아쯔시 ,  후지따요시유끼 ,  미야자끼신지

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67248 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115

Abstract: A vertical heat processing apparatus and its method are provided to prevent micro cracks from being formed at a rear portion of a process container by suppressing an excessive reaction of a control system of a heater. A vertical process container includes a transfer port at a lower portion thereof and receives a substrate to be processed therein. A support member supports the substrate in the process chamber in a vertical direction. A cover member tightly closes the transfer port. An elevator(62) elevates the cover member, while the support member is activated, such that the support member is loaded or unloaded on or from the process container. Gas supply systems(74,76,78) supply process gas to the process container. A ventilating system(70) ventilates the process chamber. A heater is arranged around the process container and supplies heat to a sidewall of the process container. A heat buffer member(98) surrounds the lower portion of the process container between the heater and the process container and decreases heat transfer efficiency of a heat line between the heater and the substrate to be processed.

Abstract translation: 提供了一种垂直加热装置及其方法，以通过抑制加热器的控制系统的过度反应来防止在处理容器的后部形成微裂纹。 垂直处理容器在其下部包括一个传送口，并接收待加工的衬底。 支撑构件在垂直方向上支撑处理室中的衬底。 盖构件紧密地封闭输送口。 升降机（62）在支撑构件被启动的同时提升盖构件，使得支撑构件在加工容器上或从加工容器卸载。 供气系统（74,76,78）向工艺容器供应工艺气体。 通风系统（70）使处理室通风。 在加工容器周围布置加热器，并且将热量供给到处理容器的侧壁。 加热缓冲构件（98）围绕加热器和处理容器之间的处理容器的下部，并且降低加热器和待处理基板之间的热线的传热效率。

公开(公告)号：KR101142659B1

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：KR1020070068003

申请日：2007-07-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도오아쯔시 ,  후지따요시유끼 ,  미야자끼신지

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67248 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115

Abstract: 복수의 피처리 기판에 대해 함께 열처리를 실시하기 위한 종형 열처리 장치는, 피처리 기판을 수납하기 위한 종형의 처리 용기와, 처리 용기는 하단부에 반송 포트를 갖는 것과, 처리 용기 내에서 피처리 기판을 서로 간격을 두고 수직 방향으로 적층한 상태로 보유 지지하기 위한 보유 지지구와, 처리 용기의 주위에 배치된 히터와, 히터는 처리 용기의 측벽을 통해 열선을 공급함으로써 처리 용기 내를 가열하는 것을 포함한다. 히터와 처리 용기의 하단부측과의 사이에서 하단부측을 포위하도록 열 완충 부재가 배치된다. 열 완충 부재는, 히터와 처리 용기 내의 피처리 기판과의 사이에 있어서의 열선의 전달률을 하단부측에 있어서 저하시킨다.
열처리 장치, 외부관, 내부관, 처리 용기, 매니폴드, 웨이퍼 보트

公开(公告)号：KR1020090105870A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：KR1020090028426

申请日：2009-04-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네꼬히로후미 ,  이노우에히사시 ,  시오나가게이시 ,  히시야신고 ,  엔도오아쯔시

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67098 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67303

Abstract: PURPOSE: A reaction pipe and a heat processing apparatus for a semiconductor process are provided to perform a thermal treatment with a high uniformity. CONSTITUTION: A reaction pipe and a heat processing apparatus for a semiconductor process are composed of a reaction tube(3), a heater(22), a substrate holder, a gas supply system, and a gas exhaust system. The reaction tube performs a thermal treatment by receiving while receiving a plurality of targets at a certain interval, and a heater surrounds the reaction tube. A substrate holder maintains the target in the reaction tube, and the gas supply system supplies a process gas into the reaction tube.

Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体工艺的反应管和热处理装置，以高均匀性进行热处理。 构成：用于半导体工艺的反应管和热处理装置由反应管（3），加热器（22），基板保持器，气体供应系统和排气系统组成。 反应管在一定间隔接收多个靶时进行热处理，加热器围绕反应管。 衬底保持器将反射管中的靶保持在反应管中，并且气体供给系统将工艺气体供应到反应管中。

公开(公告)号：KR101436192B1

公开(公告)日：2014-09-01

申请号：KR1020110069857

申请日：2011-07-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도오아쯔시 ,  구보가즈미 ,  미즈나가사또시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C14/3414

Abstract: 본 발명의 과제는 메인터넌스 작업의 수고를 저감시키는 동시에, 다운타임을 짧게 할 수 있는 박막 형성 장치의 세정 방법 등을 제공하는 것이다.
박막 형성 장치(1)의 세정 방법은 가열 공정과 세정 공정을 구비하고 있다. 가열 공정에서는 반응관(2) 내와 배기관(16) 내 중 적어도 한쪽을 소정의 온도로 가열한다. 세정 공정에서는 가열된 반응실(2) 내와 배기관(16) 내 중 적어도 한쪽에, 산소 가스와 수소 가스를 포함하는 클리닝 가스를 공급하여 클리닝 가스를 소정의 온도로 가열함으로써, 클리닝 가스에 포함되는 산소 가스 및 수소 가스를 활성화시킨다. 그리고, 활성화한 산소 가스 및 수소 가스에 의해, 박막 형성 장치(1)의 내부에 부착된 부착물을 제거한다.

