公开(公告)号：KR1020170134261A

公开(公告)日：2017-12-06

申请号：KR1020170065419

申请日：2017-05-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키요시노리 ,  하라다아키토시

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715

Abstract: 기판에의파티클의부착을억제하는것을목적으로한다. 기판을수용하며, 내부에서플라즈마처리가행해지는처리실과, 기판을배치하는배치대와, 상기배치대에대향하는대향전극과, 상기배치대또는상기대향전극에플라즈마생성용의제1 고주파전력을인가하는제1 고주파전원과, 상기배치대에상기제1 고주파전원보다주파수가낮은, 바이어스전압발생용의제2 고주파전력을인가하는제2 고주파전원과, 상기대향전극에직류전압을인가하는직류전원과, 상기제1 고주파전원, 상기제2 고주파전원및 직류전원을제어하는제어부를가지고, 상기제어부는, 플라즈마처리시 또는플라즈마처리후로서상기제1 고주파전력및 상기제2 고주파전력의인가를정지시키기전에, 상기직류전압을램프다운시키는, 플라즈마처리장치가제공된다.

Abstract translation: 并抑制颗粒对基材的粘附。 和接收所述基板，并完成处理腔室内部的等离子体处理和布置成用于放置基板，和面对所述载置台的对置电极，一个第一高频电力产生等离子体，以载置台或对电极 施加第一高频电源和其直流在布置用于施加第二DC电压施加到高频功率源和用于施加第二高频电力为第一频率的计数器电极比高频电源下，和用于偏置电压发生器 具有电源和所述第一高频电源，用于控制所述第二高频功率和直流电源的控制器，其中，在所述等离子体处理或当等离子体处理停止seosanggi的应用第一高频电力和第二高频电力 提供等离子体处理设备以降低直流电压。

公开(公告)号：KR100894345B1

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：KR1020070019397

申请日：2007-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로츠신 ,  나이토와카코 ,  스즈키요시노리

IPC: H01L21/3065

Abstract: 반사 방지막을 에칭할 때에, 플라즈마를 광범위하게 제어할 수 있고, 그것에 의해 에칭 특성의 분포를 제어하는 것에 의해, 그 후의 에칭 대상막의 에칭에 있어서 CD 분포를 제어할 수 있는 플라즈마 에칭 방법을 제공하는 것.
피처리체(W)에 형성된 반사 방지막을 플라즈마 에칭하는 플라즈마 에칭 방법은, 제 1 전극(34) 및 제 2 전극(16)이 상하로 대향하여 마련된 처리 용기(10)내에 기판 상에 에칭 대상막, 반사 방지막 및 패턴화된 포토레지스트막이 순차적으로 형성된 피처리체를 배치하는 공정과, 처리용기(10)내에 처리 가스를 도입하는 공정과, 제 1 전극(34) 및 제 2 전극(16) 중 어느 것인가에 고주파 전력을 인가하여 플라즈마를 생성하는 공정과, 어느 하나의 전극에 직류 전압을 인가하는 공정을 가진다.

公开(公告)号：KR1020070089618A

公开(公告)日：2007-08-31

申请号：KR1020070019397

申请日：2007-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로츠신 ,  나이토와카코 ,  스즈키요시노리

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: A plasma etching method and a computer readable storing medium are provided to control the distribution of CD(Critical Dimension) of an etch object layer by controlling the etching of an ARC(Anti-Reflective Coating) using a DC voltage applied to one of first and second electrodes. An etch object body(W) is loaded in a process chamber(10). The process chamber includes first and second electrodes opposite to each other in an inner space. An etch object layer, an ARC and a photoresist pattern are sequentially formed on the etch object body. A process gas is introduced into the process chamber. A plasma is formed in the process chamber by applying an RF power to one of the first and the second electrodes. A DC voltage is applied to one out of the first and second electrodes. The DC voltage is in the range of -200 to -1500 V.

Abstract translation: 提供了等离子体蚀刻方法和计算机可读存储介质，以通过使用施加到第一和第二和第二和第一和第二之一的DC电压来控制ARC（防反射涂层）的蚀刻来控制蚀刻对象层的CD（临界尺寸）的分布 第二电极。 将蚀刻物体（W）装载到处理室（10）中。 处理室包括在内部空间中彼此相对的第一和第二电极。 蚀刻对象层，ARC和光致抗蚀剂图案依次形成在蚀刻对象体上。 工艺气体被引入到处理室中。 通过向第一和第二电极之一施加RF功率，在处理室中形成等离子体。 对第一和​​第二电极中的一个施加DC电压。 直流电压在-200〜-1500V的范围内。