公开(公告)号：KR1020150048134A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：KR1020157005120

申请日：2013-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라다아키토시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: 본실시예의플라즈마처리방법은, 먼저, 제 1 불소함유가스를플라즈마처리공간으로공급하고, 제 1 불소함유가스의플라즈마를이용하여피처리기판을에칭하는에칭공정을실행한다(S101). 이어서, 플라즈마처리방법은, O가스를플라즈마처리공간으로공급하고, 플라즈마처리공간에표면을대향시켜배치된부재에대하여에칭공정후에부착한카본함유물을 O가스의플라즈마를이용하여제거하는카본함유물제거공정을실행한다(S102). 이어서, 플라즈마처리방법은, 질소함유가스및 제 2 불소함유가스를플라즈마처리공간으로공급하고, 부재에대하여에칭공정후에부착한티탄함유물을질소함유가스및 제 2 불소함유가스의플라즈마를이용하여제거하는티탄함유물제거공정을실행한다(S103).

公开(公告)号：KR1020150101927A

公开(公告)日：2015-09-04

申请号：KR1020150021628

申请日：2015-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우다히로시 ,  츠지모토히로시 ,  하라다아키토시 ,  야쿠시지히데아키 ,  스기야마마사하루

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32862 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/3065 ,  H01L2224/80013

Abstract: 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 잔류하는 Ti 함유 반응물을 간편하고 또한 효율적으로 제거하는 것이다. Low-k막의 에칭 가공에서, 드라이 에칭 공정(S
2 )을 종료한 직후에, 반도체 웨이퍼를 정전 척(40) 상에 보지한 채로 웨이퍼가 있는 드라이 클리닝의 프로세스를 실행한다(단계(S
3 )). 이 웨이퍼가 있는 드라이 클리닝 공정(S
3 )은 주로 챔버(10) 내에 잔류하고 있는 Ti 함유 반응물을 제거하기 위하여, 처리 가스 공급부(70)로부터 H
2 가스와 N
2 가스를 소정의 유량비로 포함하는 클리닝 가스를 챔버(10) 내로 도입하고, 플라즈마 생성용의 제 1 고주파(HF)를 소정의 파워로 서셉터(12)에 인가하여, 챔버(10) 내에서 클리닝 가스의 고주파 방전에 의한 플라즈마를 생성한다.

Abstract translation: 本发明的目的是简单有效地除去留在等离子体处理装置的处理容器中的含Ti反应物。 在Low-k膜的蚀刻工艺中，刚刚在干蚀刻工艺（S_2）完成之后，随着半导体晶片被保持在静电吸盘（40）（S_3）上，进行用晶片干法的处理。 与晶片的干洗处理（S_3）将来自处理气体供给部（70）的包含H_2气体和固定通量比的N_2气体的清洗气体引入到室（10）中，以除去剩余的含Ti反应物 在所述室（10）中，通过以固定的功率强度施加用于等离子体产生的第一高频（HF）到基座（12），通过高频放电来产生等离子体，以清洁气体在室（10）中。

公开(公告)号：KR1020150048135A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：KR1020157005121

申请日：2013-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라다아키토시 ,  린,옌-팅 ,  첸,치-흐수안 ,  흐시에,주-치아 ,  요네다시게루

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/76805 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/321 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78

Abstract: 본실시예의플라즈마처리방법은, 먼저, 불소함유가스를플라즈마처리공간으로공급하고, 니켈실리사이드막의표면에산화실리콘막또는질화실리콘막이형성된피처리기판을불소함유가스의플라즈마를이용하여에칭하는에칭공정을실행한다(단계(S101)). 이어서, 플라즈마처리방법은, 수소함유가스를플라즈마처리공간으로공급하고, 플라즈마처리공간에표면을대향시켜배치된부재에대하여에칭공정후에부착한니켈함유물을수소함유가스의플라즈마를이용하여환원하는환원공정을실행한다(단계(S102)). 이어서, 플라즈마처리방법은, 산소함유가스를플라즈마처리공간으로공급하고, 환원공정에의해니켈함유물이환원되어얻어진니켈을산소함유가스의플라즈마를이용하여제거하는제거공정을실행한다(단계(S103)).