公开(公告)号：KR101014062B1

公开(公告)日：2011-02-14

申请号：KR1020040081554

申请日：2004-10-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  엔도오아쯔시 ,  스즈끼다이스께 ,  스즈끼게이스께

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3105

Abstract: 본 발명의 과제는 이음매가 없고, 게다가 에칭 내성을 향상시킬 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다.
피처리체(W)의 표면에 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 상기 피처리체의 표면에 SiO
2 막을 형성하는 SiO
2 막 형성 공정과, 상기 SiO
2 막의 막질을 개선하기 위해 상기 SiO
2 막을 산소 활성종과 수산기 활성종을 주체로 하는 분위기 속에서 어닐링 처리하는 개질 공정을 갖는다. 이와 같이, 피처리체의 표면에 형성된 SiO
2 막을 산소 활성종과 수산기 활성종을 주체로 하는 분위기 속에서 어닐링 처리함으로써 개질을 행하였으므로, SiO
2 막 중에 이음매가 없고, 게다가 그 에칭 내성을 향상시킬 수 있다.
성막 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 가열 수단, 반도체 웨이퍼

公开(公告)号：KR1020060047371A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050033359

申请日：2005-04-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도오아쯔시 ,  후지와라도모노리 ,  모로즈미유우이찌로오 ,  하라다가쯔시게 ,  나까지마시게루 ,  최동균 ,  후루야하루히꼬 ,  야베가즈오

IPC: H01L21/205

CPC classification number: B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  Y10S438/90

Abstract: 본 발명의 과제는 반도체 처리용 성막 장치의 사용 방법은 상기 성막 장치의 반응실 내면에 부착하는 부생성물막을 제거하는 공정을 포함하는 것이다. 여기서 상기 반응실 내에 불화수소를 포함하는 클리닝 가스를 공급하는 동시에, 상기 반응실 내를 물이 액막으로서 존재할 수 있는『제1 환경』으로 설정한다.
클리닝 가스, 성막 장치, 반응실, 히터, 배기계, 웨이퍼 보트

公开(公告)号：KR101475557B1

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：KR1020110142061

申请日：2011-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가끼모또아끼노부 ,  엔도오아쯔시 ,  구보가즈미

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C16/402

Abstract: 본발명의과제는카본막상에산화물막을형성해도, 카본막의막 두께감소를억제하는것이가능한카본막상으로의산화물막의성막방법을제공하는것이다. 피처리체상에카본막을형성하는공정(스텝 1)과, 카본막상에피산화체층을형성하는공정(스텝 2)과, 피산화체층을산화시키면서, 피산화체층상에산화물막을형성하는공정(스텝 3)을구비한다.

公开(公告)号：KR101150026B1

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：KR1020090028426

申请日：2009-04-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네꼬히로후미 ,  이노우에히사시 ,  시오나가게이시 ,  히시야신고 ,  엔도오아쯔시

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02

Abstract: 복수의 피처리체를 간격을 두고 적층 상태로 수납하여 감압 하에서 열처리를 실시하기 위한 반도체 처리용의 반응관은 전기 절연성이면서 내열성 재료로 일체적으로 형성된다. 반응관은, 하단부에 피처리체를 반응관에 대하여 로드 및 언로드하기 위한 로드 포트를 갖는 원통형의 측벽과, 측벽 상단부를 막고 또한 측벽의 축 방향과 직교하여 내면이 평면 형상으로 형성된 원형의 천장벽을 구비한다. 천장벽은 외면측의 주연 영역에 측벽을 따라 형성된 환 형상 홈을 갖는다.
피처리체, 감압, 반응관, 천장벽, 로드

公开(公告)号：KR1020060053275A

公开(公告)日：2006-05-19

申请号：KR1020050096766

申请日：2005-10-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  엔도오아쯔시 ,  니시무라도시하루 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 열처리 장치 내에 부착된 반응 생성물을 효율적으로 제거할 수 있는 박막 형성 장치의 세정 방법 및 박막 형성 장치를 제공한다. 열처리 장치(1)의 제어부(100)는 반응관(2) 내를 400 ℃ 내지 700 ℃로 가열하는 동시에, 처리 가스 도입관(17)으로부터 불소와 불화수소를 포함하는 클리닝 가스를 공급하여 부착물을 제거한다.
열처리 장치, 반응관, 배기구, 진공 펌프, 덮개

公开(公告)号：KR1020060044813A

公开(公告)日：2006-05-16

申请号：KR1020050025304

申请日：2005-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  니시무라도시하루 ,  엔도오아쯔시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3185

Abstract: A method of using a film formation apparatus for a semiconductor process includes removing by a cleaning gas a by-product film deposited on an inner surface of a reaction chamber of the film formation apparatus, and then chemically planarizing the inner surface of the reaction chamber by a planarizing gas. The inner surface contains as a main component quartz or silicon carbide. The removing is performed while supplying the cleaning gas into the reaction chamber, and setting the reaction chamber at a first temperature and first pressure to activate the cleaning gas. The planarizing is performed while supplying the planarizing gas into the reaction chamber, and setting the reaction chamber at a second temperature and second pressure to activate the planarizing gas. The planarizing gas contains fluorine and hydrogen fluoride. The second temperature is within a range of from 300 to 800° C.