Abstract translation: 本实施方式的等离子体处理方法中，首先，含氟蚀刻工艺称为目标基板供应气体至该等离子体处理空间，并在表面上的膜或硅膜的氧化硅的硅化镍膜中使用含有氟系气体的等离子体形成的氮化物 （步骤S101）。 然后，将等离子处理方法，其包括供给气体含氢成等离子体处理空间，以及使用含氢气体的等离子体蚀刻处理后附相对于一个部件含镍的材料减少布置成面对的表面于等离子体处理空间 执行缩小处理（步骤S102）。 然后，等离子体处理法，并进行供给含氧气体引入等离子体处理空间的除去工序，并通过使用含氧气的气体，以获得通过还原步骤（步骤被还原成含水镍镍的等离子体去除（S103 ））。

公开(公告)号：KR102241740B1

公开(公告)日：2021-04-19

申请号：KR1020140078363

申请日：2014-06-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라다아키토시

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/324 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: 파티클의발생을효과적으로제어한다. 온도조절가능한정전척을제 1 온도로제어한상태에서처리실내에서피처리체의플라즈마처리를실행한후, 상기정전척의온도를상기제 1 온도보다낮은제 2 온도로단계적으로제어하는강온제어공정과, 상기플라즈마처리를실행한후, 상기처리실내를불활성가스에의해퍼지하는퍼지공정을포함하는것을특징으로하는온도제어방법이제공된다.

公开(公告)号：KR1020150001664A

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：KR1020140078363

申请日：2014-06-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라다아키토시

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/324 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32724 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831

Abstract: 파티클의 발생을 효과적으로 제어한다. 온도 조절 가능한 정전 척을 제 1 온도로 제어한 상태에서 처리실 내에서 피처리체의 플라즈마 처리를 실행한 후, 상기 정전 척의 온도를 상기 제 1 온도보다 낮은 제 2 온도로 단계적으로 제어하는 강온 제어 공정과, 상기 플라즈마 처리를 실행한 후, 상기 처리실 내를 불활성 가스에 의해 퍼지하는 퍼지 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 제어 방법이 제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及温度控制方法和等离子体处理装置，其有效地控制颗粒的产生。 本发明提供一种温度控制方法，其特征在于，包括以下步骤：将处理室内的被处理物进行等离子体处理，作为能够控制温度的静电卡盘的高温控制方法，控制在第一温度，然后逐渐控制静电温度 卡盘在第二温度低于第一温度; 以及在进行等离子体处理之后用惰性气体吹扫处理室内部的吹扫处理。

公开(公告)号：KR1020170134261A

公开(公告)日：2017-12-06

申请号：KR1020170065419

申请日：2017-05-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키요시노리 ,  하라다아키토시

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715

Abstract: 기판에의파티클의부착을억제하는것을목적으로한다. 기판을수용하며, 내부에서플라즈마처리가행해지는처리실과, 기판을배치하는배치대와, 상기배치대에대향하는대향전극과, 상기배치대또는상기대향전극에플라즈마생성용의제1 고주파전력을인가하는제1 고주파전원과, 상기배치대에상기제1 고주파전원보다주파수가낮은, 바이어스전압발생용의제2 고주파전력을인가하는제2 고주파전원과, 상기대향전극에직류전압을인가하는직류전원과, 상기제1 고주파전원, 상기제2 고주파전원및 직류전원을제어하는제어부를가지고, 상기제어부는, 플라즈마처리시 또는플라즈마처리후로서상기제1 고주파전력및 상기제2 고주파전력의인가를정지시키기전에, 상기직류전압을램프다운시키는, 플라즈마처리장치가제공된다.

Abstract translation: 并抑制颗粒对基材的粘附。 和接收所述基板，并完成处理腔室内部的等离子体处理和布置成用于放置基板，和面对所述载置台的对置电极，一个第一高频电力产生等离子体，以载置台或对电极 施加第一高频电源和其直流在布置用于施加第二DC电压施加到高频功率源和用于施加第二高频电力为第一频率的计数器电极比高频电源下，和用于偏置电压发生器 具有电源和所述第一高频电源，用于控制所述第二高频功率和直流电源的控制器，其中，在所述等离子体处理或当等离子体处理停止seosanggi的应用第一高频电力和第二高频电力 提供等离子体处理设备以降低直流电压。

公开(公告)号：KR1020160084802A

公开(公告)日：2016-07-14

申请号：KR1020150186298

申请日：2015-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카야마다카미츠 ,  하라다아키토시 ,  야쿠시지히데아키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32706

Abstract: 직류전압(HV)을인가할때의기판주변에의파티클의인입을억제하는것을목적으로한다. 플라즈마처리가행해지는챔버내에기판을반입하는공정과, 기판을배치하는배치대에, 플라즈마여기용고주파전력의주파수보다낮은주파수의바이어스용고주파전력을인가하는공정과, 상기배치대상의기판을정전흡착하는정전척에직류전압을인가하는공정을포함하고, 상기직류전압을인가하는공정은, 상기바이어스용고주파전력을인가하는공정후에실행되는, 플라즈마처리방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明的目的是在施加直流电压时抑制颗粒在基板周围的流入。 提供了一种等离子体处理方法，其包括以下步骤：将基板装载到执行等离子体处理的室中; 将具有低于用于等离子体激发的高频激励功率的频率的高频偏置功率施加到其上安装有基板的安装台; 并将直流电压施加到静电吸盘上，以静电吸收安装台上的基板。 在施加高频偏置功率的步骤之后执行施加直流电压的步骤。

公开(公告)号：KR102230509B1

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：KR1020140076274

申请日：2014-06-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라다아키토시

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/683 ,  H01L21/3065

Abstract: (과제) 정전척 위에퇴적된, 티탄을포함하는반응생성물을제거할수 있는클리닝방법을제공하는것. (해결수단) 적어도기판을탑재하는정전척을갖고, 상기기판에플라즈마처리를실시하는기판처리장치에있어서의, 상기정전척에부착된티탄을포함하는퇴적물을제거하는클리닝방법으로서, 상기티탄을포함하는퇴적물을, 환원성가스를포함하는처리가스의플라즈마에의해환원하는제 1 공정과, 상기제 1 공정에있어서환원된상기퇴적물을, 불소계가스를포함하는처리가스의플라즈마에의해제거하는제 2 공정과, 상기제 2 공정에의해상기정전척 위에퇴적된플루오로카본계의퇴적물을, 산소를포함하는처리가스의플라즈마에의해제거하는제 3 공정을포함하는클리닝방법.

公开(公告)号：KR102114922B1

公开(公告)日：2020-05-25

申请号：KR1020157005120

申请日：2013-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라다아키토시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

公开(公告)号：KR1020150071655A

公开(公告)日：2015-06-26

申请号：KR1020140181418

申请日：2014-12-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시마사노리 ,  히다츠요시 ,  다케모토노보루 ,  야쿠시지히데아키 ,  린치아흥 ,  하라다아키토시

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32834 ,  H01J37/32844 ,  H01J37/32871 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 본발명은, 배기효율을유지하면서, 파티클이처리용기내에진입하는것을방지할수 있는입자역류방지부재를제공하는것을과제로한다. 처리용기와배기장치를연통시키는배기관의내부에배치되는입자역류방지부재로서, 제1 판형부재와, 개구부를가지며, 제1 판형부재에대하여제1 간극을두고배기장치측에배치되는제2 판형부재를가지며, 개구부는, 평면에서볼 때제1 판형부재에의해덮여있는입자역류방지부재가제공된다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够防止颗粒进入处理容器同时保持排气效率的颗粒防回流部件。 作为布置在排气管中以将处理容器连接到排气装置的颗粒防回流构件，设置有包括第一平面构件和第二平面构件的颗粒防回流构件，该第一平面构件和第二平面构件包括开口部并布置在 所述排气装置相对于所述第一平面构件具有第一间隙。 开口部分由平面的第一平面构件覆盖。